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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
VLD, DC, RECONF, ICD, IPSJ-SLDM
(連催)
(併催) [詳細]
2021-12-02
09:20
ONLINE オンライン開催 メムキャパシタを用いたスパイキングニューラルネットワークの開発 ~ シナプス強度とキャパシタンスの変換方式改善による認識精度のロス低減 ~
澤田篤志押尾怜穏木村 睦張 任遠中島康彦奈良先端大VLD2021-32 ICD2021-42 DC2021-38 RECONF2021-40
人工知能に関する研究が急速に発展しており、人工知能の動作に特化した、低消費電力を可能とするコンピュータの開発の必要性が高... [more] VLD2021-32 ICD2021-42 DC2021-38 RECONF2021-40
pp.87-92
CPSY, DC
(共催)
IPSJ-ARC
(連催) [詳細]
2021-07-21
16:15
ONLINE オンライン開催 メムキャパシタを用いたスパイキングニューラルネットワークの開発
澤田篤志押尾怜穏野村武司張 任遠木村 睦中島康彦奈良先端大CPSY2021-11 DC2021-11
近年、機械学習の高性能化に伴い消費電力の増加が問題となっている。ニューロモルフィックシステムのうち特にスパイキングニュー... [more] CPSY2021-11 DC2021-11
pp.59-63
EID, SDM
(共催)
ITE-IDY
(連催) [詳細]
2020-12-02
10:00
ONLINE オンライン開催 アモルファス酸化物半導体メモリスタの特性測定自動化とその効果
角田 涼倉崎彩太木村 睦龍谷大EID2020-1 SDM2020-35
 [more] EID2020-1 SDM2020-35
pp.1-4
EID, SDM
(共催)
ITE-IDY
(連催) [詳細]
2020-12-02
10:15
ONLINE オンライン開催 薄膜デバイスを用いた人工網膜の生体環境模倣実験
内藤直矢豊田航平龍谷大)・岡野仁夫ウェトラブ)・木村 睦龍谷大EID2020-2 SDM2020-36
 [more] EID2020-2 SDM2020-36
pp.5-8
EID, SDM
(共催)
ITE-IDY
(連催) [詳細]
2020-12-02
10:30
ONLINE オンライン開催 非結晶Ga-Sn-O薄膜熱電変換素子の特性評価
山本佑平荒牧達也伊藤 良木村 睦龍谷大EID2020-3 SDM2020-37
工場や自動車、PC などから発生する排熱の多くは未利用の状態である.
熱電変換素子はその熱エネルギーを電気エネルギーに... [more]
EID2020-3 SDM2020-37
pp.9-12
EID, SDM
(共催)
ITE-IDY
(連催) [詳細]
2020-12-02
11:25
ONLINE オンライン開催 IGZO薄膜を利用したシナプス素子の積層クロスポイントメモリ
岩城江津子龍谷大)・津野拓海奈良先端大)・木村 睦龍谷大EID2020-4 SDM2020-38
高集積化が容易な酸化物半導体を用いることでハードウェアによる大規模なニューラルネットワークの構築を目標とした研究,開発を... [more] EID2020-4 SDM2020-38
pp.13-16
EID, SDM
(共催)
ITE-IDY
(連催) [詳細]
2020-12-02
11:40
ONLINE オンライン開催 ニューラルネットワーク用強誘電体薄膜の誘電特性評価
石崎勇真梅村浩輝松川大毅木村 睦龍谷大)・徳光永輔北陸先端大)・羽賀健一土井利浩三菱マテリアルEID2020-5 SDM2020-39
ニューロモーフィックシステムは、ニューロンとシナプスの要素を実装するハードウェアレベルの生体模擬システムであり、低消費電... [more] EID2020-5 SDM2020-39
pp.17-20
EID, SDM
(共催)
ITE-IDY
(連催) [詳細]
2020-12-02
11:55
ONLINE オンライン開催 STDP学習側を用いた酸化物半導体薄膜シナプス素子の検討
片桐徹也山川大樹谷内田健太森垣和樹木村 睦龍谷大EID2020-6 SDM2020-40
ニューロモルフィックハードウェアは現在のノイマン型コンピュータ上で実行される人工知能(Artificial Intell... [more] EID2020-6 SDM2020-40
