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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| WPT, EE (併催) |
2020-10-07 13:40 |
ONLINE | オンライン開催 | ノーマリオフGaN HEMTを用いたレクテナ用ゲーテッドアノード型ダイオードの電気的特性 ○高橋英匡・安藤裕二（名大）・土屋洋一・分島彰男（名工大）・林 宏暁・柳生栄治（三菱電機）・桔川洸一・坂井尚貴・伊東健治（金沢工大）・須田 淳（名大）  WPT2020-19 |
無線電力伝送用デバイスとして、ノーマリオフ型のGaN HEMTのゲート電極とオーミック電極を短絡したゲーテッドアノード型... [more] | WPT2020-19 pp.1-5 |
| ED, MW (共催) |
2020-01-31 11:20 |
東京 | 機械振興会館 地下3階6号室 | 表面活性化常温接合法によるGaN-on-Diamond HEMTの作製 ○檜座秀一・藤川正洋・滝口雄貴・西村邦彦・柳生栄治（三菱電機）・松前貴司・倉島優一・高木秀樹（産総研）・山向幹雄（三菱電機） ED2019-97 MW2019-131 |
[more] | ED2019-97 MW2019-131 pp.21-24 |
| LQE | 2018-02-23 12:45 |
神奈川 | 古河電工横浜事業所 | ［招待講演］光通信向けAPDの開発コンセプトと実用化 ～ ガードリングフリー・プレーナ型AlInAs-APD ～ ○柳生栄治（三菱電機） LQE2017-153 |
光ファイバ通信用途において，InPを増倍に用いるアバランシェフォトダイオード(InP-APD)に対し，材料物性的により優... [more] | LQE2017-153 pp.11-14 |
| OPE (共催) OFT, OCS (併催) [詳細] |
2013-03-01 10:50 |
東京 | 機械振興会館 | 金属膜と傾斜接合を持つMMI構造による偏波面分離素子の設計 小島啓介（MERL）・○西川智志・柳生栄治（三菱電機）・Wangqing Yuan・Bingnan Wang・秋濃俊昭・Kieran Parsons（MERL） OCS2012-106 OFT2012-82 OPE2012-200 |
InP基板上に作成された、金属膜と傾斜接合を持つMMI（Multi-Mode Interference）による偏波面分離... [more] | OCS2012-106 OFT2012-82 OPE2012-200 pp.51-55(OCS), pp.71-75(OFT), pp.71-75(OPE) |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2009-11-20 13:10 |
徳島 | 徳島大学（常三島キャンパス・工業会館） | Siイオン注入した窒化物半導体上のAlフリーオーミック電極 ○今井章文・南條拓真・吹田宗義・阿部雄次・柳生栄治・藏田哲之（三菱電機） ED2009-153 CPM2009-127 LQE2009-132 |
[more] | ED2009-153 CPM2009-127 LQE2009-132 pp.119-123 |
| LQE, CPM, EMD, OPE (共催) |
2008-08-29 10:55 |
宮城 | 東北大学 | 光通信用ガードリングフリーInAlAs APD ○中路雅晴・石村栄太郎・柳生栄治・見上洋平・庵原 晋・青柳利隆・吉新喜市・石川高英（三菱電機） EMD2008-49 CPM2008-64 OPE2008-79 LQE2008-48 |
我々は、過剰雑音が少なく、信頼性に優れた10Gbps光通信用及び2.5Gbps光通信用ガードリングフリーInAlAs-A... [more] | EMD2008-49 CPM2008-64 OPE2008-79 LQE2008-48 pp.89-92 |
| LQE, OPE, OCS (共催) |
2007-11-01 10:50 |
福岡 | 九州工業大学 | 高信頼ガードリングフリー・プレーナ型InAlAsアバランシェ・フォトダイオード ○石村栄太郎・柳生栄治・中路雅晴・庵原 晋・吉新喜市・青柳利隆・徳田安紀・石川高英（三菱電機） OCS2007-43 OPE2007-98 LQE2007-84 |
最表面のＰＮ接合に印加される電圧が低いという特徴を持つ10Gbps用ガードリングフリー・プレーナ型InAlAsアバランシ... [more] | OCS2007-43 OPE2007-98 LQE2007-84 pp.19-22 |
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