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講演検索結果
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 19件中 1~19件目  /   
研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM 2022-11-11
13:00
ONLINE オンライン開催 [招待講演]クライオCMOSにおける電子移動度制限要因の理解
岡 博史稲葉 工飯塚将太浅井栄大加藤公彦森 貴洋産総研SDM2022-74
高集積量子コンピュータを実現するため、量子ビットの制御機能を集積回路化し極低温環境下で動作させる技術が期待されている。量... [more] SDM2022-74
p.49
ICD, SDM
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2022-08-09
11:05
ONLINE オンライン開催に変更 現地開催(北海道大学百年記念会館)は中止 [招待講演]極低温動作MOSFETのクーロン散乱移動度に対するバンド端準位の影響
岡 博史稲葉 工飯塚将太浅井栄大加藤公彦森 貴洋産総研SDM2022-46 ICD2022-14
大規模な量子コンピュータの実現に向けて、量子ビットの制御機能を集積回路化するクライオCMOS技術が期待されている。極低温... [more] SDM2022-46 ICD2022-14
pp.54-59
ICD, SDM
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2022-08-09
11:50
ONLINE オンライン開催に変更 現地開催(北海道大学百年記念会館)は中止 極低温MOSFETにおける閾値増大現象のTCADシミュレーション解析
浅井栄大稲葉 工服部淳一福田浩一岡 博史森 貴洋産総研SDM2022-47 ICD2022-15
 [more] SDM2022-47 ICD2022-15
pp.60-63
SDM 2021-10-21
14:30
ONLINE オンライン開催 [招待講演]シリコン量子コンピュータに向けたデバイス・集積化技術
森 貴洋産総研SDM2021-49
 [more] SDM2021-49
p.20
SDM, ICD
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2021-08-17
10:15
ONLINE オンライン開催 [招待講演]誤り訂正大規模量子コンピュータに実装可能な高速かつ低ばらつきなシリコンスピン量子ビット動作を実現する埋め込み型微小磁石の集積技術
飯塚将太加藤公彦八木下淳史浅井栄大上田哲也岡 博史服部淳一池上 努福田浩一森 貴洋産総研SDM2021-30 ICD2021-1
シリコンスピン量子ビットの高速操作と高い製造ばらつき耐性を同時に実現可能な埋め込み微小磁石の集積構造を提案し、TCADベ... [more] SDM2021-30 ICD2021-1
pp.1-6
SDM 2021-06-22
15:20
ONLINE オンライン開催 [依頼講演]シリコン量子計算機実現に向けたTFET型高温動作量子ビットの開発
森 貴洋産総研SDM2021-25
従来型コンピュータでは有限時間内に解を得られない大規模かつ高度に複雑な演算を実現するものとして、昨今量子コンピュータが高... [more] SDM2021-25
p.16
ICD, SDM
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2020-08-07
09:30
ONLINE オンライン開催 [招待講演]シリコンスピン量子ビットのコヒーレンス時間改善に向けたクライオCMOSにおける低周波ノイズ発生源の解明
岡 博史松川 貴加藤公彦飯塚将太水林 亘遠藤和彦安田哲二森 貴洋産総研SDM2020-6 ICD2020-6
シリコン量子コンピューターは半導体微細加工技術を用いた量子ビットの大規模集積化に大きな期待が寄せられている。高性能なシリ... [more] SDM2020-6 ICD2020-6
pp.25-30
SDM, ICD
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2017-07-31
12:00
北海道 北海道大学情報教育館 ドレインオフセット構造を持った相補型TFET回路のTCADシミュレーション
浅井栄大森 貴洋服部淳一福田浩一遠藤和彦松川 貴産総研SDM2017-35 ICD2017-23
我々はSi チャネルトンネルトランジスタ(TFET)からなる相補型論理回路のTCAD シミュレーションを行い、ドレインオ... [more] SDM2017-35 ICD2017-23
pp.21-24
SDM 2017-01-30
10:00
東京 機械振興会館 [招待講演]等電子トラップ技術によるオン電流増大に伴う相補型トンネルトランジスタ回路の性能向上
森 貴洋浅井栄大服部淳一福田浩一大塚慎太郎森田行則大内真一更田裕司右田真司水林 亘太田裕之松川 貴産総研SDM2016-130
我々は等電子トラップ(IET)技術を用いて,シリコントンネルトランジスタ(TFET)による相補的回路の性能を改善した.I... [more] SDM2016-130
pp.1-4
ICD, SDM
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2016-08-03
