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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
ED, MWPTHz
(共催)
2023-12-22
11:05
宮城 東北大・通研
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
三次元整流効果を導入したグラフェンレクテナFETによる高感度THz波検出の提案
関 宏信内ケ崎新之介田村紘一唐 超佐藤 昭吹留博一東北大)・末光哲也NICHe)・内野 俊東北工大)・瀧田悠馬南出泰亜理研)・尾辻泰一東北大ED2023-64 MWPTHz2023-74
超スマート社会の実現に向けて、5G を超える次世代の高速・大容量無線通信技術が求められている。そのために、THz 帯の電... [more] ED2023-64 MWPTHz2023-74
pp.52-57
ED, MWPTHz
(共催)
2022-12-19
17:10
宮城 東北大学・電気通信研究所 光サブキャリア信号高強度化によるUTC-PD集積HEMT光ダブルミキサ変換利得の向上
渡邊光貴中嶋 大林 宗澤西村和樹尾辻泰一末光哲也葛西恵介吉田真人佐藤 昭東北大ED2022-78 MWPTHz2022-49
次世代Beyond 5Gの実現には、光通信ネットワークと無線通信ネットワークをシームレスかつ低遅延・超低消費電力に接続す... [more] ED2022-78 MWPTHz2022-49
pp.34-37
ED, THz
(共催)
2021-12-20
13:00
宮城 東北大学・電気通信研究所
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
[招待講演]光通信-Beyond 5G無線通信間キャリアダウンコンバージョンデバイスの新展開
佐藤 昭中嶋 大西村和樹細谷友崇岩月勝美末光哲也葛西恵介吉田真人尾辻泰一東北大ED2021-48
次世代Beyond 5Gの実現には、光通信ネットワークと無線通信ネットワークをシームレスかつ低遅延・超低消費電力に接続す... [more] ED2021-48
pp.1-5
MW, ED
(共催)
2021-01-29
14:50
ONLINE オンライン開催 InGaAs HEMT寄生抵抗抽出高精度化の検討
谷口慶伍東京理科大)・細谷友崇東北大)・楳田洋太郎高野恭弥東京理科大)・末光哲也佐藤 昭東北大ED2020-35 MW2020-88
本稿では、高電子移動度トランジスタ(HEMT)の寄生抵抗を高精度に抽出する新しい方法を提案する。従来の抽出方法では, 寄... [more] ED2020-35 MW2020-88
pp.38-43
ED, THz
(共催)
2018-12-18
10:05
宮城 東北大・通研 格子ゲート構造プラズモニックTHzディテクタの偏光特性制御のための二次元ナノアンテナ導入
鈴木雅也細谷友崇末光哲也東北大)・瀧田佑馬伊藤弘昌南出泰亜理研)・尾辻泰一佐藤 昭東北大ED2018-64
 [more] ED2018-64
pp.43-46
ED, THz
(共催)
2017-12-19
10:05
宮城 東北大通研ナノ・スピン棟 InP-HEMTによる光-ミリ波帯キャリア周波数下方変換
大森雄也細谷友崇尾辻泰一岩月勝美末光哲也東北大)・日隈 薫市川潤一郎住友大阪セメント)・坂本高秀山本直克NICT)・佐藤 昭東北大ED2017-83
 [more] ED2017-83
pp.41-45
SDM, ED, CPM
(共催)
2017-05-26
10:45
愛知 名古屋大学VBLベンチャーホール (3F) N-polar GaN MIS-HEMTs with Flat Interface Grown by Optimized MOVPE
