お知らせ 技術研究報告と和文論文誌Cの同時投稿施策(掲載料1割引き)について
お知らせ 【重要】研究会・各種料金のお支払い方法変更について
電子情報通信学会 研究会発表申込システム
研究会 開催スケジュール
技報閲覧サービス
[ログイン]
技報アーカイブ
    [Japanese] / [English] 
研究会名/開催地/テーマ  )→
 
講演検索  検索語:  /  範囲:題目 著者 所属 抄録 キーワード )→

すべての研究会開催スケジュール  (検索条件: 最近10年)

講演検索結果
 登録講演(開催プログラムが公開されているもの)  (日付・降順)
 7件中 1~7件目  /   
研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
ICD, SDM
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2020-08-07
09:30
ONLINE オンライン開催 [招待講演]シリコンスピン量子ビットのコヒーレンス時間改善に向けたクライオCMOSにおける低周波ノイズ発生源の解明
岡 博史松川 貴加藤公彦飯塚将太水林 亘遠藤和彦安田哲二森 貴洋産総研SDM2020-6 ICD2020-6
シリコン量子コンピューターは半導体微細加工技術を用いた量子ビットの大規模集積化に大きな期待が寄せられている。高性能なシリ... [more] SDM2020-6 ICD2020-6
pp.25-30
SDM, ICD
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2018-08-07
13:40
北海道 北海道大学大学院情報科学研究科 M棟M151 [招待講演]ミニマルファブとメガファブを併用したハイブリッドプロセスによるSOI-CMOSの作製及び電気特性評価
柳 永勛田中宏幸産総研)・古賀和博佐藤和重ミニマルファブ推進機構)・クンプアン ソマワン長尾昌善松川 貴原 史朗産総研SDM2018-30 ICD2018-17
本研究では,ミニマルファブとメガファブを併用したハイブリッドプロセスの開発を行い,ミニマルウエハ(直径12.5 mm)上... [more] SDM2018-30 ICD2018-17
pp.25-30
SDM, ICD
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2017-07-31
12:00
北海道 北海道大学情報教育館 ドレインオフセット構造を持った相補型TFET回路のTCADシミュレーション
浅井栄大森 貴洋服部淳一福田浩一遠藤和彦松川 貴産総研SDM2017-35 ICD2017-23
我々はSi チャネルトンネルトランジスタ(TFET)からなる相補型論理回路のTCAD シミュレーションを行い、ドレインオ... [more] SDM2017-35 ICD2017-23
pp.21-24
SDM 2017-01-30
10:00
東京 機械振興会館 [招待講演]等電子トラップ技術によるオン電流増大に伴う相補型トンネルトランジスタ回路の性能向上
森 貴洋浅井栄大服部淳一福田浩一大塚慎太郎森田行則大内真一更田裕司右田真司水林 亘太田裕之松川 貴産総研SDM2016-130
我々は等電子トラップ(IET)技術を用いて,シリコントンネルトランジスタ(TFET)による相補的回路の性能を改善した.I... [more] SDM2016-130
pp.1-4
VLD, DC
(共催)
CPM, ICD, IE
(共催)
CPSY, RECONF
(併催) [詳細]
2016-11-30
13:45
大阪 立命館大学大阪いばらきキャンパス エネルギーハーベスティング向け完全集積可能な最低入力電圧100mVの昇圧電源回路
更田裕司大内真一松川 貴産総研CPM2016-87 ICD2016-48 IE2016-82
本稿では、エネルギーハーベスティング向けの、完全集積可能な最低入力電圧100mVの昇圧電源回路について述べる。本研究では... [more] CPM2016-87 ICD2016-48 IE2016-82
pp.57-62
ICD, SDM
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2016-08-03
09:00
大阪 中央電気倶楽部 [招待講演]多結晶シリコンFinFETを用いたSRAM PUFとその性能評価
大内真一柳 永勛堀 洋平入沢寿史更田裕司森田行則右田真司森 貴洋中川 格塚田順一小池汎平昌原明植松川 貴産総研SDM2016-60 ICD2016-28
 [more] SDM2016-60 ICD2016-28
pp.83-87
SDM 2016-01-28
11:00
東京 機械振興会館 [招待講演]トンネルトランジスタにおけるBTIの理解
水林 亘森 貴洋福田浩一石川由紀森田行則右田真司太田裕之柳 永勛大内真一塚田順一山内洋美松川 貴昌原明植遠藤和彦産総研SDM2015-122
Siチャネルp型トンネルFETs(pTFETs)のNBTIを系統的に調べた。pTFETsのNBTI劣化機構はpFETsと... [more] SDM2015-122
pp.9-12
 7件中 1~7件目  /   
ダウンロード書式の初期値を指定してください NEW!!
テキスト形式 pLaTeX形式 CSV形式 BibTeX形式
著作権について : 以上の論文すべての著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)


[研究会発表申込システムのトップページに戻る]

[電子情報通信学会ホームページ]


IEICE / 電子情報通信学会