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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM, ICD
(共催)
2015-08-25
09:30
熊本 熊本市 [招待講演]低電力混載ReRAM技術
植木 誠田辺 昭砂村 潤成廣 充上嶋和也増﨑幸治古武直也満生 彰武田晃一長谷 卓林 喜宏ルネサス エレクトロニクスSDM2015-65 ICD2015-34
低電力MCU向けの不揮発メモリーとしてスケーラブルなReRAM素子(活性領域は0.009um2)から成る 2MbのReR... [more] SDM2015-65 ICD2015-34
pp.41-46
ICD, SDM
(共催)
2014-08-05
13:05
北海道 北海道大学 情報教育館(札幌市) [招待講演]配線層中形成した酸化物半導体トランジスタ
砂村 潤古武直也齋藤 忍成広 充林 喜宏ルネサス エレクトロニクスSDM2014-76 ICD2014-45
オンチップ高耐圧インターフェイス実現を目的として我々が提唱する配線層中形成した酸化物半導体トランジスタ技術(BEOL-F... [more] SDM2014-76 ICD2014-45
pp.77-82
SDM 2012-03-05
11:20
東京 機械振興会館 InGaZnOチャネルの酸素制御とGate/Drain Offset構造によるBEOLトランジスタの高信頼化
金子貴昭井上尚也齋藤 忍古武直也砂村 潤川原 潤羽根正巳林 喜宏ルネサス エレクトロニクスSDM2011-178
本論文では、ワイドギャップ酸化物半導体InGaZnOを伝導チャネルに用いた、LSI多層配線中に高耐圧インターフェイスを低... [more] SDM2011-178
pp.13-17
ICD 2011-04-19
10:20
兵庫 神戸大学 瀧川記念館 [依頼講演]高密度SRAMの微細化を可能とする階層セルアーキテクチャと多段階ワード線制御方式
武田晃一斉藤寿男朝山 忍相本代志治小畑弘之伊藤信哉高橋寿史竹内 潔野村昌弘林 喜宏ルネサス エレクトロニクスICD2011-10
 [more] ICD2011-10
pp.55-58
SDM 2011-02-07
10:50
東京 機械振興会館 ロバストLow-k(k~2.5)配線の開発指針とインテグレーションによる性能検証
井上尚也植木 誠山本博規久米一平川原 潤井口 学本田広一堀越賢剛林 喜宏ルネサス エレクトロニクスSDM2010-217
LSI配線における層間絶縁膜の誘電率 (k値) 低減が、遅延やタイミングマージンなどのLSI性能に及ぼす影響を、40nm... [more] SDM2010-217
pp.7-12
SDM 2010-02-05
10:50
東京 機械振興会館 耐水性分子細孔SiOCH膜中に形成された高信頼CoWBメタル被覆Cu配線
林 喜宏田上政由古武直也井上尚也中沢絵美子有田幸司NECエレクトロニクスSDM2009-183
28nm世代以降の最先端LSIや車載用途などの高い信頼性が必要とされるLSIに向けて、多孔質絶縁膜に埋設されたCuダマシ... [more] SDM2009-183
pp.7-11
SDM 2010-02-05
15:45
東京 機械振興会館 低速陽電子ビームを用いたCu/Low-k配線構造中の欠陥検出
上殿明良筑波大)・井上尚也林 喜宏江口和弘中村友二廣瀬幸範吉丸正樹半導体理工学研究センター)・大島永康大平俊行鈴木良一産総研SDM2009-190
陽電子消滅は結晶中の点欠陥やポーラス材料の空隙を非破壊で感度良く検出することができる手法である.陽電子が電子と対消滅する... [more] SDM2009-190
pp.49-52
MW 2009-09-25
13:50
東京 電通大 3次元ソレノイド型インダクタを用いた低電力・超小型LC-VCO
田辺 昭肱岡健一郎長瀬寛和林 喜宏NECエレクトロニクスMW2009-83
3次元ソレノイド型インダクタを用いて、低電力・超小型の5GHzのLC-VCOとそれを組み込んだPLLを開発した。90nm... [more] MW2009-83
pp.55-60
ICD 2008-12-12
13:20
東京 東工大(大岡山)国際交流会館 [依頼講演] DVFSのための電圧ステップ幅制御およびリファレンス電圧制御を用いた高速電源電圧制御方式
池永佳史野村昌弘NECエレクトロニクス)・中澤陽悦NEC)・林 喜宏NECエレクトロニクスICD2008-121
 [more] ICD2008-121
pp.95-100
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