Kiattiwut PrasertsukTomoyuki TanikawaTakeshi KimuraShigeyuki KuboyaTetsuya SuemitsuTakashi MatsuokaTohoku Univ.ED2017-26 CPM2017-12 SDM2017-20
 [more] ED2017-26 CPM2017-12 SDM2017-20
pp.59-64
ED 2016-12-19
16:30
宮城 東北大通研ナノ・スピン棟 直列アレイ化とレンズ集積による非対称二重格子ゲート高電子移動度トランジスタのテラヘルツ波受光効率向上
細谷友崇糟谷文月谷口弘樹渡辺隆之末光哲也尾辻泰一東北大)・瀧田佑馬伊藤弘昌南出泰亜理研)・石橋忠夫NTTエレクトロニクステクノ)・清水 誠NEL)・佐藤 昭東北大ED2016-84
室温動作可能、高速応答可能なテラヘルツ受光デバイスとして、非対称二重格子ゲート高電子移動度トランジスタ(ADGG-HEM... [more] ED2016-84
pp.23-28
CS, OCS
(併催)
2016-01-22
09:50
鹿児島 鹿児島大学 稲盛アカデミー(郡元キャンパス) 次世代フルコヒーレントアクセスネットワークに向けたグラフェンチャネルFET及びInP系HEMTによるサブテラヘルツ帯光電子融合周波数変換
菅原健太玉虫 元アドリアン ドブロユ吉田智洋末光哲也吹留博一末光眞希リズィー ビクトール岩月勝美東北大)・桑野 茂可児淳一寺田 純NTT)・尾辻泰一東北大OCS2015-95
グラフェンチャネルFET(G-FET),及びInP系高電子移動度トランジスタ(HEMT)を試作し,それらトランジスタを用... [more] OCS2015-95
pp.41-46
WPT, MW
(共催)
2015-04-16
15:25
東京 機械振興会館 InGaAs HEMTを用いた60GHz帯リアクティブ負帰還F級電力増幅器の設計
渡邊邦彦楳田洋太郎東京理科大)・吉田智洋末光哲也東北大WPT2015-4 MW2015-4
本報告では,InGaAs HEMTを用いて入出力整合回路を備えた60GHz帯モノリシックF級電力増幅器の設計について述べ... [more] WPT2015-4 MW2015-4
pp.15-19
ED 2014-12-22
14:10
宮城 東北大学電気通信研究所 片平北キャンパス ナノ・スピン総合研究棟 InGaAsチャネルHEMT及びグラフェンチャネルFETを用いたミリ波帯フォトミキシング
川崎鉄哉吉田智洋菅原健太Adrian Dobroiu渡辺隆之杉山弘樹若生洋由希東北大)・可児淳一寺田 純桑野 茂NTT)・吾郷浩樹河原憲治九大)・岩月勝美末光哲也尾辻泰一東北大ED2014-100
InGaAsチャネル高電子移動度トランジスタ(HEMT)、及びグラフェンチャネルFETを用いて、差周波12.5~37.5... [more] ED2014-100
pp.9-13
ED 2014-12-23
10:05
宮城 東北大学電気通信研究所 片平北キャンパス ナノ・スピン総合研究棟 非対称二重格子ゲート高電子移動度トランジスタを用いたプラズモニックテラヘルツ検出の広帯域特性
佐藤 昭ステファン ボーバンガ トムベット渡辺隆之川﨑鉄哉末光哲也東北大)・デニス ファティエフヴャチェスラフ ポポフコテルニコフ無線電子工学研(サラトフ支部))・南出泰亜伊藤弘昌理研)・ドミニク コキラヴォイチェック クナップモンペリエ第二大)・ギローム ドュコーナマイクロエレクトロニクス研)・尾辻泰一東北大ED2014-109
非対称二重格子ゲート高電子移動度トランジスタを用いたテラヘルツ検出について、測定された検出感度の広帯域特性を理論と比較す... [more] ED2014-109
pp.63-67
MW 2014-03-05
14:45
愛媛 愛媛大学 InGaAs系HEMTを用いた60GHz帯F級増幅器の設計
小山雅史岸 俊樹楳田洋太郎東京理科大)・吉田智洋末光哲也東北大MW2013-220
 [more] MW2013-220
pp.133-138
ED 2013-12-17
14:10
