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 17件中 1~17件目  /   
研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
ED, SDM, CPM
(共催)
2021-05-27
15:40
ONLINE オンライン開催 単層Feナノドットアレイを用いて作製した単電子デバイスの電気特性
瘧師貴幸浅井佑基卞 範模天野郁馬福地 厚有田正志高橋庸夫北大ED2021-6 CPM2021-6 SDM2021-17
単電子デバイス(Single-Electron Device: SED)は超低消費電力・高機能性を有するナノデバイスであ... [more] ED2021-6 CPM2021-6 SDM2021-17
pp.23-26
CPM, ED, SDM
(共催)
2020-05-29
16:25
愛知 名古屋工業大学
(開催中止,技報発行なし)
Feナノドットアレイを用いて作製した単電子デバイスの電気特性
瘧師貴幸浅井佑基卞 範模天野郁馬福地 厚有田正志高橋庸夫北大
 [more]
SDM, ED, CPM
(共催)
2019-05-16
16:15
静岡 静岡大学(浜松) CuとTaを上部電極に用いたTa2O5-δ多値抵抗変化メモリの特性評価
李 遠霖福地 厚有田正志北大)・森江 隆九工大)・高橋庸夫北大ED2019-16 CPM2019-7 SDM2019-14
抵抗変化型メモリ(Resistive Random Access Memory: ReRAM)は,人工シナプスを実現可能... [more] ED2019-16 CPM2019-7 SDM2019-14
pp.29-34
ED, SDM
(共催)
2018-02-28
10:00
北海道 北海道大学百年記念会館 単層Fe-MgF2グラニュラー薄膜を用いた単電子トランジスタの電気特性
浅井佑基本庄周作瘧師貴幸福地 厚有田正志高橋庸夫北大ED2017-104 SDM2017-104
単電子トランジスタ(Single-Electron Transistor: SET)は,低消費電力・高機能性が実現可能な... [more] ED2017-104 SDM2017-104
pp.1-6
ED, SDM
(共催)
2017-02-24
10:00
北海道 北海道大学百年記念会館 コンパクトなシリコン三重量子ドットの作製と評価
内田貴史福地 厚有田正志北大)・藤原 聡NTT)・高橋庸夫北大ED2016-130 SDM2016-147
高集積シリコンマルチ量子ドットは量子ビットへの応用が期待されている. 我々は, シリコン細線をパターン依存酸化することで... [more] ED2016-130 SDM2016-147
pp.1-6
ICD 2016-04-14
13:00
東京 機械振興会館 [依頼講演]ReRAMの抵抗スイッチ動作におけるフィラメント形成・消滅の透過電子顕微鏡内その場観察
高橋庸夫北大)・工藤昌輝九大)・有田正志北大ICD2016-5
抵抗変化メモリは、不揮発性メモリとして注目され、すでに16Gbit程度のセルアレイが報告されている.しかし、その長期信頼... [more] ICD2016-5
pp.21-26
MBE, NC
(併催)
2016-03-22
11:00
東京 玉川大学 Si MOSFET上に作製したCu-MoOx-Al抵抗変化型メモリを用いたSTDP制御回路とその評価
富崎和正森江 隆安藤秀幸九工大)・福地 厚有田正志高橋庸夫北大NC2015-70
ニューラルネットワークでの深層学習の実用化の進展に伴い,高速・低電力で学習を実行するニューラルハードウェア(集積回路)が... [more] NC2015-70
pp.7-12
SDM, ED
(共催)
2015-02-05
15:05
北海道 北海道大学(百年記念会館) 多入力・多出力高機能デバイスを念頭においた3端子ナノドットアレイの高機能特性
吉岡 勇佐藤 光内田貴史福地 厚有田正志北大)・藤原 聡NTT)・高橋庸夫北大ED2014-141 SDM2014-150
ナノドットアレイ単電子デバイスは多入力・多出力であり、単一デバイスでこれまでのCMOSにはない高機能性を実現できる。この... [more] ED2014-141 SDM2014-150
pp.17-22
ED, SDM
(共催)
2014-02-28
11:40
