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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
CPM, OPE, LQE, R, EMD
(共催)
2015-08-28
14:00
青森 青森県観光物産館アスパム シリコンWDMインターコネクトに向けたフリップチップ実装8波長DFBレーザアレイの高温・同時動作
田中信介光電子融合基盤技研)・松本 武倉橋輝雄松田 学植竹理人富士通研)・関口茂昭田中 有森戸 健光電子融合基盤技研R2015-44 EMD2015-52 CPM2015-68 OPE2015-83 LQE2015-52
 [more] R2015-44 EMD2015-52 CPM2015-68 OPE2015-83 LQE2015-52
pp.105-108
LQE, LSJ
(共催)
2014-05-22
14:25
福井 福井大学文京キャンパス 波長1.3μm帯AlGaInAs系DRレーザアレイの50℃同時駆動43Gb/s直接変調と10km伝送
松田 学植竹理人下山峰史奥村滋一高林和雅江川 満山本剛之富士通研LQE2014-3
半絶縁性 InP 基板上に作製した 1.3-μm 帯 AlGaInAs DR レーザアレイの 43 Gb/s 直接変調実... [more] LQE2014-3
pp.9-13
LQE 2012-12-13
11:00
東京 機械振興会館 AlGaInAs系高抵抗埋め込み型DRレーザの超高速直接変調
下山峰史松田 学奥村滋一植竹理人江川 満山本剛之富士通研LQE2012-124
AlGaInAs系高抵抗埋め込みDitributed Reflector(DR)レーザの高速直接変調動作を報告する。本レ... [more] LQE2012-124
pp.15-18
LQE 2010-12-17
13:10
東京 機械振興会館 [奨励講演]低駆動電流40Gbps直接変調動作に向けたAlGaInAs系高抵抗埋め込み型DRレーザ
植竹理人大坪孝二松田 学光電子融合基盤技研/富士通/富士通研)・奥村滋一富士通研)・江川 満山本剛之光電子融合基盤技研/富士通/富士通研LQE2010-120
近年のデータ流通量の急激な増加に伴い,通信用光源のさらなる高速化への期待が高まっている.我々は、低消費電力な超高速直接変... [more] LQE2010-120
pp.27-32
LQE 2009-12-11
14:40
東京 機械振興会館 地下3階2号室 低駆動電流40-Gbps直接変調動作に向けたAlGaInAs系高抵抗埋め込み型DRレーザ
植竹理人大坪孝二松田 学光協会/富士通/富士通研)・奥村滋一富士通研)・江川 満山本剛之光協会/富士通/富士通研LQE2009-148
近年の急激な通信量の増加に伴い,直接変調レーザの高速動作への注目が高まっている.我々は、低消費電力の高速直接変調レーザの... [more] LQE2009-148
pp.51-56
LQE 2008-12-12
16:00
東京 機械振興会館 地下3階2号室 波長1.3μm帯高抵抗埋め込みAlGaInAs歪量子井戸DFBレーザの高速直接変調
大坪孝二松田 学富士通研/富士通/光協会)・高田 幹奥村滋一富士通研)・江川 満富士通研/富士通/光協会)・田中宏昌富士通)・井出 聡富士通研)・森 和行富士通)・山本剛之富士通研/富士通/光協会LQE2008-140
 [more] LQE2008-140
pp.63-68
LQE 2007-12-07
10:30
東京 機械振興会館 地下3階6号室 AlGaInAs系電界吸収型変調器集積λ/4シフトDFBレーザの高出力10Gb/s動作
高田 幹秋山 傑松田 学奥村滋一江川 満山本剛之富士通研LQE2007-114
光出力が高く長距離伝送が可能で、かつ安定な単一モード発振が得られる光通信用光源を目的として、レーザ部と変調器部の活性層に... [more] LQE2007-114
pp.7-10
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