宮城 東北大通研 非対称二重回折格子状ゲート構造HEMTによる超高感度・周波数選択制テラヘルツ波検出
川崎鉄哉畠山信也栗田裕記東北大)・Guillaume DucournauIEMN)・Dominique CoquillatUniv. Montpellier 2 & CNRS)・小林健悟佐藤 昭東北大)・Yahya M. MezianiUniv. Salamanca)・Vyacheslav. V. PopovKotelnikov Inst. Radio Eng. Electron)・Wojciech KnapUniv. Montpellier 2 & CNRS)・末光哲也尾辻泰一東北大ED2013-107
我々は、二次元プラズモン流体非線形性を検出原理とする、独自の非対称二重格子状ゲート構造を有するHEMT(Asymmetr... [more] ED2013-107
pp.97-100
MW, ED
(共催)
2013-01-18
14:55
東京 機械振興会館 SiCNゲート絶縁膜を用いたAlGaN/GaN MISゲートHEMT
小林健悟吉田智洋尾辻泰一片山竜二松岡隆志末光哲也東北大ED2012-126 MW2012-156
HMDSを反応ガスとするPECVDにより堆積したSiCNゲート絶縁膜を導入したAlGaN/GaN MISゲート高電子移動... [more] ED2012-126 MW2012-156
pp.75-78
MW, ED
(共催)
2013-01-18
15:20
東京 機械振興会館 多層SiCN鋳型を用いたT型ゲート電極を用いたInGaAs HEMT
吉田智洋小林健悟尾辻泰一末光哲也東北大ED2012-127 MW2012-157
ミリ波帯応用を目指したIII-V系化合物半導体FETにおいては,短ゲート化に伴うゲート抵抗増大への対策としてT型ゲート電... [more] ED2012-127 MW2012-157
pp.79-84
ED 2012-07-27
11:50
福井 福井大学 文京キャンパス産学官連携本部3F研修室 ダイヤモンドライクカーボン絶縁膜を用いたグラフェンFET
鷹林 将楊 猛小川修一林 広幸栗田裕記高桑雄二末光哲也尾辻泰一東北大ED2012-53
ダイヤモンドライクカーボン(DLC)トップゲート絶縁膜を有するグラフェンチャネル電界効果トランジスタ(DLC-GFET)... [more] ED2012-53
pp.67-72
ED, SDM
(共催)
2010-06-30
14:50
東京 東工大 大岡山キャンパス [招待講演]グラフェンチャネルFET:新たな高速デバイスの可能性
末光哲也東北大ED2010-67 SDM2010-68
グラフェンとは単層のグラファイトを意味し,現在最も盛んである研究領域の一つである.これはグラフェンが高いキャリア移動度を... [more] ED2010-67 SDM2010-68
pp.69-72
ED 2009-11-30
09:50
大阪 大阪科学技術センター プラズモン共鳴型エミッタのマルチチップ動作によるテラヘルツ分光測定
渡辺隆之小森常義末光哲也尾辻泰一東北大ED2009-168
我々は、半導体へテロ接合界面の二次元電子プラズモン共鳴を利用したテラヘルツ光源として、テラヘルツ光の放射効率を高めるため... [more] ED2009-168
pp.47-51
SDM, ED
(共催)
2009-02-26
13:30
北海道 北海道大学 [招待講演]Si基板上に形成したエピタキシャルグラフェンとその電子デバイス応用
尾辻泰一末光哲也姜 顯澈唐澤宏美宮本 優半田浩之末光眞希東北大)・佐野栄一北大)・リズィー マキシムリズィー ヴィクトール会津大ED2008-224 SDM2008-216
Si基板上にエピタキシャル成長したグラフェンとその電子デバイス応用について研究状況を紹介する.グラフェンの形成技術として... [more] ED2008-224 SDM2008-216
pp.1-6
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