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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM | 2014-06-19 11:25 |
愛知 | 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | Ge基板中のAs高効率活性化と低抵抗浅接合形成 ○浜田慎也・村上秀樹・小野貴寛・橋本邦明（広島大）・大田晃生（名大）・花房宏明・東 清一郎（広島大）・宮崎誠一（名大）  SDM2014-48 |
Ge中でのAsの活性化率を向上させるために、Ge(100)に対して基板温度を-100~400°Cに制御してAs+イオン注... [more] | SDM2014-48 pp.27-30 |
| SDM | 2013-06-18 14:15 |
東京 | 機械振興会館 | SiOx/TiO2積層したMIMダイオードにおける抵抗変化特性評価 ○大田晃生（広島大）・福嶋太紀・牧原克典（名大）・村上秀樹・東 清一郎（広島大）・宮崎誠一（名大） SDM2013-56 |
[more] | SDM2013-56 pp.61-66 |
| SDM, ED (共催) (ワークショップ) |
2012-06-28 08:45 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | Evaluation of Chemical Composition and Bonding Features of Pt/SiOx/Pt MIM Diodes and Its Impact on Resistance Switching Behavior ○Akio Ohta（Hiroshima Univ.）・Katsunori Makihara（Nagoya Univ.）・Mitsuhisa Ikeda・Hideki Murakami・Seiichiro Higashi（Hiroshima Univ.）・Seiichi Miyazaki（Nagoya Univ.） |
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| SDM, ED (共催) (ワークショップ) |
2012-06-28 09:45 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | Control of Interfacial Reaction of HfO2/Ge Structure by Insertion of Ta Oxide Layer ○Kuniaki Hashimoto・Akio Ohta・Hideki Murakami・Seiichiro Higashi（Hiroshima Univ.）・Seiichi Miyazaki（Nagoya Univ.） |
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| SDM | 2012-06-21 11:15 |
愛知 | 名古屋大学（ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー） | TaOx層挿入によるHfO2/Ge界面反応制御 ○村上秀樹・三嶋健斗・大田晃生・橋本邦明・東 清一郎（広島大）・宮崎誠一（名大） SDM2012-49 |
[more] | SDM2012-49 pp.33-36 |
| SDM | 2012-06-21 13:55 |
愛知 | 名古屋大学（ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー） | 極薄層挿入によるAl/Ge接合の伝導特性制御 ○大田晃生・松井真史・村上秀樹・東 清一郎（広島大）・宮崎誠一（名大） SDM2012-53 |
[more] | SDM2012-53 pp.53-58 |
| SDM | 2012-06-21 14:45 |
愛知 | 名古屋大学（ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー） | As+イオン注入したゲルマニウム層の化学分析 ○小野貴寛・大田晃生・村上秀樹・東 清一郎（広島大）・宮崎誠一（名大） SDM2012-55 |
[more] | SDM2012-55 pp.63-67 |
| SDM | 2011-07-04 12:00 |
愛知 | 名古屋大学（ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー） | Ge(100)表面の極薄TiOxキャッピングによるHfO2原子層堆積/熱処理時の界面反応制御 ○村上秀樹・藤岡知宏・大田晃生・三嶋健斗・東 清一郎（広島大）・宮崎誠一（名大） SDM2011-58 |
High-k/Ge界面制御手法として、極薄TiO2層の挿入に着目し、塩酸処理したGe(100)表面上へのTiO2の原子層... [more] | SDM2011-58 pp.47-50 |
| SDM | 2011-07-04 14:00 |
愛知 | 名古屋大学（ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー） | 金属/GeO2界面における化学結合状態の光電子分光分析 ○松井真史・藤岡知宏・大田晃生・村上秀樹・東 清一郎（広島大）・宮崎誠一（名大） SDM2011-61 |
熱酸化により形成したGeO2/Ge(100)界面および金属(Al, AuおよびPt)薄膜形成後のGeO2との界面化学結合... [more] | SDM2011-61 pp.63-68 |
| SDM | 2011-07-04 16:20 |
愛知 | 名古屋大学（ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー） | RFスパッタ形成したSi酸化膜を用いたMIMキャパシタの抵抗変化特性 ○大田晃生・後藤優太・西垣慎吾・Guobin Wei・村上秀樹・東 清一郎（広島大）・宮崎誠一（名大） SDM2011-67 |
