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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| ED, MW (共催) |
2012-01-12 14:30 |
東京 | 機械振興会館 | P型障壁制御層を有する大電流・高耐圧GaNマルチジャンクションダイオード ○柴田大輔・海原一裕・村田智洋・山田康博・森田竜夫・按田義治・石田昌宏・石田秀俊・上田哲三・田中 毅・上田大助（パナソニック）  ED2011-137 MW2011-160 |
[more] | ED2011-137 MW2011-160 pp.101-105 |
| ED | 2010-12-17 10:35 |
宮城 | 東北大学 電気通信研究所 | ［招待講演］準ミリ波長距離伝送に向けた低コスト基板上GaNデバイス ○酒井啓之・黒田正行・根来 昇・村田智洋・永井秀一・西嶋将明・按田義治・上田哲三・田中 毅（パナソニック） ED2010-167 |
準ミリ波帯での長距離通信向けの低コスト基板上GaN送受信デバイスを開発した。受信用には高周波特性に優れたサファイア基板を... [more] | ED2010-167 pp.53-58 |
| MW, ED (共催) |
2009-01-16 10:20 |
東京 | 機械振興会館 | In-situ SiNをゲート絶縁膜に用いたAlGaN/GaN MIS-HFET ○黒田正行・村田智洋・中澤敏志・瀧澤俊幸・西嶋将明・柳原 学・上田哲三・田中 毅（パナソニック） ED2008-220 MW2008-185 |
GaN系化合物半導体は大きな絶縁破壊電界と飽和電子速度を有するため、高周波高出力トランジスタとして有望である。AlGaN... [more] | ED2008-220 MW2008-185 pp.125-128 |
| MW | 2008-08-28 14:20 |
大阪 | 大阪大学（豊中） | サファイア基板上準ミリ波帯AlGaN/GaN MMIC ○村田智洋・黒田正行（松下電器）・永井秀一（Panasonic Boston Lab.）・西嶋将明・石田秀俊・柳原 学・上田哲三・酒井啓之・田中 毅（松下電器）・Ming Li（Panasonic Boston Lab.） MW2008-85 |
サファイア基板上にAlGaN/GaN HFETとマイクロストリップ線路からなる整合回路を集積化した準ミリ波帯増幅器MMI... [more] | MW2008-85 pp.37-40 |
| MW | 2008-08-29 16:00 |
大阪 | 大阪大学（豊中） | ［特別講演］2008年IEEE MTT-S国際マイクロ波シンポジウム(IMS2008)出席報告 ○石崎俊雄（松下電器）・土谷 亮（京大）・村田智洋（松下電器）・松本公志（古野電気）・河合 正（兵庫県立大）・下沢充弘（三菱電機） MW2008-102 |
２００８年６月１５日から２０日までジョージア州アトランタでＩＭＳ２００８が開催された。マイクロ波シンポジウム（ＭＴＴ－Ｓ... [more] | MW2008-102 pp.129-134 |
| SDM, ED (共催) |
2008-07-11 14:20 |
北海道 | かでる２・７（札幌） | AlGaN/GaN-based Millimeter Wave Monolithic ICs with Laser-Drilled Via-holes Through Sapphire ○Tomohiro Murata・Masayuki Kuroda（Matsushita Electric Industrial）・Shuichi Nagai（Panasonic Boston Lab.）・Masaaki Nishijima・Hidetoshi Ishida・Manabu Yanagihara・Tetsuzo Ueda・Hiroyuki Sakai・Tsuyoshi Tanaka（Matsushita Electric Industrial）・Ming Li（Panasonic Boston Lab.） ED2008-103 SDM2008-122 |
We present K-band AlGaN/GaN HFET MMIC amplifiers on sapphire... [more] | ED2008-103 SDM2008-122 pp.331-335 |
| ED, SDM, R (共催) |
2006-11-24 16:30 |
大阪 | 中央電気倶楽部 | AlGaN/GaN HFETにおけるAlNパッシベーションの効果 ○上野弘明・村田智洋・石田秀俊・上田哲三・上本康裕・田中 毅・井上 薫（松下電器） |
[more] | R2006-38 ED2006-183 SDM2006-201 pp.39-42 |
| MW, ED (共催) |
2005-11-17 13:35 |
佐賀 | 佐賀大学 | 超格子キャップ層を用いたサファイア基板上K帯AlGaN/GaN MMIC増幅器 ○西嶋将明・村田智洋・廣瀬 裕・引田正洋・根来 昇・酒井啓之・上本康裕・井上 薫・田中 毅・上田大助（松下電器） |
サファイア基板上にAlGaN/GaN超格子(Superlattice:SL)構造を有するGaN HFET(ヘテロ構造FE... [more] | ED2005-165 MW2005-120 pp.39-43 |
| MW, ED (共催) |
2005-01-18 10:10 |
東京 | 機械振興会館 | 超格子キャップ層を用いた低ソース抵抗AlGaN/GaN HFET ○村田智洋・引田正洋・廣瀬 裕・井上 薫・上本康裕・田中 毅・上田大助（松下電器） |
[more] | ED2004-214 MW2004-221 pp.13-17 |
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