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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
MW, ED
(共催)
2021-01-29
13:00
ONLINE オンライン開催 (オンライン) HfSiOxゲート AlGaN/GaN HEMTsのDC特性とMOS界面評価
越智亮太北大)・前田瑛里香芝浦工大/物質・材料研究機構)・生田目俊秀物質・材料研究機構)・塩﨑宏司名大)・橋詰 保北大/名大ED2020-31 MW2020-84
GaN系HEMTは5G基地局用RF増幅器として期待されている。大振幅動作時のゲート漏れ電流制御や経時劣化性の観点から絶縁... [more] ED2020-31 MW2020-84
pp.22-25
ED, MW
(共催)
2018-01-25
16:10
東京 機械振興会館地下3階研修2号室 (東京都) 絶縁ゲートAlGaN/GaN HEMTにおける電流線形性の向上
金木奨太西口賢弥北大)・尾崎史郎富士通研)・橋詰 保北大ED2017-95 MW2017-164
 [more] ED2017-95 MW2017-164
pp.11-14
SDM 2017-11-09
15:40
東京 機械振興会館 (東京都) [招待講演]深いトラップを含むGaN MOSキャパシタ容量のシミュレーション
福田浩一浅井栄大服部淳一清水三聡産総研)・橋詰 保北大SDM2017-66
深いトラップ準位を含むGaN MOSキャパシタの容量をtransientモードで解析する手法を検証し,周波数分散など各非... [more] SDM2017-66
pp.27-32
SDM 2015-06-19
09:30
愛知 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー (愛知県) [依頼講演]Al2O3/AlGaN/GaN構造の界面電子準位評価
谷田部然治橋詰 保北大SDM2015-38
ドライエッチングをしたAlGaN上にAl2O3絶縁ゲート構造を作製し、絶縁膜/半導体界面の特性評価を行なった.評価には室... [more] SDM2015-38
pp.1-4
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