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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
EE, WPT
(併催)
2016-10-06
16:25
京都 龍谷大学 セミナーハウス ともいき荘 (京都市) マイクロ波絶縁ゲートドライバーを用いたパワーデバイス駆動技術
崔 成伯永井秀一根来 昇河井康史田畑 修山田康博上野弘明上田哲三パナソニックAISEE2016-23 WPT2016-29
新しい電力形態である双方向に電力を送電する分散型電源システムは、小型化や低損失化が今後の設備普及において課題となっている... [more] EE2016-23 WPT2016-29
pp.25-30(EE), pp.55-60(WPT)
ICD, CPSY
(共催)
2015-12-18
10:50
京都 京都工芸繊維大学 [招待講演]GaNパワーデバイスとGaN集積回路の展開
永井秀一パナソニックICD2015-86 CPSY2015-99
近年、高速・高温で動作し、低損失特性に優れたGaNパワー半導体デバイスが注目されている。本論分では、GaNパワーデバイス... [more] ICD2015-86 CPSY2015-99
pp.83-85
ICD, SDM
(共催)
2012-08-03
10:05
北海道 札幌市男女共同参画センター [招待講演]マイクロ波駆動技術を用いた絶縁型ゲート駆動回路
永井秀一根来 昇福田健志河井康史上田哲三田中 毅大塚信之上田大助パナソニックSDM2012-79 ICD2012-47
ゲート制御信号を5.8GHzの高周波信号に変調して非接触電力伝送を行った後に信号を復元するマイクロ波駆動技術を用い、絶縁... [more] SDM2012-79 ICD2012-47
pp.89-92
SDM, ED
(共催)
(ワークショップ)
2012-06-29
08:15
沖縄 沖縄県青年会館 [招待講演]Integrated Design Platform for Power Electronics Applications with GaN Devices
Kenji MizutaniHiroaki UenoYuji KudohShuichi NagaiKaoru InoueNobuyuki OtsukaTetsuzo UedaTsuyoshi TanakaDaisuke UedaPanasonic
 [more]
ED 2010-12-17
10:35
宮城 東北大学 電気通信研究所 [招待講演]準ミリ波長距離伝送に向けた低コスト基板上GaNデバイス
酒井啓之黒田正行根来 昇村田智洋永井秀一西嶋将明按田義治上田哲三田中 毅パナソニックED2010-167
準ミリ波帯での長距離通信向けの低コスト基板上GaN送受信デバイスを開発した。受信用には高周波特性に優れたサファイア基板を... [more] ED2010-167
pp.53-58
MW 2008-08-28
14:20
大阪 大阪大学(豊中) サファイア基板上準ミリ波帯AlGaN/GaN MMIC
村田智洋黒田正行松下電器)・永井秀一Panasonic Boston Lab.)・西嶋将明石田秀俊柳原 学上田哲三酒井啓之田中 毅松下電器)・Ming LiPanasonic Boston Lab.MW2008-85
サファイア基板上にAlGaN/GaN HFETとマイクロストリップ線路からなる整合回路を集積化した準ミリ波帯増幅器MMI... [more] MW2008-85
pp.37-40
SDM, ED
(共催)
2008-07-11
10:50
北海道 かでる2・7(札幌) AlNパッシベーションを用いた10400V耐圧AlGaN/GaN HFET
柴田大輔松尾尚慶松下電器)・永井秀一Ming LiPanasonic Boston Lab)・鶴見直大石田秀俊柳原 学上本康裕上田哲三田中 毅上田大助松下電器ED2008-73 SDM2008-92
 [more] ED2008-73 SDM2008-92
pp.177-181
SDM, ED
(共催)
2008-07-11
14:20
北海道 かでる2・7(札幌) AlGaN/GaN-based Millimeter Wave Monolithic ICs with Laser-Drilled Via-holes Through Sapphire
Tomohiro MurataMasayuki KurodaMatsushita Electric Industrial)・Shuichi NagaiPanasonic Boston Lab.)・Masaaki NishijimaHidetoshi IshidaManabu YanagiharaTetsuzo UedaHiroyuki SakaiTsuyoshi TanakaMatsushita Electric Industrial)・Ming LiPanasonic Boston Lab.ED2008-103 SDM2008-122
We present K-band AlGaN/GaN HFET MMIC amplifiers on sapphire... [more] ED2008-103 SDM2008-122
pp.331-335
ED, MW
(共催)
2008-01-16
16:15
東京 機械振興会館 10400V耐圧AlGaN/GaN HFET
柴田大輔上本康裕柳原 学石田秀俊松下電器)・永井秀一Panasonic Boston Lab.)・松尾尚慶松下電器)・Ming LiPanasonic Boston Lab.)・上田哲三田中 毅上田大助松下電器ED2007-213 MW2007-144
我々は、サファイア基板に形成したビアホールと厚膜多結晶AlNパッシベーションにより、従来の限界を超えた高耐圧でかつ低抵抗... [more] ED2007-213 MW2007-144
pp.39-43
ED, MW
(共催)
2008-01-17
14:50
東京 機械振興会館 2.5Gcpsスペクトル拡散変調を用いた26GHz帯自動車用短距離UWBレーダ
福田健志根来 昇宇治田信二永井秀一西嶋将明酒井啓之田中 毅上田大助松下電器ED2007-223 MW2007-154
26GHz帯超高帯域無線(UWB)を用いた車載用近距離レーダの無線部およびマイクロ波モノリシック集積回路(MMIC)の試... [more] ED2007-223 MW2007-154
pp.93-97
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