北海道 北海道大学百年記念会館 Cu/MoOx抵抗変化メモリのスイッチ動作における導電フィラメントの直接観察
大野裕輝廣井孝弘工藤昌輝浜田弘一有田正志高橋庸夫北大ED2013-148 SDM2013-163
固体電解質を用いたタイプの抵抗変化メモリ(ReRAM)では,固体電解質中の金属イオンの移動による伝導パス形成/破壊が動作... [more] ED2013-148 SDM2013-163
pp.89-94
SDM, ED
(共催)
2013-02-28
09:25
北海道 北海道大学(百年記念会館) 二重量子ドットSi単電子トランジスタにおける電子数変化による特性評価
内田貴史竹中浩人吉岡 勇有田正志北大)・藤原 聡NTT)・高橋庸夫北大ED2012-138 SDM2012-167
二重量子ドット単電子トランジスタ(DQD SET)は量子情報処理デバイスへの応用が期待され、この応用上、量子ドット(QD... [more] ED2012-138 SDM2012-167
pp.53-58
ED, SDM
(共催)
2012-02-07
15:15
北海道 北海道大学 百年記念会館 パターン依存酸化法を用いたSi単電子トランジスタの高周波特性
竹中浩人篠原迪人内田貴史有田正志北大)・藤原 聡NTT)・高橋庸夫北大ED2011-145 SDM2011-162
単電子トランジスタ(SET)は、低消費電力で動作するデバイスとして知られているが、その高速動作性に関しては、十分調べられ... [more] ED2011-145 SDM2011-162
pp.19-24
ED, SDM
(共催)
2012-02-08
10:20
北海道 北海道大学 百年記念会館 MgF_(2)/Feナノドット/MgF_(2)薄膜における電気伝導特性
石川琢磨佐藤栄太浜田弘一有田正志高橋庸夫北大ED2011-152 SDM2011-169
表面清浄化に注意して準備したSiO2/Si基板上に,室温の交互蒸着法によりMgF2/Feナノドット/MgF2グラニュラー... [more] ED2011-152 SDM2011-169
pp.59-64
SDM, ED
(共催)
2011-02-24
10:45
北海道 北海道大学 百年記念会館 Si単電子トランジスタにおける光照射による単一キャリアトラップ生成と電気伝導特性
篠原迪人加藤勇樹三上 圭有田正志北大)・藤原 聡NTT)・高橋庸夫北大ED2010-203 SDM2010-238
強い縦方向電界を印加した単電子トランジスタ(SET)では、光照射により単電子島で単一電子・正孔対が生成・消滅することで電... [more] ED2010-203 SDM2010-238
pp.63-66
SDM, ED
(共催)
2009-02-27
09:25
北海道 北海道大学 Si細線に作製したダブルドット単電子トランジスタの特性
曹 民圭開澤拓弥有田正志北大)・藤原 聡NTT)・高橋庸夫北大ED2008-233 SDM2008-225
SOI基板上に作成したシリコン細線を酸化することによりパターン依存酸化現象が生じ、簡単に単電子トランジスタを作成できるこ... [more] ED2008-233 SDM2008-225
pp.53-58
ED, SDM
(共催)
2008-01-31
11:40
北海道 北海道大学 Siナノドットアレイを用いた2出力単電子デバイスの半加算機動作
開澤拓弥曹 民圭有田正志北大)・藤原 聡山崎謙治小野行徳NTT)・猪川 洋静岡大)・高橋庸夫北大ED2007-250 SDM2007-261
 [more] ED2007-250 SDM2007-261
pp.69-73
SDM, ED
(共催)
2007-02-01
16:20
北海道 北海道大学 百年記念会館 Siナノドットアレイを用いた多入力単電子デバイス
開澤拓弥有田正志北大)・藤原 聡山崎謙治小野行徳NTT)・猪川 洋静岡大)・高橋庸夫北大
 [more] ED2006-246 SDM2006-234
pp.35-40
ED, SDM
(共催)
2006-01-26
14:20
北海道 北海道大学 百年記念会館 大会議室 量子ドットアレイを用いた多機能デバイスの特性シミュレーション
開澤拓弥有田正志高橋庸夫北大
 [more] ED2005-226 SDM2005-238
pp.13-18
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