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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
ICD 2023-04-10
11:25
神奈川 川崎市産業振興会館10階第4会議室
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
12-nm FinFETおよび28-nm プレナー型SRAMのミューオン起因ソフトエラー断面積の評価
五味唯美高見一総京大)・水野るり惠東大)・新倉 潤理研)・Yifan DENG川瀬頒一郎渡辺幸信九大)・安部晋一郎原子力機構)・廖 望東大)・反保元伸梅垣いづみ竹下聡史下村浩一郎三宅康博高エネルギー加速器研究機構/J-PARCセンター)・橋本昌宜京大ICD2023-3
半導体プロセス微細化に伴い,ミューオン起因ソフトエラーの影響増加が示唆されている.しかし,MOSFETの構造変化によるソ... [more] ICD2023-3
p.8
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