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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
MW, ED
(共催)
2021-01-29
11:20
ONLINE オンライン開催 異なるタイミングの位相情報を用いたTime to Digital Converterの試作結果
森野芳昭津留正臣三菱電機ED2020-29 MW2020-82
 [more] ED2020-29 MW2020-82
pp.13-16
MW, ED
(共催)
2021-01-29
11:45
ONLINE オンライン開催 2周波混合ベクトル合成型移相器を用いたV帯受信RFICの試作結果
横溝真也森野芳昭津留正臣三菱電機ED2020-30 MW2020-83
 [more] ED2020-30 MW2020-83
pp.17-21
MW, ED
(共催)
2021-01-29
15:15
ONLINE オンライン開催 ゲート容量負荷部の高調波処理によるCMOSスタック増幅器の高効率化検討
竹添慎司森野芳昭津留正臣三菱電機ED2020-36 MW2020-89
 [more] ED2020-36 MW2020-89
pp.44-48
MW 2020-03-05
10:30
高知 高知市立中央公民館
(開催中止,技報発行あり)
異なるタイミングの位相情報を用いたTime to Digital Converter の高分解能化に関する検討
森野芳昭津留正臣三菱電機MW2019-140
 [more] MW2019-140
pp.1-4
ED, LQE, CPM
(共催)
2009-11-20
15:00
徳島 徳島大学(常三島キャンパス・工業会館) Si基板上GaN-HEMTによる5GHz50W出力電力特性
星 真一伊藤正紀丸井俊治大来英之森野芳昭玉井 功戸田典彦関 昇平OKI)・江川孝志名工大ED2009-157 CPM2009-131 LQE2009-136
シリコン基板上GaN-HEMTを用いた高周波高出力電力増幅デバイスについて検討した。デバイスの高周波化を妨げるGaNエピ... [more] ED2009-157 CPM2009-131 LQE2009-136
pp.139-144
ED 2009-06-12
11:00
東京 東京工業大学 熱CVD成長SiN膜を用いたゲートリセス構造MIS-AlGaN/GaN-HEMTの電気特性
丸井俊治星 真一戸田典彦森野芳昭伊藤正紀大来英之玉井 功関 昇平OKIED2009-47
近年故障時の安全性確保等の観点からノーマリオフ動作のAlGaN/GaN-HEMTの研究開発が進められている。しかしAlG... [more] ED2009-47
pp.57-62
SDM, ED
(共催)
2008-07-11
14:50
北海道 かでる2・7(札幌) 熱CVD成長SiN保護膜を用いたSiC基板上AlGaN/GaN-HEMT
大来英之星 真一丸井俊治伊藤正紀戸田典彦森野芳昭玉井 功佐野芳明関 昇平OKIED2008-105 SDM2008-124
 [more] ED2008-105 SDM2008-124
pp.341-345
ED, MW
(共催)
2008-01-16
13:50
東京 機械振興会館 熱CVD成長SiN表面保護膜のAlGaN/GaN HEMT電気特性への影響
丸井俊治星 真一森野芳昭伊藤正紀玉井 功戸田典彦大来英之佐野芳明関 昇平OKIED2007-208 MW2007-139
AlGaN/GaN HEMTにおけるAlGaN表面準位に起因した電流コラプスの抑制手段として、熱CVD成長SiN膜を表面... [more] ED2007-208 MW2007-139
pp.11-15
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