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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM, EID (共催) |
2017-12-22 10:45 |
京都 | 京都大学 | 高濃度Alドープ4H-SiCエピ膜の伝導機構 ～ 抵抗率のドープ量及び温度依存性 ～ ○小澤愼二・竹下明伸・今村辰哉・高野晃大・奥田和也・日高淳輝・松浦秀治（阪電通大）・紀 世陽・江藤数馬・児島一聡・加藤智久・吉田貞史・奥村 元（産総研）  EID2017-12 SDM2017-73 |
オン抵抗の低いSiC nチャネルIGBTの実用化には，p型SiC基板の低抵抗率化が必要不可欠である．高濃度Alドープ4H... [more] | EID2017-12 SDM2017-73 pp.5-8 |
| SDM, EID (共催) |
2017-12-22 11:00 |
京都 | 京都大学 | 高濃度Alドープ4H-SiCのホール係数の温度依存性 ～ ホール係数の反転と伝導機構との関係 ～ ○西畑凜哉・竹下明伸・今村辰哉・高野晃大・奥田和也・小澤愼二・日高淳輝・松浦秀治（阪電通大）・紀 世陽・江藤数馬・児島一聡・加藤智久・吉田貞史・奥村 元（産総研） EID2017-13 SDM2017-74 |
オン抵抗の低いSiC nチャネルIGBTの実用化には，基板であるp+型SiCの低抵抗率化が必要不可欠である．Al濃度が1... [more] | EID2017-13 SDM2017-74 pp.9-12 |
| SDM, EID (共催) |
2017-12-22 11:15 |
京都 | 京都大学 | Al-Nコドープp型4H-SiCエピ膜の電気的特性 ～ Alドープとコドープの抵抗率の温度依存性の比較 ～ ○日高淳輝・竹下明伸・今村辰哉・高野晃大・奥田和也・小澤愼二・松浦秀治（阪電通大）・紀 世陽・江藤数馬・児島一聡・加藤智久・吉田貞史・奥村 元（産総研） EID2017-14 SDM2017-75 |
オン抵抗の低いSiC nチャネルIGBTの実用化には，p型SiC基板の低抵抗率化と高品質化が必要不可欠である．高濃度A... [more] | EID2017-14 SDM2017-75 pp.13-16 |
| SDM | 2012-12-07 10:30 |
京都 | 京都大学(桂) | 電子線照射によるSiCの正孔の各種散乱機構の変化 ○村田耕司・森根達也・松浦秀治（阪電通大）・小野田 忍・大島 武（原子力機構） SDM2012-117 |
Si (Silicon) に比べ，放射線耐性及び絶縁破壊電界が大きいSiC (Silicon Carbide) は，次世... [more] | SDM2012-117 pp.13-18 |
| SDM | 2012-12-07 13:45 |
京都 | 京都大学(桂) | 低価格に適したX線検出素子(Silicon Drift Detector)の提案 ○岡田亮太・松谷一輝・松浦秀治（阪電通大） SDM2012-126 |
環境問題の高まりから有害物質に対する規制が多く設けられ，有害物質検査の短時間化を計るために，可搬できる蛍光X線検出器が望... [more] | SDM2012-126 pp.65-70 |
| SDM | 2011-12-16 11:20 |
奈良 | 奈良先端科学技術大学院大学 | 放電電流過渡分光法を用いた犠牲酸化処理された高純度半絶縁性4H-SiCの欠陥評価 ○西川誠二・岡田亮太・松浦秀治（阪電通大） SDM2011-136 |
当研究室で提案している放電電流過渡分光法 (DCTS: Discharge Current Transient Spec... [more] | SDM2011-136 pp.23-28 |
| SDM | 2011-12-16 15:40 |
奈良 | 奈良先端科学技術大学院大学 | SiO2/Si界面の固定電荷による影響を低減したX線検出素子の最適な構造の提案 ○岡田亮太・西川誠二・松浦秀治（阪電通大） SDM2011-144 |
環境問題への関心の高まりから有害物質に対する規制が多く設けられている．現地で極微量の有害物質を検査するために，低価格で可... [more] | SDM2011-144 pp.65-70 |
| SDM | 2010-12-17 10:20 |
