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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
ED, MW
(共催)
2020-01-31
16:00
東京 機械振興会館 地下3階6号室 注入ゲート導入型ノーマリオフFloating Gate GaN HEMTの動作原理と構造
南雲謙志木本大幾諏訪智之東北大)・寺本章伸広島大)・白田理一郎高谷信一郎国立交通大)・黒田理人須川成利東北大ED2019-104 MW2019-138
ノーマリオフを達成する構造として従来のFloating Gate型に新たに電荷注入用の注入ゲートを設けた構造のGaN高電... [more] ED2019-104 MW2019-138
pp.55-58
SDM 2017-10-25
14:50
宮城 東北大学未来研 局所的ストレス誘起ゲートリーク電流の統計的分布の解析とSi表面平坦化工程による低減
朴 賢雨・○黒田理人後藤哲也諏訪智之寺本章伸木本大幾須川成利東北大SDM2017-51
3種の異なるゲートサイズを有する多数のnMOSトランジスタのストレス誘起ゲートリーク電流(Stress Induced ... [more] SDM2017-51
pp.9-14
SDM 2015-10-29
16:00
宮城 東北大学未来研 原子オーダー平坦なゲート絶縁膜/シリコン界面を導入したMOSFETの電気的特性
後藤哲也黒田理人諏訪智之寺本章伸小原俊樹木本大幾須川成利東北大)・鎌田 浩熊谷勇喜渋沢勝彦ラピスセミコンダクタ宮城SDM2015-74
シリコン表面原子オーダー平坦化技術を,テクノロジーノード0.22umのshallow trench isolation ... [more] SDM2015-74
pp.17-22
SDM 2014-10-16
14:50
宮城 東北大学未来研 シリコン表面原子オーダー平坦化技術のSTIプロセス工程への導入
後藤哲也黒田理人赤川直矢諏訪智之寺本章伸李 翔小原俊樹木本大幾須川成利大見忠弘東北大)・熊谷勇喜鎌田 浩渋沢勝彦ラピスセミコンダクタ宮城SDM2014-85
シリコン表面原子オーダー平坦化技術を,テクノロジーノード0.22mのshallow trench iso... [more] SDM2014-85
pp.7-12
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