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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
OPE, OCS, LQE
(共催)
2020-10-23
11:35
ONLINE オンライン開催 マルチコア光増幅器のハイブリッド励起方式による省電力動作検証
松本恵一中村俊文野口栄実ル・タヤンディエ・ドゥ・ガボリ エマニュエルNECOCS2020-13 OPE2020-36 LQE2020-16
MCFを用いた光伝送技術は,大容量化のみならず光増幅器の省電力化が期待できる.本論文では,MC-EDFAにクラッド一括励... [more] OCS2020-13 OPE2020-36 LQE2020-16
pp.26-31
OPE, LQE
(共催)
2016-06-17
13:15
東京 機械振興会館 直接貼付InP/Si基板を用いたGaInAsPレーザの試作
西山哲央松本恵一岸川純也大貫雄也鎌田直樹下村和彦上智大OPE2016-12 LQE2016-22
直接貼付法を用いて薄膜InP層とSi基板を貼合わせ、作製されたInP/Si基板上に結晶成長を行うことでシリコンプラットフ... [more] OPE2016-12 LQE2016-22
pp.15-20
LQE, OPE
(共催)
2015-06-19
13:25
東京 機械振興会館 直接貼付InP層を用いた異種基板上III-V族半導体発光デバイスの集積
松本恵一金谷佳則岸川純也下村和彦上智大OPE2015-13 LQE2015-23
Si基板及びQuartz基板と薄膜InP層を直接貼付法により貼合わせ,この基板上にMOVPE法を用いてInP系の発光デバ... [more] OPE2015-13 LQE2015-23
pp.15-20
OPE, LQE
(共催)
2014-06-20
14:00
東京 機械振興会館 直接貼付InP/Si基板上量子ドットLEDからのEL発光
松本恵一金谷佳則岸川純也下村和彦上智大OPE2014-15 LQE2014-20
直接貼付法を用いて作製されたInP/Si基板上にMOVPE選択成長(Ga)InAs/InP量子ドット構造を導入したアレイ... [more] OPE2014-15 LQE2014-20
pp.15-18
LQE, OPE
(共催)
2013-06-21
11:25
東京 機械振興会館 直接貼付InPテンプレートを用いた異種基板上MOVPE結晶成長
松本恵一張 きんきん金谷佳則下村和彦上智大OPE2013-9 LQE2013-19
大容量高速通信を実現するIII-V族半導体をSiプラットフォーム上に集積することが求められている。本論文では直接貼付法と... [more] OPE2013-9 LQE2013-19
pp.13-18
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