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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
OME, SDM
(共催)
2022-04-22
14:10
宮崎 高千穂ホール(宮崎市)
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
熱処理による酸化物半導体InGaZnOx薄膜トランジスタの特性改善メカニズムと低温化
Rostislav Velichko高知工科大)・曲 勇作島根大)・○古田 守高知工科大SDM2022-4 OME2022-4
代表的な金属酸化物半導体薄膜トランジスタ(TFT)であるIn–Ga–Zn–O (IGZO) TFTは10 cm2/Vsを... [more] SDM2022-4 OME2022-4
pp.17-20
OME, SDM
(共催)
2022-04-23
11:50
宮崎 高千穂ホール(宮崎市)
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
[招待講演]固相結晶化In2O3:Hによる薄膜トランジスタの高移動度化(>100 cm2V-1s-1)
曲 勇作島根大)・片岡大樹高知工科大)・葉 文昌島根大)・古田 守高知工科大SDM2022-13 OME2022-13
本研究では低温で固相結晶化した水素化多結晶酸化インジウム(In2O3:H)薄膜の金属から半導体への転移に成功し、酸化物半... [more] SDM2022-13 OME2022-13
pp.61-64
EID, SDM
(共催)
ITE-IDY
(連催) [詳細]
2020-12-02
14:30
ONLINE オンライン開催 [特別招待講演]酸化物半導体の低温欠陥制御とフレキシブルデバイス応用
曲 勇作古田 守高知工科大EID2020-10 SDM2020-44
非晶質酸化物半導体であるIn–Ga–Zn–O(IGZO)は室温スパッタ成膜可能なことからフレキシブルデバイスの半導体材料... [more] EID2020-10 SDM2020-44
pp.37-41
EID, SDM
(共催)
ITE-IDY
(連催) [詳細]
2018-12-25
11:45
京都 龍谷大学 響都ホール 校友会館 ミストCVD法によるGTO薄膜を用いたデバイス
滝下雄太龍谷大)・是友大地曲 勇作古田 守高知工科大)・松田時宜木村 睦龍谷大
 [more]
EID, SDM
(共催)
ITE-IDY
(連催) [詳細]
2018-12-25
14:30
京都 龍谷大学 響都ホール 校友会館 Ga-Sn-O薄膜の熱電特性及び構造のアニール依存性
池口 翼荒牧達也龍谷大)・梅田鉄馬上沼睦典奈良先端大)・是友大地曲 勇作古田 守高知工科大)・木村 睦龍谷大
 [more]
SDM, OME
(共催)
2018-04-07
13:10
沖縄 沖縄県青年会館 [招待講演]酸化物半導体InGaZnOx薄膜トランジスタの特性制御
古田 守アマン S G メハディ是友大地曲 勇作高知工科大SDM2018-6 OME2018-6
酸化物半導体をチャネル材料とした薄膜トランジスタ(TFT)は、従来の非晶質シリコンTFTに比較して10倍以上の電界効果移... [more] SDM2018-6 OME2018-6
pp.25-28
SDM, OME
(共催)
2018-04-07
14:15
沖縄 沖縄県青年会館 InGaZnOX/AgOX酸化物ヘテロSchottky界面の起源とフレキシブルデバイス応用
曲 勇作牧野久雄橋本慎輔濵田賢一朗増田健太郎古田 守高知工科大SDM2018-8 OME2018-8
In–Ga–Zn–O (IGZO)と酸化銀(AgOX)の酸化物ヘテロ接合は一般的な金属-酸化物半導体接合より良好なSch... [more] SDM2018-8 OME2018-8
pp.33-36
SDM, OME
(共催)
2016-04-09
10:10
沖縄 沖縄県立博物館・美術館 博物館講座室 [招待講演]フレキシブルデバイスに向けた低温プロセス自己整合型InGaZnO薄膜トランジスタ
古田 守戸田達也辰岡玄悟曲 勇作高知工科大SDM2016-13 OME2016-13
 [more] SDM2016-13 OME2016-13
pp.53-56
SID-JC, IEIJ-SSL
(共催)
EID, ITE-IDY, IEE-EDD
(連催) [詳細]
2016-01-28
15:04
富山 富山大学 プラズマ処理による低抵抗IGZO領域の形成とセルフアライン型TFTへの応用 ~ プラズマ処理時の基板バイアスの効果 ~
曲 勇作戸田達也牧野久雄古田 守高知工科大EID2015-31
 [more] EID2015-31
pp.41-44
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