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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| LQE, OPE (共催) |
2015-06-19 16:15 |
東京 | 機械振興会館 | APDの高線形化と28Gbaud PAM4動作への応用 ○名田允洋・星 拓也・山崎裕史・横山春喜・橋本俊和・松崎秀昭（NTT）  OPE2015-19 LQE2015-29 |
光通信用高速アバランシェフォトダイオード（APD）の高線形化について議論する。今回提案するAPDは、光吸収層における正孔... [more] | OPE2015-19 LQE2015-29 pp.43-46 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2014-11-28 15:10 |
大阪 | 大阪大学 吹田キャンパス 理工学図書館 | InGaN/GaN MQW太陽電池における短絡電流最大化に関する検討 ○渡邉則之・満原 学・横山春喜（NTT）・梁 剣波・重川直輝（阪市大） ED2014-94 CPM2014-151 LQE2014-122 |
InGaN/GaN MQW太陽電池における短絡電流に対してMQW構造がどのように影響しているか、について考察した。これま... [more] | ED2014-94 CPM2014-151 LQE2014-122 pp.103-106 |
| EMD, LQE, OPE, CPM, R (共催) |
2014-08-22 11:30 |
北海道 | 小樽経済センター | 垂直入射型アバランシェフォトダイオードの高速化・高信頼化技術 ○名田允洋・横山春喜・村本好史・松崎秀昭（NTT） R2014-41 EMD2014-46 CPM2014-61 OPE2014-71 LQE2014-45 |
[more] | R2014-41 EMD2014-46 CPM2014-61 OPE2014-71 LQE2014-45 pp.91-94 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2013-11-28 14:20 |
大阪 | 大阪大学 吹田キャンパス | InGaN/GaN MQW太陽電池におけるMQW構造最適化に関する考察 ○渡邉則之・満原 学・横山春喜（NTT）・梁 剣波・重川直輝（阪市大） ED2013-70 CPM2013-129 LQE2013-105 |
InGaN/GaN MQW太陽電池の短絡電流とMQW構造の相関について考察した。GaNバリア層厚が薄いほど、また、MQW... [more] | ED2013-70 CPM2013-129 LQE2013-105 pp.31-34 |
| LQE, OCS, OPE (共催) |
2013-10-25 11:15 |
福岡 | 門司港・海峡ロマンホール | 25Gbit/s級InAlAsアバランシェフォトダイオードの高性能化 ○名田允洋・村本好史・横山春喜・石橋忠夫・松崎秀昭（NTT） OCS2013-69 OPE2013-115 LQE2013-85 |
[more] | OCS2013-69 OPE2013-115 LQE2013-85 pp.99-102 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2012-11-29 13:30 |
大阪 | 大阪市立大学 | GaN/AlGaN/GaN接合を有するダイオードにおける特異なI-V特性 ○渡邉則之・横山春喜（NTT）・重川直輝（阪市大） ED2012-70 CPM2012-127 LQE2012-98 |
有機金属化学気相成長法（Metalorganic chemical vapor deposition: MOCVD）によ... [more] | ED2012-70 CPM2012-127 LQE2012-98 pp.21-24 |
| EMT, PN, LQE, OPE, MWP, EST (共催) IEE-EMT (連催) [詳細] |
2012-01-27 14:40 |
大阪 | 大阪大学コンベンションセンター | ヘテロジニアス技術による高速InP-PD集積型石英系PLCデバイス ○倉田優生・那須悠介・田村宗久・村本好史・横山春喜（NTT） PN2011-75 OPE2011-191 LQE2011-177 EST2011-125 MWP2011-93 |
偏波多重・多値位相変調を用いた次世代大容量光通信方式で必要となる高機能光デバイスを実現するため，低損失性や偏波・位相制御... [more] | PN2011-75 OPE2011-191 LQE2011-177 EST2011-125 MWP2011-93 pp.299-304 |
| ED, MW (共催) |
2012-01-12 10:35 |
東京 | 機械振興会館 | MOCVD成長狭バンドギャップInGaAsSbベースを有する低ターン・オン電圧動作ヘテロ接合バイポーラトランジスタ ○星 拓也・杉山弘樹・横山春喜・栗島賢二・井田 実（NTT） ED2011-130 MW2011-153 |
通信トラフィックの増大に伴い、通信設備の電力消費量も増大し続けており、TIAのような光通信用トランシーバを構成するICの... [more] | ED2011-130 MW2011-153 pp.63-68 |
| OPE, EMT, LQE, PN (共催) IEE-EMT (連催) [詳細] |
