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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM 2022-11-11
13:00
ONLINE オンライン開催 [招待講演]クライオCMOSにおける電子移動度制限要因の理解
岡 博史稲葉 工飯塚将太浅井栄大加藤公彦森 貴洋産総研SDM2022-74
高集積量子コンピュータを実現するため、量子ビットの制御機能を集積回路化し極低温環境下で動作させる技術が期待されている。量... [more] SDM2022-74
p.49
ICD, SDM
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2022-08-09
11:05
ONLINE オンライン開催に変更 現地開催(北海道大学百年記念会館)は中止 [招待講演]極低温動作MOSFETのクーロン散乱移動度に対するバンド端準位の影響
岡 博史稲葉 工飯塚将太浅井栄大加藤公彦森 貴洋産総研SDM2022-46 ICD2022-14
大規模な量子コンピュータの実現に向けて、量子ビットの制御機能を集積回路化するクライオCMOS技術が期待されている。極低温... [more] SDM2022-46 ICD2022-14
pp.54-59
ICD, SDM
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2022-08-09
11:50
ONLINE オンライン開催に変更 現地開催(北海道大学百年記念会館)は中止 極低温MOSFETにおける閾値増大現象のTCADシミュレーション解析
浅井栄大稲葉 工服部淳一福田浩一岡 博史森 貴洋産総研SDM2022-47 ICD2022-15
 [more] SDM2022-47 ICD2022-15
pp.60-63
SDM 2021-11-12
11:30
ONLINE オンライン開催 [招待講演]セルオートマトン法によるGaN HEMTの移動度の温度依存のモデリング
福田浩一服部淳一浅井栄大産総研)・矢板潤也小谷淳二富士通SDM2021-62
GaN HEMTの移動度の温度依存モデリングにセルオートマトン法を適用した。分布関数をテーブルで持ち微小時間ステップごと... [more] SDM2021-62
pp.47-52
SDM, ICD
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2021-08-17
10:15
ONLINE オンライン開催 [招待講演]誤り訂正大規模量子コンピュータに実装可能な高速かつ低ばらつきなシリコンスピン量子ビット動作を実現する埋め込み型微小磁石の集積技術
飯塚将太加藤公彦八木下淳史浅井栄大上田哲也岡 博史服部淳一池上 努福田浩一森 貴洋産総研SDM2021-30 ICD2021-1
シリコンスピン量子ビットの高速操作と高い製造ばらつき耐性を同時に実現可能な埋め込み微小磁石の集積構造を提案し、TCADベ... [more] SDM2021-30 ICD2021-1
pp.1-6
SDM 2020-11-20
16:40
ONLINE オンライン開催 [招待講演]第一原理バンド計算を基盤とした原子層チャネルトンネルトランジスタのTCADシミュレーション
浅井栄大産総研)・黒田龍哉阪大)・福田浩一服部淳一池上 努産総研)・森 伸也阪大SDM2020-34
 [more] SDM2020-34
pp.58-62
SDM 2019-11-08
09:30
東京 機械振興会館 [招待講演]強誘電体電界効果トランジスタの動的挙動のデバイスシミュレーション
服部淳一池上 努福田浩一太田裕之右田真司浅井栄大産総研SDM2019-74
ゲート・スタックに有する強誘電体膜の特性を利用する強誘電体電界効果トランジスタについて,その非定常状態における振る舞いを... [more] SDM2019-74
pp.27-32
SDM, ICD
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2019-08-07
14:15
北海道 北海道大学 情報科学院 3F A31 二次元チャネルFETの電流電圧特性におけるフリンジ電界効果のTCAD解析
浅井栄大張 文馨岡田直也福田浩一入沢寿史産総研SDM2019-37 ICD2019-2
遷移金属ダイカルコゲナイド (TMDC)に代表される層状材料を用いた二次元チャネルFET は、究極のスケーリン
グを実... [more]
SDM2019-37 ICD2019-2
pp.7-10
SDM 2019-01-29
09:30
東京 機械振興会館 [招待講演]強誘電体負性容量のマルチドメイン動力学とトランジスタ特性特性への影響
太田裕之池上 努福田浩一服部淳一浅井栄大遠藤和彦右田真司産総研)・鳥海 明東大SDM2018-81
本研究では,マルチドメイン分極を考慮した強誘電体負性容量トランジスタの動的特性を内製TCADモジュールにより明らかにした... [more] SDM2018-81
pp.1-4
SDM 2018-11-09
14:20
東京 機械振興会館 [招待講演]強誘電体の負性容量を用いたトランジスタのデバイスシミュレーション
服部淳一池上 努福田浩一太田裕之右田真司浅井栄大産総研SDM2018-74
ゲート絶縁膜の一つに強誘電体膜を持ち,その負性容量状態を利用する負性容量トランジスタについて,その振る舞いをシミュレーシ... [more] SDM2018-74
pp.47-52
SDM 2018-01-30
11:00
東京 機械振興会館 [招待講演]過渡解析TCADシミュレーションによる強誘電体負性容量FinFETトランジスタの考察
太田裕之右田真司池上 努服部淳一浅井栄大福田浩一産総研)・鳥海 明東大SDM2017-91
 [more] SDM2017-91
pp.1-4
SDM 2017-11-09
15:40
東京 機械振興会館 [招待講演]深いトラップを含むGaN MOSキャパシタ容量のシミュレーション
福田浩一浅井栄大服部淳一清水三聡産総研)・橋詰 保北大SDM2017-66
深いトラップ準位を含むGaN MOSキャパシタの容量をtransientモードで解析する手法を検証し,周波数分散など各非... [more] SDM2017-66
pp.27-32
SDM, ICD
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2017-07-31
12:00
北海道 北海道大学情報教育館 ドレインオフセット構造を持った相補型TFET回路のTCADシミュレーション
浅井栄大森 貴洋服部淳一福田浩一遠藤和彦松川 貴産総研SDM2017-35 ICD2017-23
我々はSi チャネルトンネルトランジスタ(TFET)からなる相補型論理回路のTCAD シミュレーションを行い、ドレインオ... [more] SDM2017-35 ICD2017-23
pp.21-24
SDM 2017-01-30
10:00
東京 機械振興会館 [招待講演]等電子トラップ技術によるオン電流増大に伴う相補型トンネルトランジスタ回路の性能向上
森 貴洋浅井栄大服部淳一福田浩一大塚慎太郎森田行則大内真一更田裕司右田真司水林 亘太田裕之松川 貴産総研SDM2016-130
我々は等電子トラップ(IET)技術を用いて,シリコントンネルトランジスタ(TFET)による相補的回路の性能を改善した.I... [more] SDM2016-130
pp.1-4
QIT
(第二種研究会)
2013-05-27
- 2013-05-28
北海道 北海道大学 [ポスター講演]Inter-band fluctuations in macroscopic quantum tunneling with two-band superconductors
Yukihiro OtaFranco NoriRIKEN)・Hidehiro AsaiShiro KawabataAIST
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