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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
MW, ED
(共催)
2021-01-29
13:00
ONLINE オンライン開催 HfSiOxゲート AlGaN/GaN HEMTsのDC特性とMOS界面評価
越智亮太北大)・前田瑛里香芝浦工大/物質・材料研究機構)・生田目俊秀物質・材料研究機構)・塩﨑宏司名大)・橋詰 保北大/名大ED2020-31 MW2020-84
GaN系HEMTは5G基地局用RF増幅器として期待されている。大振幅動作時のゲート漏れ電流制御や経時劣化性の観点から絶縁... [more] ED2020-31 MW2020-84
pp.22-25
ED, MW
(共催)
2018-01-25
16:10
東京 機械振興会館地下3階研修2号室 絶縁ゲートAlGaN/GaN HEMTにおける電流線形性の向上
金木奨太西口賢弥北大)・尾崎史郎富士通研)・橋詰 保北大ED2017-95 MW2017-164
 [more] ED2017-95 MW2017-164
pp.11-14
SDM 2017-11-09
15:40
東京 機械振興会館 [招待講演]深いトラップを含むGaN MOSキャパシタ容量のシミュレーション
福田浩一浅井栄大服部淳一清水三聡産総研)・橋詰 保北大SDM2017-66
深いトラップ準位を含むGaN MOSキャパシタの容量をtransientモードで解析する手法を検証し,周波数分散など各非... [more] SDM2017-66
pp.27-32
SDM 2015-06-19
09:30
愛知 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー [依頼講演]Al2O3/AlGaN/GaN構造の界面電子準位評価
谷田部然治橋詰 保北大SDM2015-38
ドライエッチングをしたAlGaN上にAl2O3絶縁ゲート構造を作製し、絶縁膜/半導体界面の特性評価を行なった.評価には室... [more] SDM2015-38
pp.1-4
LQE, ED, CPM
(共催)
2014-11-28
14:05
大阪 大阪大学 吹田キャンパス 理工学図書館 AlGaN/GaN HEMTにおけるオフストレス後の表面帯電の影響
西口賢弥橋詰 保北大ED2014-92 CPM2014-149 LQE2014-120
 [more] ED2014-92 CPM2014-149 LQE2014-120
pp.91-95
LQE, ED, CPM
(共催)
2014-11-28
16:00
大阪 大阪大学 吹田キャンパス 理工学図書館 GaN自立基板の表面におけるサーマルクリーニングの効果
岡田俊祐三宅秀人平松和政三重大)・宮川鈴衣奈江龍 修名工大)・橋詰 保北大ED2014-96 CPM2014-153 LQE2014-124
極性面である(0001)面及び非極性面である(10-10)面や(20-21)面,(20-2-1)面を主面とするGaN自立... [more] ED2014-96 CPM2014-153 LQE2014-124
pp.111-115
ED, LQE, CPM
(共催)
2012-11-29
15:25
大阪 大阪市立大学 プロセス条件がAlGaN/GaNヘテロMOS構造特性に与える影響
堀 祐臣谷田部然治馬 万程橋詰 保北大ED2012-74 CPM2012-131 LQE2012-102
原子層堆積法で形成したAl2O3膜をゲート絶縁膜としてAl2O3/AlGaN/GaNヘテロMOS構造を作製し、形成プロセ... [more] ED2012-74 CPM2012-131 LQE2012-102
pp.37-40
ED 2012-07-26
15:00
福井 福井大学 文京キャンパス産学官連携本部3F研修室 AlInN/GaN系へテロ構造の表面・界面評価
橋詰 保堀 祐臣赤澤正道北大ED2012-44
 [more] ED2012-44
pp.17-20
SDM, ED
(共催)
(ワークショップ)
2012-06-29
11:00
沖縄 沖縄県青年会館 Improved current stability in multi-mesa-channel AlGaN/GaN HEMTs
Kota OhiTamotsu HashizumeHokkaido Univ.