09:00
大阪 中央電気倶楽部 [招待講演]多結晶シリコンFinFETを用いたSRAM PUFとその性能評価
大内真一柳 永勛堀 洋平入沢寿史更田裕司森田行則右田真司森 貴洋中川 格塚田順一小池汎平昌原明植松川 貴産総研SDM2016-60 ICD2016-28
 [more] SDM2016-60 ICD2016-28
pp.83-87
SDM 2016-01-28
11:00
東京 機械振興会館 [招待講演]トンネルトランジスタにおけるBTIの理解
水林 亘森 貴洋福田浩一石川由紀森田行則右田真司太田裕之柳 永勛大内真一塚田順一山内洋美松川 貴昌原明植遠藤和彦産総研SDM2015-122
Siチャネルp型トンネルFETs(pTFETs)のNBTIを系統的に調べた。pTFETsのNBTI劣化機構はpFETsと... [more] SDM2015-122
pp.9-12
SDM 2015-06-19
17:10
愛知 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー [依頼講演]High-k/MetalゲートMoS2 MOSFETの試作と評価
森 貴洋産総研)・二之宮成樹横浜国大)・内田紀行久保利隆産総研)・渡辺英一郎津谷大樹森山悟士物質・材料研究機構)・田中正俊横浜国大)・安藤 淳産総研SDM2015-56
極薄ボディトランジスタとして注目を集めるMoS2 MOSFETを、high-k/metalゲートを適用し試作、評価した結... [more] SDM2015-56
pp.99-103
SDM 2015-01-27
11:15
東京 機械振興会館 [招待講演]フラッシュランプアニール法による多結晶Ge tri-gateジャンクションレスp-/n-MOSFET動作の実証
臼田宏治鎌田善巳上牟田雄一森 貴洋小池正浩手塚 勉産総研SDM2014-138
多結晶Siに比べて低温形成が可能な多結晶Geは、既存集積回路への熱負荷を抑制しつつ直接積層が可能で、3次元積層CMOS用... [more] SDM2014-138
pp.13-16
SDM 2015-01-27
15:30
東京 機械振興会館 [招待講演]n型トンネルトランジスタにおけるPBTI寿命の正確な予測
水林 亘森 貴洋福田浩一柳 永勛松川 貴石川由紀遠藤和彦大内真一塚田順一山内洋美森田行則右田真司太田裕之昌原明植産総研SDM2014-143
high-kゲート絶縁膜を有するn型トンネルFinFETs(TFETs)のPBTI特性を系統的に調べた。n型TFETsの... [more] SDM2014-143
pp.33-36
SDM 2015-01-27
16:45
東京 機械振興会館 [招待講演]Si CMOSプラットフォームにおけるp-n相補型トンネルFinFETの急峻サブスレッショルド・スイングおよび超低オフ電流の実証
森田行則森 貴洋福田浩一水林 亘右田真司松川 貴遠藤和彦大内真一柳 永勛昌原明植太田裕之産総研SDM2014-146
FinFET型チャネルを持つトンネル電界効果トランジスタ(トンネルFinFET)をSi CMOSプラットフォームにおいて... [more] SDM2014-146
pp.45-48
ICD, SDM
(共催)
2014-08-04
13:05
北海道 北海道大学 情報教育館(札幌市) [招待講演]急峻スイッチング素子の研究動向とTFETにおけるオン電流向上策
森 貴洋森田行則右田真司水林 亘福田浩一宮田典幸安田哲二昌原明植太田裕之産総研SDM2014-67 ICD2014-36
低電圧動作可能な急峻スイッチング素子が注目を集めている。本論文では急峻スイッチング素子の研究動向を概観する。その中でも最... [more] SDM2014-67 ICD2014-36
pp.29-34
SDM, ICD
(共催)
2013-08-01
09:25
石川 金沢大学 角間キャンパス 合成電界効果によるトンネルトランジスタの性能向上
森田行則森 貴洋右田真司水林 亘田邊顕人福田浩一遠藤和彦松川 貴大内真一柳 永シュン昌原明植太田裕之産総研SDM2013-66 ICD2013-48
トンネル電界効果トランジスタ (TFET) の特性を改善する新規なチャネル構造および電極構造を備えた合成電界TFETを提... [more] SDM2013-66 ICD2013-48
pp.7-12
SDM 2012-11-16
14:15
東京 機械振興会館 Tunnel FETの非局所モデリング ~ デバイスモデルと回路モデル ~
福田浩一森 貴洋水林 亘森田行則田邊顕人昌原明植安田哲二右田真司太田裕之産総研SDM2012-111
非局所バンド間トンネルモデルに基づき、トンネルFETのデバイス及び回路モデルの基礎を開発した。デバイスでモデルでは非局所... [more] SDM2012-111
pp.63-68
ED, SDM
(共催)
2008-01-31
09:25
北海道 北海道大学 カーボンナノチューブ単電子トランジスタの高温動作に向けて
森 貴洋理研)・佐藤俊介大村一夫理研/東京理科大)・内田勝美矢島博文東京理科大)・石橋幸治理研/JSTED2007-245 SDM2007-256
単層カーボンナノチューブは単電子トランジスタの構成材料として極めて有望な材料である。我々はカーボンナノチューブ単電子トラ... [more] ED2007-245 SDM2007-256
pp.43-46
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