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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
EMM, EA, ASJ-H
(共催)
2023-11-23
13:00
富山 大学コンソーシアム富山「駅前キャンパス」研修室1 [ポスター講演]脳卒中後dysarthria患者の発話明瞭度評価と発話明瞭度との関係性
池上浩平西大和リハビリテーション病院/愛知淑徳大)・井脇貴子牧 勝弘愛知淑徳大
脳卒中後のdysarthria 患者に見られる運動脳領域が関わる運動障害は, 発話明瞭度の低下の原因となっているが, 音... [more] EA2023-30 EMM2023-61
pp.11-16
SDM 2023-10-13
16:00
宮城 東北大学未来情報産業研究館5F 強度分布を有するエキシマレーザーアニールによる結晶粒径制御と低温ポリシリコン薄膜トランジスタ特性
西田 脩片山慶太中村大輔九大)・後藤哲也東北大)・池上 浩高知工科大SDM2023-58
エキシマレーザーアニール(ELA)法で結晶化した低温ポリシリコン(LTPS)薄膜トランジスタ(TFT)は、アモルファスシ... [more] SDM2023-58
pp.27-33
MRIS, ITE-MMS, IEE-MAG
(連催)
2019-10-18
14:15
福岡 九州大学 (西新プラザ) 単結晶ダイヤモンドへのスピン注入に向けた電極形成に関する研究
アブバクル エスラム坂井拓也ゼクリア アブデルラーマン九大)・片宗優貴九工大)・大曲新矢産総研)・妹川 要池上 浩九大)・堺 研一郎久留米高専)・吉武 剛九大MRIS2019-37
単結晶ダイヤモンドは長いスピン輸送長を可能とする材料として極めて有望である. ダイヤモンドは5.47 eVの大きなバンド... [more] MRIS2019-37
pp.119-122
SDM 2018-10-17
15:20
宮城 東北大学未来情報産業研究館5F Low-Temperature Formation of Ohmic Contact for Si TFT Fabrication by Excimer Laser Doping with Phosphoric Acid Coating
Kaname ImokawaKyushu Univ)・Nozomu TanakaKyushu Univ.)・Akira SuwaKyushu Univ)・Daisuke NakamuraTaizoh SadohKyushu Univ.)・Tetsuya GotoNew Industry Creation Hatchery Center, Tohoku Univ.)・Hiroshi IkenoueKyushu UnivSDM2018-54
Si TFTのコンタクト抵抗形成には、イオン注入やCVDなどの真空、高温(~500度)のプロセスが必要とされ,プリンタブ... [more] SDM2018-54
pp.11-14
SDM, OME
(共催)
2016-04-08
15:00
沖縄 沖縄県立博物館・美術館 博物館講座室 絶縁基板上における高Sn濃度(>10%)GeSn薄膜結晶の形成
茂藤健太松村 亮佐道泰造池上 浩宮尾正信九大SDM2016-6 OME2016-6
 [more] SDM2016-6 OME2016-6
pp.27-28
SDM, OME
(共催)
2016-04-08
16:50
沖縄 沖縄県立博物館・美術館 博物館講座室 スパッタSi膜へのマルチショットELAとメタルソース・ドレイン構造TFT
原田大成我喜屋風太安次富卓哉岡田竜弥野口 隆琉球大)・野田勘治諏訪 輝ギガフォトン)・池上 浩九大)・奥山哲雄東洋紡SDM2016-10 OME2016-10
 [more] SDM2016-10 OME2016-10
pp.39-41
OME, SDM
(共催)
2015-04-30
10:40
沖縄 大濱信泉記念館多目的ホール フレキシブルエレクトロニクスへ向けた非晶質GeSn/絶縁膜の横方向固相成長
松村 亮九大/学振)・知北大典甲斐友樹佐々木雅也佐道泰造池上 浩宮尾正信九大SDM2015-10 OME2015-10
次世代フレキシブルエレクトロニクス実現のため、高移動度材料であるGeSnを、安価なプラスチック基板の軟化温度である200... [more] SDM2015-10 OME2015-10
pp.39-40
SDM 2014-06-19
16:55
愛知 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー [依頼講演]絶縁膜上におけるIV族半導体多結晶薄膜の低温形成 ~ 低融点Snの活用 ~
黒澤昌志名大/学振)・田岡紀之名大)・池上 浩九大)・竹内和歌奈坂下満男中塚 理財満鎭明名大SDM2014-60
積層型 CMOS 回路や近赤外・中赤外光フォトディテクタの新規材料として,我々は IV 族多元半導体(GeSn, SiS... [more] SDM2014-60
pp.91-95
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