We have proposed and characterized a multi-mesa-channel (MMC... [more]
ED, SDM, CPM
(共催)
2012-05-18
09:25
愛知 豊橋技術科学大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー ドライエッチ面を含むAl2O3/AlGaN/GaN構造の界面評価
谷田部然治堀 祐臣金 聖植橋詰 保北大ED2012-27 CPM2012-11 SDM2012-29
ドライエッチングしたAlGaN表面に形成したMOS構造の評価を行った.ドライエッチングには、Cl2/BCl3ガスによるI... [more] ED2012-27 CPM2012-11 SDM2012-29
pp.49-52
ED, MW
(共催)
2012-01-12
14:05
東京 機械振興会館 GaNおよびAlGaN/GaN上に形成した絶縁ゲート構造への表面処理の影響
堀 祐臣金 聖植北大)・橋詰 保北大/JSTED2011-136 MW2011-159
 [more] ED2011-136 MW2011-159
pp.97-100
LQE, ED, CPM
(共催)
2011-11-17
13:20
京都 京都大学桂キャンパス 桂ホール ドライエッチ面を含むGaNおよびAlGaN界面の評価
金 聖植堀 祐臣谷田部然治橋詰 保北大ED2011-78 CPM2011-127 LQE2011-101
ドライエッチングしたGaNおよびAlGaN表面に形成したMOS構造の評価を行った。ドライエッチングには、CH4/H2/N... [more] ED2011-78 CPM2011-127 LQE2011-101
pp.25-28
ED 2011-07-29
14:45
新潟 長岡技術科学大学マルチメディアシステムセンター AlGaN/GaN HEMTにおけるMOS界面特性と電流コラプスの評価
橋詰 保水江千帆子掘 祐臣田島正文大井幸多北大ED2011-40
 [more] ED2011-40
pp.17-20
MW, ED
(共催)
2011-01-14
09:30
東京 機械振興会館 デュアルゲート構造を用いたAlGaN/GaN HEMTの電流コラプスの表面帯電部位依存性の評価
田島正文橋詰 保北大ED2010-182 MW2010-142
我々はデュアルゲート構造を用いてゲートストレス位置がAlGaN/GaN高電子移動度トランジスタ(HEMT)の電流コラプス... [more] ED2010-182 MW2010-142
pp.41-44
CPM, LQE, ED
(共催)
2010-11-11
16:25
大阪 阪大 中ノ島センター 多重台形ナノチャネルAlGaN/GaN HEMTの電流制御性
大井幸多北大)・橋詰 保北大/JSTED2010-152 CPM2010-118 LQE2010-108
ゲート電極直下のみに周期的トレンチ構造を形成した多重台形チャネル(MMC) AlGaN/GaN HEMTを作製し,評価を... [more] ED2010-152 CPM2010-118 LQE2010-108
pp.47-50
CPM, LQE, ED
(共催)
2010-11-12
10:00
大阪 阪大 中ノ島センター GaNおよびAlGaN/GaN構造への絶縁ゲート形成と評価
堀 祐臣原田脩央水江千帆子北大)・橋詰 保北大/JSTED2010-154 CPM2010-120 LQE2010-110
GaNおよびAlGaN/GaN構造に対し、原子層堆積法で形成したAl2O3膜、および電気化学酸化法で形成した酸化膜による... [more] ED2010-154 CPM2010-120 LQE2010-110
pp.55-58
ED, SDM
(共催)
2010-06-30
16:00
東京 東工大 大岡山キャンパス Electrochemical formation of InP porous structures for their application to photoelectric conversion devices
Hiroyuki OkazakiTaketomo SatoNaoki YoshizawaTamotsu HashizumeHokkaido UnivED2010-71 SDM2010-72
 [more] ED2010-71 SDM2010-72
pp.85-89
ED, SDM
(共催)
2010-07-02
10:50
東京 東工大 大岡山キャンパス Characterization of deep electron levels of AlGaN grown by MOVPE
Kimihito OoyamaHokkaido Univ./SMM)・Katsuya SugawaraHokkaido Univ.)・Hiroyuki TaketomiHideto MiyakeKazumasa HiramatsuMie Univ.)・Tamotsu HashizumeHokkaido Univ./JSTED2010-107 SDM2010-108
 [more] ED2010-107 SDM2010-108
pp.249-252
ED, SDM
(共催)
2010-07-02
11:05
東京 東工大 大岡山キャンパス Characteristics of GaN p-n diode with damage layer induced by ICP plasma process
Tsutomu UesugiTetsu KachiToyota Central R&D Labs.)・Tamotsu HashizumeHokkaido Univ.ED2010-108 SDM2010-109
 [more] ED2010-108 SDM2010-109
pp.253-256
ED 2010-06-17
13:50
石川 北陸先端大 電気化学的手法によるInP多孔質構造の形成と高感度化学センサへの応用
佐藤威友吉澤直樹岡崎拓行橋詰 保北大ED2010-35
電気化学的手法により自己組織化形成されるn-InP多孔質構造の形成条件を最適化し、孔径約100nmで深さ10ミクロン以上... [more] ED2010-35
pp.11-15
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