お知らせ 研究会の開催と会場に参加される皆様へのお願い(2022年6月開催~)
電子情報通信学会 研究会発表申込システム
研究会 開催スケジュール
技報閲覧サービス
[ログイン]
技報アーカイブ
    [Japanese] / [English] 
研究会名/開催地/テーマ  )→
 
講演検索  検索語:  /  範囲:題目 著者 所属 抄録 キーワード )→

すべての研究会開催スケジュール  (すべての年度)

講演検索結果
 登録講演(開催プログラムが公開されているもの)  (日付・降順)
 32件中 1~20件目  /  [次ページ]  
研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
ED, IEE-BMS, IEE-MSS
(連催)
2022-08-18
14:55
東京 機械振興会館 (ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン) イオン液体供給型物理リザバーデバイスにおける学習精度の雰囲気依存性
米澤雅陽東京理科大/産総研)・島 久産総研)・松尾拓真東京理科大/産総研)・内藤泰久秋永広幸産総研)・伊藤敏幸豊田理研)・野上敏材鳥取大)・小林正和東京理科大/長瀬産業)・木下健太郎東京理科大ED2022-20
(ご登録済みです.開催日以降に掲載されます) [more] ED2022-20
pp.13-16
ED, IEE-BMS, IEE-MSS
(連催)
2022-08-18
15:20
東京 機械振興会館 (ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン) ITO/Nb:SrTiO3接合における光誘起電流特性を利用したニューロモルフィックコンピューティング ~ リザバーコンピューティング応用に向けて ~
山﨑悠太郎甲斐洋行木下健太郎東京理科大ED2022-21
(ご登録済みです.開催日以降に掲載されます) [more] ED2022-21
pp.17-20
ED, IEE-BMS, IEE-MSS
(連催)
2022-08-18
15:45
東京 機械振興会館 (ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン) Pt/Nb:SrTiO3接合における抵抗緩和現象の機構解明 ~ AIデバイス応用に向けて ~
中村駿斗青木裕雅甲斐洋行木下健太郎東京理科大ED2022-22
(ご登録済みです.開催日以降に掲載されます) [more] ED2022-22
pp.21-24
SDM, EID
(共催)
2016-12-12
13:00
奈良 奈良先端科学技術大学院大学 [招待講演]金属酸化物抵抗変化型メモリにおけるデータ保持特性の外部ストレス耐性
木下健太郎鳥取大EID2016-17 SDM2016-98
 [more] EID2016-17 SDM2016-98
pp.37-40
SDM, EID
(共催)
2016-12-12
13:30
奈良 奈良先端科学技術大学院大学 第一原理計算による多結晶酸化物薄膜の抵抗変化メカニズムの検討
森山拓洋肥田聡太鳥取大)・山崎隆浩大野隆央物質・材料研究機構)・岸田 悟木下健太郎鳥取大EID2016-18 SDM2016-99
抵抗変化メモリ(ReRAM)の実用化において, 金属酸化物(MO)内に生成される導電性パスの物性解明が必須である. 薄膜... [more] EID2016-18 SDM2016-99
pp.41-44
SDM, EID
(共催)
2016-12-12
13:45
奈良 奈良先端科学技術大学院大学 Pt/Nb:STO接合におけるメモリ特性とショットキーパラメータの関係
塩見俊樹萩原祐仁岸田 悟木下健太郎鳥取大
 [more]
MBE, NC
(併催)
2016-03-23
10:25
東京 玉川大学 ハードカーネルで再構成されたCT画像のMTF測定
三塚 丈澤 和宏竹花慶紀田中章浩木下健太郎岸田 悟鳥取大NC2015-80
ハードカーネルで再構成された画像のMTF(Modulation Transfer Function)測定法を確立するため... [more] NC2015-80
pp.59-63
MBE, NC
(併催)
2016-03-23
11:15
東京 玉川大学 フリッカー値を用いた中枢性疲労の測定
福永 匠藤原直樹井上涼太田中章浩木下健太郎岸田 悟鳥取大NC2015-101
本研究で提案する疲労測定システムは,疲労生成部,データ収集部,データ処理部,評価部の4つのユニットで構成される.フリッカ... [more] NC2015-101
pp.185-188
SDM, EID
(共催)
2014-12-12
17:15
京都 京都大学 二元系遷移金属酸化物メモリにおける抵抗変化ドライビングフォースの検討
小石遼介森山拓洋木村康平河野公紀宮下英俊李 相錫岸田 悟木下健太郎鳥取大EID2014-37 SDM2014-132
抵抗変化型メモリ (ReRAM)の抵抗スイッチング現象は酸素欠損(Vo)で構成される導電性フィラメントの生成/断裂によっ... [more] EID2014-37 SDM2014-132
pp.125-128
