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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM 2021-11-12
09:30
ONLINE オンライン開催 [招待講演]炭素欠陥制御に基づくSiC/SiO2界面の高品質化
小林拓真京大/東工大)・奥田貴史立木馨大伊藤滉二京大)・松下雄一郎東工大)・木本恒暢京大SDM2021-60
SiC MOSFETは電力変換用のパワーデバイスとして有望である。しかしSiC/SiO$_2$界面の高密度欠陥に起因した... [more] SDM2021-60
pp.38-42
EID, SDM
(共催)
ITE-IDY
(連催) [詳細]
2020-12-02
15:00
ONLINE オンライン開催 TiN電極を用いたTa2O5-ReRAM素子におけるデジタルおよびアナログ抵抗変化の共存
山田和尚木本恒暢京大)・西 佑介京大/舞鶴高専EID2020-11 SDM2020-45
本研究では、Ni/Ta2O5/TiN積層構造を有する素子の抵抗変化現象について調べた.同一の素子において、異なる二種類の... [more] EID2020-11 SDM2020-45
pp.42-45
SDM, ED, CPM
(共催)
2017-05-26
09:55
愛知 名古屋大学VBLベンチャーホール (3F) 水溶液浸漬による4H-SiC(0001)Si面における表面再結合の抑制
加藤正史市川義人市村正也名工大)・木本恒暢京大ED2017-24 CPM2017-10 SDM2017-18
表面再結合はバイポーラSiCデバイスおよびSiC光触媒の性能に影響する因子の一つであるが、その速度を制御する手法は十分に... [more] ED2017-24 CPM2017-10 SDM2017-18
pp.51-54
CPM, LQE, ED
(共催)
2016-12-12
14:40
京都 京大桂キャンパス ラマン散乱分光法および赤外反射分光法によるGaN自立基板の評価
鐘ヶ江一孝金子光顕木本恒暢堀田昌宏須田 淳京大ED2016-61 CPM2016-94 LQE2016-77
1016~1020 cm-3の範囲でドーピングされたn型GaN自立基板に対してラマン散乱分光および赤外反射分光を行った。... [more] ED2016-61 CPM2016-94 LQE2016-77
pp.21-26
SDM, EID
(共催)
2016-12-12
14:45
奈良 奈良先端科学技術大学院大学 p型SiCの電気化学エッチングにおけるエッチングモード制御によるピットの低減
榎薗太郎木本恒暢須田 淳京大EID2016-22 SDM2016-103
電気化学エッチングは、p型SiCのみをエッチングする手法である。電解液/SiC界面においてSiCが正孔により酸化され、生... [more] EID2016-22 SDM2016-103
pp.59-62
EID, SDM
(共催)
2015-12-14
11:45
京都 龍谷大学 響都ホール 校友会館 NiOを用いたReRAMにおけるフォーミング特性の分布
西 佑介木本恒暢京大EID2015-12 SDM2015-95
 [more] EID2015-12 SDM2015-95
pp.13-17
SDM, EID
(共催)
2014-12-12
10:00
京都 京都大学 長方形断面Geナノワイヤの正孔移動度の断面形状およびサイズ依存性
田中 一森 誠悟森岡直也須田 淳木本恒暢京大EID2014-13 SDM2014-108
原子論的な手法である強束縛(Tight Binding)近似法と原子価力場(Valence Force Field)モデ... [more] EID2014-13 SDM2014-108
pp.1-6
SDM, EID
(共催)
2014-12-12
10:15
京都 京都大学 pチャネルSiナノワイヤMOSFETの移動度の結晶方位および断面形状依存性
藤原寛朗森岡直也田中 一須田 淳木本恒暢京大EID2014-14 SDM2014-109
幅の異なる長方形断面を持つ $langle$100$rangle$,$langle$110$rangle$,$langl... [more] EID2014-14 SDM2014-109
pp.7-11
SDM, EID
(共催)
2014-12-12
16:45
京都 京都大学 4H-SiC BJTの電流増幅率の温度依存性
浅田聡志奥田貴史木本恒暢須田 淳京大EID2014-35 SDM2014-130
本研究では、4H-SiC バイポーラトランジスタにおける電流増幅率の温度依存性を140-460 Kの範囲で測定した。増幅... [more] EID2014-35 SDM2014-130
pp.115-118
SDM, EID
(共催)
2014-12-12
17:30