RFスパッタにより形成したSiOx (厚さ：8~40nm)をPt電極で挟んだMIMキャパシタにおいて、電圧掃引による電流... [more] | SDM2011-67 pp.97-102 |
| ED, SDM (共催) |
2010-06-30 14:55 |
東京 | 東工大 大岡山キャンパス | The Impact of H2 Anneal on Resistive Switching in Pt/TiO2/Pt Structure ○Guobin Wei・Yuta Goto・Akio Ohta・Katsunori Makihara・Hideki Murakami・Seiichiro Higashi・Seiichi Miyazaki（Hiroshima Univ.） ED2010-57 SDM2010-58 |
[more] | ED2010-57 SDM2010-58 pp.31-36 |
| ED, SDM (共催) |
2010-07-02 12:30 |
東京 | 東工大 大岡山キャンパス | Characterization of Mg Diffusion into HfO2/SiO2/Si(100) Stacked Structures and Its Impact on Detect State Densities ○Akio Ohta・Daisuke Kanme・Hideki Murakami・Seiichiro Higashi・Seiichi Miyazaki（Hiroshima Univ.） ED2010-94 SDM2010-95 |
[more] | ED2010-94 SDM2010-95 pp.189-194 |
| SDM | 2010-06-22 11:45 |
東京 | 東京大学（生産研An棟） | Ge MISおよびGe/Metal接合の化学結合状態および電気的特性評価 ○藤岡知宏・板東竜也・大田晃生・村上秀樹・東 清一郎・宮崎誠一（広島大） SDM2010-38 |
[more] | SDM2010-38 pp.27-32 |
| SDM | 2010-06-22 16:50 |
東京 | 東京大学（生産研An棟） | TiO2へのY添加が電子状態および抵抗変化特性に与える影響 ○大田晃生・後藤優太・モハマド ファイルズ カマルザン・尉 国浜・村上秀樹・東 清一郎・宮崎誠一（広島大） SDM2010-47 |
[more] | SDM2010-47 pp.79-84 |
| SDM, ED (共催) |
2009-06-25 12:15 |
海外 | 海雲台グランドホテル（釜山、韓国） | Electrical Detection of Silicon Binding Protein-Protein A Using a p-MOSFET Sensor ○Hideki Murakami・Syed Mahboob・Kiyotaka Katayama・Katsunori Makihara・Mitsuhisa Ikeda・Yumehiro Hata・Akio Kuroda・Seiichiro Higashi・Seiichi Miyazaki（Hiroshima Univ.） ED2009-87 SDM2009-82 |
We have focused on silica binding protein(SBP)-tagged protei... [more] | ED2009-87 SDM2009-82 pp.161-164 |
| SDM | 2009-06-19 14:30 |
東京 | 東京大学（生産研An棟） | 熱酸化および低温プロセスを用いて形成したGeO2/Ge構造の界面サブオキサイドの光電子分光分析 ○村上秀樹・小埜芳和・大田晃生・東 清一郎・宮崎誠一（広島大） SDM2009-36 |
熱酸化および低温プロセスを用いて形成したGeO2/Geの化学結合状態および熱脱離による化学構造変化をX線光電子分光法によ... [more] | SDM2009-36 pp.57-60 |
| SDM | 2009-06-19 17:00 |
東京 | 東京大学（生産研An棟） | TiO2/Pt界面の化学結合および電子状態評価 ○後藤優太・貫目大介・大田晃生・尉 国浜・村上秀樹・東 清一郎・宮崎誠一（広島大） SDM2009-44 |
TiO2を用いた抵抗変化型メモリの動作原理機構解明に向けた取り組みとして、TiO2/Pt界面の酸化・還元反応に着目し、T... [more] | SDM2009-44 pp.99-103 |
| SDM | 2007-12-14 13:30 |
奈良 | 奈良先端科学技術大学院大学 | ミリ秒急速熱処理におけるSiウェハ内温度変化のその場観測 ○古川弘和・東 清一郎・岡田竜弥・加久博隆・村上秀樹・宮崎誠一（広島大） SDM2007-228 |
ミリ秒超急速熱処理(URTA)中のSiウェハ内温度変化を測定する技術を開発した。URTA中のSiウェハに赤外レーザーをプ... [more] | SDM2007-228 pp.27-29 |
| SDM | 2007-06-07 14:45 |
広島 | 広島大学（学士会館） | プラズマCVD SiNx薄膜の深さ方向化学組成および欠陥密度計測 ○三浦真嗣・大田晃生・村上秀樹・東 清一郎・宮崎誠一（広島大）・鴻野真之・西田辰夫・中西敏雄（東京エレクトロン） SDM2007-34 |
Si2H6+NH3およびSi2H6+N2混合ガスのマイクロ波励起プラズマCVDにより、膜中内部応力の異なるシリコン窒化膜... [more] | SDM2007-34 pp.17-22 |
| SDM | 2007-06-08 14:15 |
広島 | 広島大学（学士会館） | 光電子分光法によるHfO2/SiONx/Ge(100)スタック構造の熱的安定性評価 ○大田晃生・中川 博・村上秀樹・東 清一郎・宮崎誠一（広島大） SDM2007-48 |
化学溶液洗浄したp-Ge(100)基板上に、電子ビーム(EB) 蒸着により極薄Si 層を堆積しNH3熱窒化(600°C)... [more] | SDM2007-48 pp.91-96 |
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