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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| ED | 2011-07-29 14:45 |
新潟 | 長岡技術科学大学マルチメディアシステムセンター | AlGaN/GaN HEMTにおけるMOS界面特性と電流コラプスの評価 ○橋詰 保・水江千帆子・掘 祐臣・田島正文・大井幸多（北大）  ED2011-40 |
[more] | ED2011-40 pp.17-20 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2010-11-12 10:00 |
大阪 | 阪大 中ノ島センター | GaNおよびAlGaN/GaN構造への絶縁ゲート形成と評価 ○堀 祐臣・原田脩央・水江千帆子（北大）・橋詰 保（北大/JST） ED2010-154 CPM2010-120 LQE2010-110 |
GaNおよびAlGaN/GaN構造に対し、原子層堆積法で形成したAl2O3膜、および電気化学酸化法で形成した酸化膜による... [more] | ED2010-154 CPM2010-120 LQE2010-110 pp.55-58 |
| ED | 2010-06-17 16:15 |
石川 | 北陸先端大 | AlGaN/GaN MIS構造におけるC-V特性の解釈 ○水江千帆子（北大）・橋詰 保（北大/JST） ED2010-40 |
[more] | ED2010-40 pp.37-40 |
| ED, MW (共催) |
2010-01-14 13:40 |
東京 | 機械振興会館 | Al2O3/AlGaN/GaNおよびAl2O3/n-GaN構造における界面特性 ○水江千帆子・堀 祐臣・橋詰 保（北大） ED2009-185 MW2009-168 |
[more] | ED2009-185 MW2009-168 pp.61-64 |
| SDM, ED (共催) |
2009-06-25 11:00 |
海外 | 海雲台グランドホテル（釜山、韓国） | 原子層堆積により形成したAl2O3/n-GaN構造の界面評価 ○大山公士（北大/Sumitomo Metal Mining）・水江千帆子・堀 祐臣・橋詰 保（北大） ED2009-74 SDM2009-69 |
[more] | ED2009-74 SDM2009-69 pp.109-112 |
| ED | 2009-06-11 16:00 |
東京 | 東京工業大学 | 原子層堆積により形成したAl2O3/AlGaN/GaNの界面評価 ○水江千帆子・堀 祐臣（北大）・ミツェーク マルチン（Silesian Univ. of Tech.）・橋詰 保（北大） ED2009-41 |
[more] | ED2009-41 pp.27-30 |
| CPM, ED, LQE (共催) |
2007-10-11 17:35 |
福井 | 福井大学 | 絶縁膜/n-GaN構造の光応答とセンサ応用 ○水江千帆子・松山哲也・小谷淳二・ミツェーク マルチン・橋詰 保（北大） ED2007-164 CPM2007-90 LQE2007-65 |
Metal-Insulator-Semiconductor(MIS)構造を用いた紫外光センサ構造を目的として、絶縁膜にA... [more] | ED2007-164 CPM2007-90 LQE2007-65 pp.43-46 |
| ED, CPM, LQE (共催) |
2006-10-05 15:20 |
京都 | 京都大学 | 窒化物半導体電子デバイスにおける接合制御 ○木村 健・小谷淳二・加藤寛樹・田島正文・小川恵理・水江千帆子・橋詰 保（北大） |
[more] | ED2006-157 CPM2006-94 LQE2006-61 pp.29-34 |
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