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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
ICD 2013-04-11
17:30
茨城 産業技術総合研究所 つくばセンター [パネル討論]スマート社会におけるメモリソリューションの今後の展望 ~ 新不揮発メモリはSRAM/DRAM/フラッシュを置き換える? ~
新居浩二ルネサス エレクトロニクス)・遠藤哲郎東北大)・加藤佳一パナソニック)・半澤 悟日立)・梶谷一彦エルピーダメモリ)・川澄 篤東芝)・三輪 達サンディスクICD2013-11
近年、STT-MRAMやReRAMなど新しいメモリデバイスが続々と登場し技術革新が進んでいる。今後5年、10年後にこれら... [more] ICD2013-11
p.53
ICD 2008-04-17
15:20
東京 機械振興会館 [パネル討論]大容量フラッシュメモリの可能性を探る ~ 進行するフラッシュ革命のインパクト ~
梶谷一彦エルピーダメモリ)・篠崎直治Spansion)・柿原俊男日立グローバルストレージテクノロジーズ)・神田和重東芝)・小林三千夫Spansion)・佐圓 真日立)・杉林直彦NEC)・竹内 健東大)・塚澤寿夫東芝ICD2008-7
今やフラッシュメモリはDRAMに代わって半導体微細加工技術を牽引し、その結果得られたビットコストの低減と、大規模な投資に... [more] ICD2008-7
pp.37-38
ICD, SDM
(共催)
2005-08-19
13:50
北海道 函館国際ホテル 0.4V高速動作、長リテンション時間を実現する12F2ツインセルDRAMアレー
竹村理一郎伊藤清男関口知紀秋山 悟半澤 悟日立)・梶谷一彦エルピーダメモリ)・河原尊之日立
セル面積が12F 2のツインセルアレーについて、低電圧での高速書込み動作、長リテンション時間の可能性について検討した。同... [more] SDM2005-152 ICD2005-91
pp.55-60
ICD 2005-04-14
14:30
福岡 福岡システムLSI 総合開発センター [招待講演]ギガビット時代のDRAM設計における統計的手法導入の提案
関口知紀秋山 悟日立)・梶谷一彦エルピーダメモリ)・半澤 悟竹村理一郎河原尊之日立
今回提案するメモリーアレー協調設計手法では、複数のデバイスばらつきによる信号劣化を統計的に考慮してDRAMアレーのS/N... [more] ICD2005-8
pp.37-42
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