2011-01-28 10:50 |
大阪 | 大阪大学 | InP/InGaAs新構造Avalanche Photodiodeの高増倍率動作 ○名田允洋・村本好史・横山春喜・重川直輝・児玉 聡（NTT） PN2010-44 OPE2010-157 LQE2010-142 |
アバランシェフォトダイオード (APD)は，一般的なフォトダイオードと比較して高い動作電圧を必要とし，信頼性を確保するた... [more] | PN2010-44 OPE2010-157 LQE2010-142 pp.103-106 |
| ED | 2010-12-16 14:10 |
宮城 | 東北大学 電気通信研究所 | グレーデッドエミッタによる共鳴トンネルダイオードテラヘルツ発振素子の走行時間短縮 ○寺西豊志・鈴木左文・静野 薫・浅田雅洋（東工大）・杉山弘樹・横山春喜（NTT） ED2010-159 |
InP基板上のGaInAs/AlAs二重障壁の共鳴トンネルダイオードを用いたテラヘルツ発振器において，グレーデッドエミッ... [more] | ED2010-159 pp.7-12 |
| ED, SDM (共催) |
2010-06-30 16:10 |
東京 | 東工大 大岡山キャンパス | Fundamental oscillations at ~900 GHz with low bias voltages in RTDs having spike-doped structures ○Safumi Suzuki・Kiyohito Sawada・Atsushi Teranishi・Masahiro Asada（Tokyo Inst. of Tech.）・Hiroki Sugiyama・Haruki Yokoyama（NTT） ED2010-61 SDM2010-62 |
[more] | ED2010-61 SDM2010-62 pp.47-48 |
| OPE, LQE (共催) |
2010-06-25 14:55 |
東京 | 機械振興会館 地下3階研修1号室 | 低バイアス・高光入力動作に適したComposite Feld MIC-PDの提案と実証 ○吉松俊英・村本好史・児玉 聡・重川直輝・横山春喜（NTT）・石橋忠夫（NEL） OPE2010-16 LQE2010-18 |
Maximized Induced Current Photodiode (MIC-PD)は所望の光吸収層厚におけるキャ... [more] | OPE2010-16 LQE2010-18 pp.7-10 |
| ED | 2009-11-30 09:00 |
大阪 | 大阪科学技術センター | スパイクドーピングにより低電圧化した共鳴トンネルダイオードテラヘルツ（0.8-0.9THz）発振器 ○澤田清仁・鈴木左文・寺西豊志・白石誠人・浅田雅洋（東工大）・杉山弘樹・横山春喜（NTT） ED2009-166 |
スパイクドーピングを入れることによって，動作電圧を低減した共鳴トンネルダイオードにおいて約900GHzの基本波発振が得ら... [more] | ED2009-166 pp.37-40 |
| ED | 2007-06-15 16:15 |
富山 | 富山大学 | MOVPE成長による高品質InP系共鳴トンネルダイオード ○杉山弘樹・松崎秀昭・小田康裕・横山春喜・榎木孝知・小林 隆（NTT） ED2007-38 |
MOVPE法を用いてIn0.8Ga0.2As井戸層とAlAs障壁層を有するInP系共鳴トンネルダイオード（RTD）を作製... [more] | ED2007-38 pp.39-43 |
| MW, ED (共催) |
2007-01-19 13:50 |
東京 | 機械振興会館 | Si基板上にMOCVD成長した高品質InAIN/GaN HEMTエピ ○渡邉則之・横山春喜・廣木正伸・小田康裕（NTT）・八木拓真（NTT-AT）・小林 隆（NTT） |
MOCVDでSi(111)基板上に高品質なInAlN/GaNヘテロ構造を成長した。成長条件の最適化により平坦な表面(rm... [more] | ED2006-233 MW2006-186 pp.183-187 |
| ED, MW (共催) |
2006-01-19 14:45 |
東京 | 機械振興会館 | 0.15μmデュアルゲートAlGaN/GaN HEMTミキサー ○塩島謙次・牧村隆司・小杉敏彦・末光哲也・重川直輝・廣木正伸・横山春喜（NTT） |
[more] | ED2005-206 MW2005-160 pp.41-44 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2005-10-13 13:50 |
滋賀 | 立命館大学 | 短ゲートＡｌＧａＮ／ＧａＮ ＨＥＭＴのＤＣ、ＲＦ特性と基板結晶性との相関 ○塩島謙次・牧村隆司・末光哲也・重川直輝・廣木正伸・横山春喜（NTT） |
[more] | ED2005-127 CPM2005-114 LQE2005-54 pp.43-46 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2005-10-13 17:00 |
滋賀 | 立命館大学 | n+GaN/undoped GaN構造上に作成された表面弾性波デバイス特性 ○重川直輝・西村一巳・横山春喜（NTT）・宝川幸司（神奈川工科大） |
[more] | ED2005-136 CPM2005-123 LQE2005-63 pp.85-88 |
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