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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| MW | 2023-11-16 13:50 |
沖縄 | 名護市産業支援センター（沖縄） （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
4.3Vppの出力電圧とパルス幅制御機能を備えた高速GaN スイッチング型エンベロープ増幅器用45nm SOI-CMOSドライバ回路 ○竹添慎司・森野芳昭・坂田修一・山本 航・齋木研人・平井暁人（三菱電機）  MW2023-130 |
[more] | MW2023-130 pp.23-26 |
| MW, ED (共催) |
2021-01-29 11:20 |
ONLINE | オンライン開催 | 異なるタイミングの位相情報を用いたTime to Digital Converterの試作結果 ○森野芳昭・津留正臣（三菱電機） ED2020-29 MW2020-82 |
[more] | ED2020-29 MW2020-82 pp.13-16 |
| MW, ED (共催) |
2021-01-29 11:45 |
ONLINE | オンライン開催 | 2周波混合ベクトル合成型移相器を用いたV帯受信RFICの試作結果 ○横溝真也・森野芳昭・津留正臣（三菱電機） ED2020-30 MW2020-83 |
[more] | ED2020-30 MW2020-83 pp.17-21 |
| MW, ED (共催) |
2021-01-29 15:15 |
ONLINE | オンライン開催 | ゲート容量負荷部の高調波処理によるCMOSスタック増幅器の高効率化検討 ○竹添慎司・森野芳昭・津留正臣（三菱電機） ED2020-36 MW2020-89 |
[more] | ED2020-36 MW2020-89 pp.44-48 |
| MW | 2020-03-05 10:30 |
高知 | 高知市立中央公民館 （開催中止，技報発行あり） |
異なるタイミングの位相情報を用いたTime to Digital Converter の高分解能化に関する検討 ○森野芳昭・津留正臣（三菱電機） MW2019-140 |
[more] | MW2019-140 pp.1-4 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2009-11-20 15:00 |
徳島 | 徳島大学（常三島キャンパス・工業会館） | Si基板上GaN-HEMTによる5GHz50W出力電力特性 ○星 真一・伊藤正紀・丸井俊治・大来英之・森野芳昭・玉井 功・戸田典彦・関 昇平（OKI）・江川孝志（名工大） ED2009-157 CPM2009-131 LQE2009-136 |
シリコン基板上GaN-HEMTを用いた高周波高出力電力増幅デバイスについて検討した。デバイスの高周波化を妨げるGaNエピ... [more] | ED2009-157 CPM2009-131 LQE2009-136 pp.139-144 |
| ED | 2009-06-12 11:00 |
東京 | 東京工業大学 | 熱CVD成長SiN膜を用いたゲートリセス構造MIS-AlGaN/GaN-HEMTの電気特性 ○丸井俊治・星 真一・戸田典彦・森野芳昭・伊藤正紀・大来英之・玉井 功・関 昇平（OKI） ED2009-47 |
近年故障時の安全性確保等の観点からノーマリオフ動作のAlGaN/GaN-HEMTの研究開発が進められている。しかしAlG... [more] | ED2009-47 pp.57-62 |
| SDM, ED (共催) |
2008-07-11 14:50 |
北海道 | かでる２・７（札幌） | 熱CVD成長SiN保護膜を用いたSiC基板上AlGaN/GaN-HEMT ○大来英之・星 真一・丸井俊治・伊藤正紀・戸田典彦・森野芳昭・玉井 功・佐野芳明・関 昇平（OKI） ED2008-105 SDM2008-124 |
[more] | ED2008-105 SDM2008-124 pp.341-345 |
| ED, MW (共催) |
2008-01-16 13:50 |
東京 | 機械振興会館 | 熱CVD成長SiN表面保護膜のAlGaN/GaN HEMT電気特性への影響 ○丸井俊治・星 真一・森野芳昭・伊藤正紀・玉井 功・戸田典彦・大来英之・佐野芳明・関 昇平（OKI） ED2007-208 MW2007-139 |
AlGaN/GaN HEMTにおけるAlGaN表面準位に起因した電流コラプスの抑制手段として、熱CVD成長SiN膜を表面... [more] | ED2007-208 MW2007-139 pp.11-15 |
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