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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
ED 2013-04-19
11:35
宮城 東北大学電通研 片平北キャンパス ナノ・スピン総合研究棟4階 カンファレンスルーム Ar雰囲気下高温アニールによる6H-SiC(0001)面上高品質エピタキシャルグラフェン形成
舩窪一智猪俣州哉佐藤 良朴 君昊東北大)・小嗣真人高輝度光科学研究センター)・吹留博一末光真希東北大ED2013-15
Si代替FETチャネル材料として高移動度の新素材グラフェンが近年注目されている。しかし、現在報告されているグラフェンFE... [more] ED2013-15
pp.59-62
CPM 2012-10-27
12:15
新潟 まちなかキャンパス長岡 ガスソースMBEによるSi上の高密度Geナノドットの作製と発光特性
姉崎 豊佐藤 魁加藤孝弘加藤有行豊田英之長岡技科大)・末光真希東北大)・中澤日出樹弘前大)・成田 克山形大)・安井寛治長岡技科大CPM2012-111
パルス制御核発生法を用いたガスソースMBE法によりSi(001) -2˚off基板上にGeナノドットを形成し,... [more] CPM2012-111
pp.97-100
CPM 2012-08-08
13:50
山形 山形大学工学部100周年記念会館セミナー室 ガスソースMBE法による高密度Geナノドット/SiC積層構造の作製とその発光特性
姉崎 豊佐藤 魁加藤孝弘加藤有行長岡技科大)・末光真希東北大)・中澤日出樹弘前大)・成田 克山形大)・安井寛治長岡技科大CPM2012-35
 [more] CPM2012-35
pp.11-15
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