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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
LQE 2010-12-17
15:00
東京 機械振興会館 1.3ミクロン帯半導体レーザ基板用大型InGaAs単結晶の製造
木下恭一依田眞一JAXA)・青木拓克山本 智細川忠利松島正明フルウチ化学)・荒井昌和NTT東日本)・川口悦弘NEL)・狩野文良NTT)・近藤康洋NELLQE2010-123
半導体レーザの基板として均一組成の板状InxGa1-xAs (x: 0.10 – 0.13) 単結晶育成に世... [more] LQE2010-123
pp.43-46
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