| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 研究会 開催スケジュール |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
すべての研究会開催スケジュール (検索条件: すべての年度)
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM | 2010-12-17 14:30 |
京都 | 京都大学(桂) | 200keV電子線照射による4H-SiCエピ膜中の多数キャリア密度の変化 ○野尻琢慎・西野公三・柳澤英樹・松浦秀治（阪電通大）・小野田 忍・大島 武（原子力機構）  SDM2010-195 |
添加量の異なるAl-doped 4H-SiC及びN-doped 4H-SiCエピ膜に200 keVの電子線を照射した場合... [more] | SDM2010-195 pp.57-62 |
| SDM | 2009-12-04 10:00 |
奈良 | 奈良先端大 物質創成科学研究科 | 電子線照射によるAl-doped 6H-SiCエピ膜中のアクセプタ密度変化 ○野尻琢慎・柳澤英樹・明神善子・松浦秀治（阪電通大）・大島 武（原子力機構） SDM2009-153 |
電子線を照射したAl-doped 6H-SiCエピ膜に対して、van der pauw法を用いたホール効果測定により得ら... [more] | SDM2009-153 pp.11-16 |
| SDM | 2009-12-04 10:20 |
奈良 | 奈良先端大 物質創成科学研究科 | 200keV電子線照射によるSiCエピ膜中の耐放射線性に関する研究 ～ ドープ量依存性 ～ ○柳澤英樹・西野公三・野尻琢慎・松浦秀治（阪電通大）・大島 武（原子力機構） SDM2009-154 |
SiC中のC原子のみを変位させる200keVの電子線照射が，Al-doped 4H-SiCとN-doped 4H-SiC... [more] | SDM2009-154 pp.17-22 |
| SDM | 2009-12-04 10:40 |
奈良 | 奈良先端大 物質創成科学研究科 | 電子線照射によって生じるC変位によるAl-doped 4H-SiCエピ膜中のアクセプタ密度減少について ○西野公三・柳澤英樹・野尻琢慎・松浦秀治（阪電通大）・大島 武（原子力機構） SDM2009-155 |
(事前公開アブストラクト) Al-doped 4H-SiCエピ膜に200 keVの電子線を照射する事でAl-doped ... [more] | SDM2009-155 pp.23-28 |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]