京都 | 京都大学(桂) | X線検出素子（Silicon Drift Detector）用Si基板の高抵抗率化 ～ シミュレーションによる評価 ～ ○北野谷征吾・西川誠二・松浦秀治（阪電通大） SDM2010-186 |
環境問題の高まりから有害物質に対する規制が多く設けられている．有害物質検査の短時間化を計るために，可搬できる蛍光X線検出... [more] | SDM2010-186 pp.7-12 |
| SDM | 2010-12-17 14:10 |
京都 | 京都大学(桂) | 放電電流過渡分光法を用いた高純度半絶縁性4H-SiCの欠陥評価における犠牲酸化処理の効果 ○西川誠二・北野谷征吾・松浦秀治（阪電通大） SDM2010-194 |
低抵抗率半導体の欠陥評価として過渡容量法が有用であるが，半絶縁性半導体には適用できないため，過渡電流法の1つである放電電... [more] | SDM2010-194 pp.51-56 |
| SDM | 2010-12-17 14:30 |
京都 | 京都大学(桂) | 200keV電子線照射による4H-SiCエピ膜中の多数キャリア密度の変化 ○野尻琢慎・西野公三・柳澤英樹・松浦秀治（阪電通大）・小野田 忍・大島 武（原子力機構） SDM2010-195 |
添加量の異なるAl-doped 4H-SiC及びN-doped 4H-SiCエピ膜に200 keVの電子線を照射した場合... [more] | SDM2010-195 pp.57-62 |
| SDM | 2009-12-04 10:00 |
奈良 | 奈良先端大 物質創成科学研究科 | 電子線照射によるAl-doped 6H-SiCエピ膜中のアクセプタ密度変化 ○野尻琢慎・柳澤英樹・明神善子・松浦秀治（阪電通大）・大島 武（原子力機構） SDM2009-153 |
電子線を照射したAl-doped 6H-SiCエピ膜に対して、van der pauw法を用いたホール効果測定により得ら... [more] | SDM2009-153 pp.11-16 |
| SDM | 2009-12-04 10:20 |
奈良 | 奈良先端大 物質創成科学研究科 | 200keV電子線照射によるSiCエピ膜中の耐放射線性に関する研究 ～ ドープ量依存性 ～ ○柳澤英樹・西野公三・野尻琢慎・松浦秀治（阪電通大）・大島 武（原子力機構） SDM2009-154 |
SiC中のC原子のみを変位させる200keVの電子線照射が，Al-doped 4H-SiCとN-doped 4H-SiC... [more] | SDM2009-154 pp.17-22 |
| SDM | 2009-12-04 10:40 |
奈良 | 奈良先端大 物質創成科学研究科 | 電子線照射によって生じるC変位によるAl-doped 4H-SiCエピ膜中のアクセプタ密度減少について ○西野公三・柳澤英樹・野尻琢慎・松浦秀治（阪電通大）・大島 武（原子力機構） SDM2009-155 |
(事前公開アブストラクト) Al-doped 4H-SiCエピ膜に200 keVの電子線を照射する事でAl-doped ... [more] | SDM2009-155 pp.23-28 |
| SDM | 2009-12-04 13:30 |
奈良 | 奈良先端大 物質創成科学研究科 | X線検出素子(Silicon Drift Detector)の簡素化 ～ シミュレーションによる評価 ～ ○北野谷征吾・三宅貴之・谷口征大・松浦秀治（阪電通大） SDM2009-160 |
環境問題の高まりから有害物質に対する規制が多く設けられている．有害物質検査の短時間化を計るために，その場検査のできる可搬... [more] | SDM2009-160 pp.49-54 |
| SDM | 2008-12-05 10:50 |
京都 | 京都大学桂キャンパスA1-001 | X線検出素子(Silicon Drift Detector)の簡素化と高エネルギーX線の感度向上を目指した研究 ○松浦秀治・高橋美雪・小原一徳・山本和代・前田健寿・加川義隆（阪電通大） SDM2008-185 |
ペルチェ冷却で動作するX線検出素子であるSilicon Drift Detector（SDD）は，X線で発生した電子を効... [more] | SDM2008-185 pp.5-10 |
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