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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
ICD 2010-04-22
15:20
神奈川 湘南工大 [依頼講演] Fabrication of a Nonvolatile Lookup-Table Circuit Chip Using Magneto/Semiconductor-Hybrid Structure for an Immediate-Power-Up Field Programmable Gate Array
鈴木大輔夏井雅典池田正二東北大)・長谷川晴弘日立)・三浦勝哉東北大/日立)・早川 純日立)・遠藤哲郎大野英男羽生貴弘東北大ICD2010-9
本稿では,磁気トンネル接合素子 (MTJ: Magnetic Tunnel Junction) 素子特性を活用することで... [more] ICD2010-9
pp.47-52
ICD 2010-04-22
15:45
神奈川 湘南工大 [依頼講演] 双方向ローカルライトドライバ,1/0平均化リファレンスセル,2T1Rセルレイアウトを用いた32Mb SPRAM
竹村理一郎河原尊之日立)・三浦勝哉山本浩之日立/東北大)・早川 純松崎 望小埜和夫山ノ内路彦伊藤顕知高橋宏昌日立)・池田正二東北大)・長谷川晴弘松岡秀行日立)・大野英男東北大ICD2010-10
1.8 V動作,32 nsアクセス,セル書き込み時間40 nsの32 Mb SPRAMを試作した。本チップは,150 n... [more] ICD2010-10
pp.53-57
ITE-MMS, MRIS
(共催)
2009-10-08
13:55
福岡 福岡交通センター [招待講演]スピントルク磁化反転を用いた不揮発RAM(SPRAM)
高橋宏昌伊藤顕知早川 純三浦勝哉山本浩之山ノ内路彦小埜和夫竹村理一郎河原尊之日立)・佐々木龍太郎東北大)・長谷川晴弘東北大/日立)・池田正二東北大)・松岡秀行日立)・大野英男東北大
SPRAM(Spin Transfer Torque MRAM)は、電流によるスピントランスファトルクによってMTJ素子... [more]
SDM, ED
(共催)
2009-06-24
14:30
海外 海雲台グランドホテル(釜山、韓国) [招待講演]Advanced magnetic tunnel junctions for hybrid spintronics/CMOS circuits
Shoji IkedaTohoku Univ.)・Jun HayakawaHitachi, Ltd.)・Huadong GanKotaro MizumumaJi Ho ParkTohoku Univ.)・Hiroyuki YamamotoKatsuya MiuraHitachi, Ltd./Tohoku Univ.)・Haruhiro HasegawaRyutaro SasakiToshiyasu MeguroTohoku Univ.)・Kenchi ItoHitachi, Ltd.)・Fumihiro MatsukuraHideo OhnoTohoku Univ.ED2009-51 SDM2009-46
 [more] ED2009-51 SDM2009-46
pp.5-8
SDM, ED
(共催)
2009-06-24
15:00
海外 海雲台グランドホテル(釜山、韓国) Transient characteristic of fabricated Magnetic Tunnel Junction (MTJ) programmed with CMOS circuit
Masashi KamiyanagiFumitaka IgaShoji IkedaTohoku Univ.)・Katsuya MiuraTohoku Univ./Hitachi)・Jun HayakawaHitachi)・Haruhiro HasegawaTakahiro HanyuHideo OhnoTetsuo EndohTohoku Univ.ED2009-52 SDM2009-47
In this paper, it is shown that our fabricated MTJ of 60x180... [more] ED2009-52 SDM2009-47
pp.9-12
SDM, ED
(共催)
2009-06-24
15:15
海外 海雲台グランドホテル(釜山、韓国) Study of the DC Performance of Fabricated Magnetic Tunnel Junction Integrated on Back-end Metal Line of CMOS Circuits
Fumitaka IgaMasashi KamiyanagiShoji IkedaTohoku Univ.)・Katsuya MiuraTohoku Univ./Hitachi)・Jun HayakawaHitachi)・Haruhiro HasegawaTakahiro HanyuHideo OhnoTetsuo EndohTohoku Univ.ED2009-53 SDM2009-48
In this paper, we have succeeded in the fabrication of high ... [more] ED2009-53 SDM2009-48
pp.13-16
ICD, SDM
(共催)
2007-08-24
15:15
北海道 北見工業大学 積層フェリ自由層トンネル磁気抵抗効果素子を備えたSPRAMのリードディスターブ耐性と書き込み電流のばらつきの低減
三浦勝哉河原尊之竹村理一郎日立)・早川 純日立/東北大)・山ノ内路彦日立)・池田正二佐々木龍太郎東北大)・伊藤顕知高橋宏昌松岡秀行日立)・大野英男東北大SDM2007-166 ICD2007-94
磁性体メモリの一つであるSPin-transfer torque RAM(SPRAM)は,高速動作,低電力化が可能な不揮... [more] SDM2007-166 ICD2007-94
pp.135-138
ICD 2007-04-12
13:00
大分 大分県・湯布院・七色の風 [招待講演]双方向電流書換方式、平行化方向読出し方式を用いた2Mb-SPRAM(SPin-transfer torque RAM)
竹村理一郎河原尊之三浦勝哉日立)・早川 純日立/東北大)・池田正二李 永珉佐々木龍太郎東北大)・後藤 康伊藤顕知日立)・目黒敏靖松倉文礼東北大)・高橋宏昌日立/東北大)・松岡秀行日立)・大野英男東北大ICD2007-6
トンネル磁気抵抗のスピン制御にスピン注入磁化反転方式を用いたSPRAM(SPin-transfer torque RAM... [more] ICD2007-6
pp.29-34
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