SDM, EID
(共催)
2014-12-12
17:45
京都 京都大学 抵抗変化メモリ(ReRAM)における導電性パス生成機構の検討 ~ 第一原理計算手法を用いたNiOの様々な面方位の表面状態解析 ~
森山拓洋鳥取大)・山崎隆浩大野隆央物質・材料研究機構)・岸田 悟木下健太郎鳥取大EID2014-39 SDM2014-134
抵抗変化メモリ(ReRAM)の実用化において, 遷移金属酸化物(TMO)内に生成される導電性パスの物性解明が必須である.... [more] EID2014-39 SDM2014-134
pp.135-138
SDM 2013-12-13
14:10
奈良 奈良先端科学技術大学院大学 [招待講演]抵抗変化メモリにおける動作特性制御法としての「細孔エンジニアリング」の提案
木下健太郎鳥取大/TEDREC)・長谷川 祥鳥取大
我々はCu/HfO2/PtのConducting-Bridge Random Access Memory (CB-RAM... [more]
SDM 2013-12-13
14:40
奈良 奈良先端科学技術大学院大学 Cu/HfO2/Pt構造CB-RAMの動作特性に対する溶媒置換の影響
長谷川 祥榎本雄太郎片田直伸伊藤敏幸岸田 悟木下健太郎鳥取大SDM2013-129
導電性ブリッジ型Random Access Memory (CB-RAM)のメモリ層である酸化物多結晶薄膜をナノ多孔質体... [more] SDM2013-129
pp.79-83
SDM 2013-12-13
15:40
奈良 奈良先端科学技術大学院大学 第一原理分子動力学法を用いたConducting-Bridge Memory (CB-RAM)における金属拡散機構の解明
由良 翔鳥取大)・山崎隆浩物質・材料研究機構)・中田謙吾石井 晃鳥取大)・岸田 悟木下健太郎鳥取大/TEDREC
 [more]
SDM 2013-12-13
16:00
奈良 奈良先端科学技術大学院大学 遷移金属酸化物抵抗変化メモリのデータリテンション特性
吉原幹貴緒方涼介村山直寛鳥取大)・岸田 悟木下健太郎鳥取大/TEDREC
 [more]
SDM 2012-12-07
16:15
京都 京都大学(桂) HfO2-Conducting-Bridge memoryにおけるリセットパラメータの相関関係
鶴田茂之木下健太郎長谷川 祥榎本優太郎岸田 悟鳥取大SDM2012-135
新規の不揮発性メモリやスイッチング素子として期待されるConducting Bridge memory (CB-RAM)... [more] SDM2012-135
pp.119-122
SDM 2012-12-07
16:30
京都 京都大学(桂) 微細領域に閉じ込められたReRAMフィラメントのメモリ特性
高 相圭木下健太郎福原貴博澤居優圭岸田 悟鳥取大SDM2012-136
抵抗変化型メモリ(ReRAM)実用化の観点から微細セルのメモリ特性を明らかにすることが重要である. しかし, 実際にRe... [more] SDM2012-136
pp.123-127
ICD 2011-04-19
15:00
兵庫 神戸大学 瀧川記念館 HfO2-CB-RAMの基本メモリ特性
鶴田茂之木下健太郎中林竜也岸田 悟鳥取大ICD2011-17
新規の不揮発性メモリやスイッチング素子として期待されるCB-RAM (Conducting Bridge Random ... [more] ICD2011-17
pp.93-97
ICD 2011-04-19
15:25
兵庫 神戸大学 瀧川記念館 原子間力顕微鏡を用いたReRAMフィラメントの物性解析
依田貴稔木下健太郎岸田 悟鳥取大)・荻原俊弥岩井秀夫福島 整田沼繁夫物質・材料研究機構ICD2011-18
 [more] ICD2011-18
pp.99-104
ICD 2011-04-19
15:50
兵庫 神戸大学 瀧川記念館 ペロブスカイト酸化物系ReRAMのスイッチングメカニズム
花田明紘木下健太郎松原勝彦福原貴博岸田 悟鳥取大ICD2011-19
我々は銅酸化物高温超伝導体Bi2Sr2CaCu2O8+δ(Bi-2212)バルク単結晶を用いて, Al / Bi-221... [more] ICD2011-19
pp.105-109
ICD 2011-04-19
16:15
兵庫 神戸大学 瀧川記念館 二元系遷移金属酸化物ReRAMにおける各抵抗状態の相関関係の分析
田中隼人木下健太郎岸田 悟鳥取大ICD2011-20
抵抗変化型メモリ(ReRAM)は, 次世代不揮発性メモリとして期待されている. ReRAMの実用化に向けてリセット(低抵... [more] ICD2011-20
pp.111-116
 32件中 1~20件目  /  [次ページ]  
ダウンロード書式の初期値を指定してください NEW!!
テキスト形式 pLaTeX形式 CSV形式 BibTeX形式
著作権について : 以上の論文すべての著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)


[研究会発表申込システムのトップページに戻る]

[電子情報通信学会ホームページ]


IEICE / 電子情報通信学会