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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM [詳細] 2008-11-14
15:00
東京 機械振興会館 ナノスケールMOSFETチャネル中の引力型イオンがデバイス電気特性に与える影響
鎌倉良成ミリニコフ ゲナディ森 伸也阪大)・江崎達也広島大SDM2008-179
非平衡グリーン関数法に基づく3次元デバイスシミュレータを用いて,無ドープのチャネル中に存在する単一の引力型イオン(ドナー... [more] SDM2008-179
pp.61-66
SDM, VLD
(共催)
2007-10-30
10:50
東京 機械振興会館 粗視化手法を用いた極微細MOSFETの量子輸送シミュレーション
ミリニコフ ゲナディ・○森 伸也鎌倉良成阪大)・江崎達也広島大VLD2007-52 SDM2007-196
 [more] VLD2007-52 SDM2007-196
pp.11-14
SDM, VLD
(共催)
2006-09-26
16:15
東京 機械振興会館 反転層量子化サブバンドとチャネル方向依存性を考慮した歪Si-MOSFETのフルバンドモンテカルロシミュレーション
羽根正巳NEC)・池澤健夫河田道人NEC情報システムズ)・江崎達也広島大)・山本豊二MIRAI-ASET
反転層の量子化サブバンドを考慮した歪Si-MOSFETのフルバンドモンテカルロシミュレーションの手法を用いて、一軸応力を... [more] VLD2006-50 SDM2006-171
pp.65-69
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