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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM, ICD (共催) ITE-IST (連催) [詳細] |
2018-08-07 13:40 |
北海道 | 北海道大学大学院情報科学研究科 M棟M151 | ［招待講演］ミニマルファブとメガファブを併用したハイブリッドプロセスによるSOI-CMOSの作製及び電気特性評価 ○柳 永勛・田中宏幸（産総研）・古賀和博・佐藤和重（ミニマルファブ推進機構）・クンプアン ソマワン・長尾昌善・松川 貴・原 史朗（産総研）  SDM2018-30 ICD2018-17 |
本研究では，ミニマルファブとメガファブを併用したハイブリッドプロセスの開発を行い，ミニマルウエハ(直径12.5 mm)上... [more] | SDM2018-30 ICD2018-17 pp.25-30 |
| ICD, SDM (共催) ITE-IST (連催) [詳細] |
2016-08-03 09:00 |
大阪 | 中央電気倶楽部 | ［招待講演］多結晶シリコンFinFETを用いたSRAM PUFとその性能評価 ○大内真一・柳 永勛・堀 洋平・入沢寿史・更田裕司・森田行則・右田真司・森 貴洋・中川 格・塚田順一・小池汎平・昌原明植・松川 貴（産総研） SDM2016-60 ICD2016-28 |
[more] | SDM2016-60 ICD2016-28 pp.83-87 |
| SDM | 2016-01-28 11:00 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］トンネルトランジスタにおけるBTIの理解 ○水林 亘・森 貴洋・福田浩一・石川由紀・森田行則・右田真司・太田裕之・柳 永勛・大内真一・塚田順一・山内洋美・松川 貴・昌原明植・遠藤和彦（産総研） SDM2015-122 |
Siチャネルp型トンネルFETs(pTFETs)のNBTIを系統的に調べた。pTFETsのNBTI劣化機構はpFETsと... [more] | SDM2015-122 pp.9-12 |
| SDM | 2015-01-27 15:30 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］n型トンネルトランジスタにおけるPBTI寿命の正確な予測 ○水林 亘・森 貴洋・福田浩一・柳 永勛・松川 貴・石川由紀・遠藤和彦・大内真一・塚田順一・山内洋美・森田行則・右田真司・太田裕之・昌原明植（産総研） SDM2014-143 |
high-kゲート絶縁膜を有するn型トンネルFinFETs（TFETs）のPBTI特性を系統的に調べた。n型TFETsの... [more] | SDM2014-143 pp.33-36 |
| SDM | 2015-01-27 16:20 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］非晶質金属ゲート電極FinFETによるばらつき・低周波ノイズ抑制とアナログ・デジタル回路のスケーリング限界の改善 ○松川 貴・福田浩一・柳 永勛・塚田順一・山内洋美・石川由紀・遠藤和彦・大内真一・右田真司・水林 亘・森田行則・太田裕之・昌原明植（産総研） SDM2014-145 |
[more] | SDM2014-145 pp.41-44 |
| SDM | 2015-01-27 16:45 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］Si CMOSプラットフォームにおけるp-n相補型トンネルFinFETの急峻サブスレッショルド・スイングおよび超低オフ電流の実証 ○森田行則・森 貴洋・福田浩一・水林 亘・右田真司・松川 貴・遠藤和彦・大内真一・柳 永勛・昌原明植・太田裕之（産総研） SDM2014-146 |
FinFET型チャネルを持つトンネル電界効果トランジスタ(トンネルFinFET)をSi CMOSプラットフォームにおいて... [more] | SDM2014-146 pp.45-48 |
| ICD | 2014-04-18 13:50 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］10nm技術世代マルチゲートFinFETデバイス・回路技術 ○昌原明植・遠藤和彦・大内真一・松川 貴・柳 永勛・右田真司・水林 亘・森田行則・太田裕之（産総研） ICD2014-15 |
20nm技術世代以降の集積回路における最大の課題は，トランジスタ微細化に伴う待機時消費電力の増大と，顕在化する特性ばらつ... [more] | ICD2014-15 pp.77-82 |
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