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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM 2023-10-13
16:40
宮城 東北大学未来情報産業研究館5F 界面酸化を抑制したGaN MOS界面形成プロセス
近藤 剣上野勝典田中 亮高島信也江戸雅晴富士電機)・諏訪智之東北大SDM2023-60
本稿ではGaN MOSFETのMOS界面酸化が電気的特性に及ぼす影響とともに, 低酸化なGaN/SiO2 MOS界面形成... [more] SDM2023-60
pp.40-45
ED, CPM, LQE
(共催)
2021-11-26
13:00
ONLINE オンライン開催 表面処理の異なるAu/Ni/n-GaNショットキー電極の界面顕微光応答法による評価
塩島謙次福井大)・田中 亮高島信也上野勝典江戸雅晴富士電機ED2021-28 CPM2021-62 LQE2021-40
界面顕微光応答法(SIPM)を用いて,n-GaNに電極を蒸着する前の表面処理に着目して、面内均一性、熱的安定性を評価した... [more] ED2021-28 CPM2021-62 LQE2021-40
pp.63-66
ED, LQE, CPM
(共催)
2015-11-26
13:10
大阪 大阪市立大学・学術情報センター会議室 ホール効果測定による低濃度Mgドープp型GaNの正孔キャリア密度および移動度の解析
堀田昌宏京大)・高島信也田中 亮松山秀昭上野勝典江戸雅晴富士電機)・須田 淳京大ED2015-72 CPM2015-107 LQE2015-104
低濃度Mgドープp型GaN (Mg濃度$6.5times 10^{16}~mbox{cm}^{-3}$)に対してホール効... [more] ED2015-72 CPM2015-107 LQE2015-104
pp.21-25
EE, IEE-IEA
(共催)
2009-05-29
13:00
東京 機械振興会館 携帯端末用PFM制御マイクロDC-DCコンバータの開発
菅原 聡信州大/富士電機デバイステクノロジー)・江戸雅晴山田耕平富士電機デバイステクノロジー)・佐藤敏郎山沢清人信州大EE2009-1
携帯端末への適用を目的として,マイクロDC-DCコンバータの開発を行った.開発したコンバータは,スイッチング用パワーMO... [more] EE2009-1
pp.1-5
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