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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM | 2015-01-27 10:50 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］ゲルマニウムソース薄膜ひずみSOIトンネルFETの実現とその電気特性に与えるひずみ、MOS界面、バックバイアスの効果 ○金 閔洙・若林勇希・中根了昌・横山正史・竹中 充・高木信一（東大）  SDM2014-137 |
本論文では、ゲルマニウムソース/ひずみシリコンチャネルヘテロ接合トンネルFETの高性能動作の実証結果を示す。シリコンチャ... [more] | SDM2014-137 pp.9-12 |
| OPE, LQE (共催) |
2014-06-20 16:40 |
東京 | 機械振興会館 | III-V CMOSフォトニクスを用いた小型低クロストーク光スイッチ ○一宮佑希・横山正史・竹中 充・高木信一（東大） OPE2014-21 LQE2014-26 |
III-V CMOSフォトニクスは、基板貼り合わせによって作製したIII-V on insulator (III-V-O... [more] | OPE2014-21 LQE2014-26 pp.39-42 |
| SDM | 2014-01-29 15:05 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］強い短チャネル効果耐性と閾値変調性を持つ極薄膜InAs-on-Insulator Tri-Gate MOSFET ○金 相賢・横山正史・中根了昌（東大）・市川 磨・長田剛規・秦 雅彦（住友化学）・竹中 充・高木信一（東大） SDM2013-144 |
[more] | SDM2013-144 pp.39-42 |
| SDM | 2013-06-18 11:15 |
東京 | 機械振興会館 | InGaAs MOSゲートスタック電気特性に与えるメタルゲート電極の影響 ○張 志宇・横山正史・金 相賢（東大）・市川 磨・長田剛規・秦 雅彦（住友化学）・竹中 充・高木信一（東大） SDM2013-50 |
メタルゲート電極がInGaAs MOSゲートスタックの電気特性に与える影響を評価するために、Al2O3/InGaAsとH... [more] | SDM2013-50 pp.33-37 |
| OPE, R, CPM (共催) |
2011-04-22 15:00 |
東京 | 機械振興会館 | ラジアル偏光ラゲールガウス光生成用液晶光学素子の試作と評価 ○橋本信幸・田辺綾乃・齋藤友香・横山正史・松本健志・栗原 誠（シチズンホールディングス） R2011-5 CPM2011-5 OPE2011-5 |
液晶素子は半波長電圧が僅かに数Vであり, 光波のアクティブな制御素子として本質的に優れている.本研究では12領域に分割配... [more] | R2011-5 CPM2011-5 OPE2011-5 pp.19-22 |
| EMD, OPE, LQE, CPM (共催) |
2010-08-26 15:00 |
北海道 | 千歳アルカディアプラザ | 高性能光電子集積回路実現に向けたIII-V CMOSプラットフォーム技術 ○竹中 充・横山正史・杉山正和・中野義昭・高木信一（東大） EMD2010-35 CPM2010-51 OPE2010-60 LQE2010-33 |
[more] | EMD2010-35 CPM2010-51 OPE2010-60 LQE2010-33 pp.45-48 |
| SDM | 2010-06-22 14:10 |
東京 | 東京大学（生産研An棟） | High-k/III‐V界面の組成・構造とMIS特性との関係 ○安田哲二・宮田典幸・卜部友二・石井裕之・板谷太郎・前田辰郎（産総研）・山田 永・福原 昇・秦 雅彦（住友化学）・大竹晃浩（物質・材料研究機構）・星井拓也・横山正史・竹中 充・高木信一（東大） SDM2010-42 |
ゲート長が10 nm以下となる技術世代において駆動力向上と低消費電力化を可能にする技術としてIII-V族半導体をチャネル... [more] | SDM2010-42 pp.49-54 |
| OPE | 2006-12-15 15:00 |
東京 | 機械振興会館 | 強磁性MnAsによる非相反損失にもとづくTMモード導波路型光アイソレータ ○雨宮智宏・清水大雅・横山正史・P. N. Hai・田中雅明・中野義昭（東大/JST-SORST） |
[more] | OPE2006-126 pp.19-22 |
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