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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| MW, ED (共催) |
2011-01-14 11:25 |
東京 | 機械振興会館 | Ka帯20W出力AlGaN／GaN HEMTの開発 ○松下景一・桜井博幸・柏原 康・増田和俊・小野寺 賢・川崎久夫・高木一考・高田賢治・津田邦男（東芝）  ED2010-186 MW2010-146 |
Ka帯GaNデバイスによるSSPA（固体素子増幅器）はSATCOM（衛星通信）を中心としたミリ波TWTAの置換市場をター... [more] | ED2010-186 MW2010-146 pp.61-64 |
| ED | 2009-06-11 16:50 |
東京 | 東京工業大学 | AlGaN/GaN-HEMTに対するドライエッチングの低ダメージ化の検討 ○蔵口雅彦・湯元美樹・高田賢治・津田邦男（東芝） ED2009-43 |
GaN系電子デバイスにおいて特性向上を図るため、ゲートリセス構造が有望である。窒化物半導体ではウエットエッチングによる精... [more] | ED2009-43 pp.37-40 |
| ED | 2009-06-12 11:50 |
東京 | 東京工業大学 | SiC基板上AlGaN/GaN HEMTの基板オフ角依存 ○松下景一・桜井博幸・沈 正七・高木一考・川崎久夫・高田賢治・津田邦男（東芝） ED2009-49 |
[more] | ED2009-49 pp.69-72 |
| MW, ED (共催) |
2009-01-14 16:15 |
東京 | 機械振興会館 | 高耐圧GaN-HEMTの無電極ランプ照明回路への応用 ○齋藤 渉（東芝）・土門知一（東芝ビジネスアンドライフサービス）・大村一郎・新田智洋・垣内頼人・齋藤泰伸・津田邦男・山口正一（東芝） ED2008-204 MW2008-169 |
高耐圧GaN-HEMTを用いた共振インバータ回路による無電極ランプ照明回路を検証した結果について報告する。電流コラプスに... [more] | ED2008-204 MW2008-169 pp.35-40 |
| SDM, R, ED (共催) |
2007-11-16 14:55 |
大阪 | 中央電気倶楽部 | AlGaN/GaN HEMTのDCストレスによる信頼性評価 ○松下景一・寺本信一郎・桜井博幸・沈 正七・川崎久夫・高木一考・高田賢治・津田邦男（東芝） R2007-50 ED2007-183 SDM2007-218 |
AlGaN/GaN HEMTは次世代の高周波パワーデバイスとして期待されている。AlGaN/GaN HEMTは高温、高電... [more] | R2007-50 ED2007-183 SDM2007-218 pp.23-26 |
| CPM, ED, LQE (共催) |
2007-10-12 12:05 |
福井 | 福井大学 | Ku帯50W出力AlGaN/GaN-HEMTの開発 ○柏原 康・高木重徳・増田和俊・松下景一・小野寺 賢・高木一考・川崎久夫・高田賢治・津田邦男（東芝） ED2007-172 CPM2007-98 LQE2007-73 |
AlGaN/GaN HEMT 2チップをパッケージ実装した素子において、13.5GHz、CW動作、ドレイン電圧(Vds)... [more] | ED2007-172 CPM2007-98 LQE2007-73 pp.81-84 |
| MW, ED (共催) |
2007-01-19 15:50 |
東京 | 機械振興会館 | GaN-HEMTを用いた高電圧・高周波（>10MHz）E級アンプ回路 ○齋藤 渉・土門知一・津田邦男・大村一郎（東芝） |
GaN-HEMTは、高い臨界電界と2DEGチャネルの高移動度により高耐圧・超低オン抵抗を実現できるため、モーター駆動や電... [more] | ED2006-237 MW2006-190 pp.205-208 |
| MW, ED (共催) |
2007-01-19 16:15 |
東京 | 機械振興会館 | X帯80W出力AlGaN/GaN HEMT開発 ○松下景一・柏原 康・増田和俊・桜井博幸・高塚眞治・高木一考・川崎久夫・高田賢治・津田邦男（東芝） |
Ｘ帯アプリケション向けにAlGaN/GaN HEMTを開発している。ゲート幅11.52mmのAlGaN/GaN HEMT... [more] | ED2006-238 MW2006-191 pp.209-212 |
| ED, CPM, LQE (共催) |
2006-10-05 13:00 |
京都 | 京都大学 | X帯40W出力 AlGaN/GaN HEMTの開発 ○柏原 康・増田和俊・松下景一・桜井博幸・高塚眞治・高木一考・川崎久夫・高田賢治・津田邦男（東芝） |
我々はＸ帯アプリケション向けにAlGaN/GaN HEMTを開発している。ゲート幅11.52mmのAlGaN/GaN H... [more] | ED2006-152 CPM2006-89 LQE2006-56 pp.1-5 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2005-10-13 13:30 |
滋賀 | 立命館大学 | C帯170W出力GaN-HEMTの開発 ○高田賢治・桜井博幸・松下景一・増田和俊・高塚眞治・蔵口雅彦・鈴木拓馬・鈴木 隆・広瀬真由美・川崎久夫・高木一考・津田邦男（東芝） |
AlGaN/GaN HEMTは次世代の高周波パワーデバイスとして期待され、最近ではL帯アプリケーション向けとして非常に優... [more] | ED2005-126 CPM2005-113 LQE2005-53 pp.39-42 |
| MW, ED (共催) |
2005-01-18 13:25 |
東京 | 機械振興会館 | 5W出力1.9GHｚ動作のAlGaN/GaN-HEMT SPDTスイッチ ○広瀬真由美・高田賢治・蔵口雅彦・佐々木忠寛・鈴木 隆・津田邦男（東芝） |
アンドープAlGaN/GaNのHEMTを用いて、1.9GHz動作、5W出力のSPDTスイッチを試作した。HEMT構造は、... [more] | ED2004-219 MW2004-226 pp.41-45 |
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