pp.21-24
EID, SDM
(共催)
ITE-IDY
(連催) [詳細]
2020-12-02
12:10
ONLINE オンライン開催 IGZO薄膜シナプスを用いた脳型システム
大西祐輝柴山友輝山川大樹龍谷大)・池田裕哉中島康彦奈良先端大)・木村 睦龍谷大/奈良先端大EID2020-7 SDM2020-41
ニューラルネットワークは、将来のエレクトロニクス技術として積極的に研究されてきた。しかし、ノイマン型の算術処理法では大量... [more] EID2020-7 SDM2020-41
pp.25-28
EID, SDM
(共催)
ITE-IDY
(連催) [詳細]
2020-12-02
15:20
ONLINE オンライン開催 Ga-Sn-O薄膜を用いた二層構造ReRAMの最適化
倉崎彩太橋本快斗角田 涼赤根詩穂里牧岡大輔杉崎澄生木村 睦龍谷大EID2020-12 SDM2020-46
 [more] EID2020-12 SDM2020-46
pp.46-49
EID, SDM
(共催)
ITE-IDY
(連催) [詳細]
2020-12-02
15:35
ONLINE オンライン開催 Cu2GeTe3を用いた相変化メモリ
赤根詩穂里龍谷大)・堀内 功KOA)・木村 睦龍谷大EID2020-13 SDM2020-47
我々は「Cu2GeTe3:銅・ゲルマニウム・テルル(CGT)」を用いた相変化メモリ(PCRAM)についての研究を行なって... [more] EID2020-13 SDM2020-47
pp.50-53
EID, SDM
(共催)
ITE-IDY
(連催) [詳細]
2020-12-02
16:30
ONLINE オンライン開催 酸化物半導体Ga-Sn-Oを用いた強誘電体ゲート薄膜トランジスタ
福井智貴中川滉貴木村 睦龍谷大EID2020-14 SDM2020-48
本研究では半導体層にアモルファスの酸化物半導体Ga-Sn-O(GTO)、絶縁膜層に強誘電体である(Bi,La)₄Ti₃O... [more] EID2020-14 SDM2020-48
pp.54-57
SDM, EID
(共催)
ITE-IDY
(連催) [詳細]
2019-12-24
13:45
奈良 奈良先端大(物質領域 大講義室) ミストCVD法によるGa-Sn-O薄膜を用いたメモリスタ開発
小林雅樹杉崎澄生木村 睦龍谷大
 [more]
SDM, EID
(共催)
ITE-IDY
(連催) [詳細]
2019-12-24
14:05
奈良 奈良先端大(物質領域 大講義室) Al2O3絶縁膜上に作製したGa-Sn-O TFT
服部一輝谷野健太松田時宜木村 睦龍谷大)・川原村敏幸高知工科大
 [more]
SDM, EID
(共催)
ITE-IDY
(連催) [詳細]
2019-12-24
14:45
奈良 奈良先端大(物質領域 大講義室) 薄膜デバイスを用いた人工網膜の生体外実験
豊田航平冨岡圭佑三澤慶悟内藤直矢木村 睦龍谷大
 [more]
SDM, EID
(共催)
ITE-IDY
(連催) [詳細]
2019-12-24
15:05
奈良 奈良先端大(物質領域 大講義室) :ニューラルネットワークのための多層クロスポイント型シナプス素子
津野拓海近藤厚志新村純平田中 遼山川大樹柴山友輝岩城江津子木村 睦龍谷大
 [more]
SDM, EID
(共催)
ITE-IDY
(連催) [詳細]
2019-12-24
16:20
奈良 奈良先端大(物質領域 大講義室) 2段階堆積プロセスを用いた(Bi,La)4Ti3O12薄膜の結晶成長
吉田 誉石崎勇真宮部雄太木村 睦龍谷大
 [more]
SDM, EID
(共催)
ITE-IDY
(連催) [詳細]
2019-12-24
16:40
奈良 奈良先端大(物質領域 大講義室) Ga-Sn-O薄膜を用いた抵抗変化型メモリの電極依存性
橋本快人倉崎彩太田中 遼杉崎澄生角田 涼木村 睦龍谷大
 [more]
SID-JC, IEIJ-SSL
(共催)
EID, ITE-IDY
(連催) [詳細]
2019-07-16
10:00
東京 機械振興会館 地下2階 ホール [依頼講演]Display Week 2019 全体概要の報告
木村 睦龍谷大
 [more]
EID, SDM
(共催)
ITE-IDY
(連催) [詳細]
2018-12-25
11:30
京都 龍谷大学 響都ホール 校友会館 Ga-Sn-O薄膜を用いた二層構造抵抗変化型メモリの開発
倉崎彩太杉崎澄生田中 遼木村 睦龍谷大
 [more]
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