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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
ED 2016-01-20
10:55
東京 機械振興会館 [依頼講演]3.3kV耐圧SiC-MOSFETの低抵抗化技術と世界初鉄道車両用フルSiC適用インバータの実現
濱田憲治日野史郎三浦成久渡邊 寛中田修平末川英介海老池勇史今泉昌之梅嵜 勲山川 聡三菱電機ED2015-113
既存の鉄道車両向けモジュールのさらなる効率化を図るため,次世代パワー半導体材料であるSiCを用いた3.3 kV耐圧のMO... [more] ED2015-113
pp.7-12
SDM 2011-07-04
09:40
愛知 名古屋大学(ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー) Al2O3堆積膜をゲート絶縁膜に用いたSiC-MOSFETの作製と評価
山田泰之石黒暁夫東工大)・日野史郎三浦成久今泉昌之炭谷博昭三菱電機)・徳光永輔東工大SDM2011-52
 [more] SDM2011-52
pp.11-15
SDM 2006-06-21
13:00
広島 広島大学, 学士会館 MOCVD法による堆積膜/SiCの作製と評価
日野史郎畑山智裕徳光永輔東工大)・三浦成久大森達夫三菱電機
SiC-パワーMOSFETの実用化には絶縁膜/SiC界面の特性を改善する必要がある。本研究では通常の熱酸化法でSiO2/... [more] SDM2006-42
pp.1-5
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