京都 京都大学 NiOを用いたReRAMのセミフォーミング後における抵抗スイッチング特性
篠倉弘樹西 佑介岩田達哉木本恒暢京大EID2014-38 SDM2014-133
我々はこれまで,NiOを用いた抵抗変化型メモリ(ReRAM)において,NiO堆積時の酸素流量を適切に調節することでフォー... [more] EID2014-38 SDM2014-133
pp.129-134
SDM 2013-12-13
16:40
奈良 奈良先端科学技術大学院大学 長方形断面Geナノワイヤの電子移動度の断面形状およびサイズ依存性
田中 一森 誠悟森岡直也須田 淳木本恒暢京大SDM2013-131
強束縛(Tight Binding)近似法と原子価力場(Valence Force Field)モデルを用いて,長方形断... [more] SDM2013-131
pp.91-96
SDM 2013-12-13
17:20
奈良 奈良先端科学技術大学院大学 コンダクタンス法を用いた面方位の異なるSiC MOS構造の界面準位の評価
中澤成哉南園悠一郎須田 淳木本恒暢京大SDM2013-133
4H-SiC (0001) MOS界面には応答速度の著しく異なる2種類の界面準位が存在することが確認されている. 本研究... [more] SDM2013-133
pp.101-105
SDM 2013-06-18
15:30
東京 機械振興会館 [依頼講演]SiCパワーMOSFET向け高誘電率ゲート絶縁膜技術
細井卓治阪大)・東雲秀司柏木勇作保坂重敏東京エレクトロン)・中村亮太中野佑紀浅原浩和中村 孝ローム)・木本恒暢京大)・志村考功渡部平司阪大SDM2013-59
 [more] SDM2013-59
pp.77-80
SDM 2012-12-07
10:00
京都 京都大学(桂) 超高耐圧SiC PiNダイオードの作製と低オン抵抗化
梶 直樹丹羽弘樹須田 淳木本恒暢京大SDM2012-115
超高耐圧SiCバイポーラデバイス実現には、接合終端構造の設計が重要になる。本研究では、当グループが提案した空間変調型Ju... [more] SDM2012-115
pp.1-5
SDM 2012-12-07
16:45
京都 京都大学(桂) 金属/TiO2/金属積層構造の抵抗スイッチング特性に対する電極材料の影響
沖元直樹岩田達哉西 佑介木本恒暢京大SDM2012-137
上部電極/TiO$_2$/Pt積層構造において、上部電極材料が抵抗スイッチング現象に与える影響について調べた。上部電極と... [more] SDM2012-137
pp.129-132
SDM 2011-12-16
11:00
奈良 奈良先端科学技術大学院大学 接合終端構造の改良による15kV級SiC PiNダイオードの実現
丹羽弘樹馮 淦須田 淳木本恒暢京大SDM2011-135
様々な接合終端構造を有する4H-SiC PiNダイオードを作製し、その耐圧特性を評価した。その結果two-zone JT... [more] SDM2011-135
pp.17-21
SDM 2011-12-16
16:20
奈良 奈良先端科学技術大学院大学 長方形断面Siナノワイヤの伝導帯構造の断面形状およびサイズ依存性
森 誠悟森岡直也須田 淳木本恒暢京大SDM2011-146
強束縛近似法を用いて,長方形断面を有する[001]および[110]Siナノワイヤの伝導帯構造を計算し,断面形状の違いによ... [more] SDM2011-146
pp.77-82
SDM 2011-12-16
17:00
奈良 奈良先端科学技術大学院大学 抵抗変化型メモリ用Pt/NiO/Pt素子におけるフィラメント形成領域の特定とその評価
岩田達哉西 佑介木本恒暢京大SDM2011-148
 [more] SDM2011-148
pp.87-92
LQE, ED, CPM
(共催)
2011-11-17
10:05
京都 京都大学桂キャンパス 桂ホール 分子線エピタキシ法による6H-SiC(0001)基板上へのAlN/GaN短周期超格子のコヒーレント成長
菊地諒介奥村宏典木本恒暢須田 淳京大ED2011-73 CPM2011-122 LQE2011-96
本研究室ではこれまで、SiC基板のステップ高さ制御、AlN層成長直前のGa先行照射を行い、窒素プラズマ点灯と同時に成長を... [more] ED2011-73 CPM2011-122 LQE2011-96
pp.1-4
LQE, ED, CPM
(共催)
2011-11-17
14:50
京都 京都大学桂キャンパス 桂ホール 様々なバンド不連続を有するAlGaN/SiCヘテロ接合バイポーラトランジスタの電流輸送機構
奥田貴史三宅裕樹木本恒暢須田 淳京大ED2011-81 CPM2011-130 LQE2011-104
 [more] ED2011-81 CPM2011-130 LQE2011-104
pp.39-42
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