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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM, ED, CPM
(共催)
2022-05-27
16:15
ONLINE オンライン開催 電気化学反応を利用した窒化ガリウムのウェットエッチングと機能性材料
佐藤威友渡久地政周北大ED2022-13 CPM2022-7 SDM2022-20
電気化学反応を利用したウェットエッチング(電気化学エッチング)により,窒化ガリウム(GaN)多孔質構造を形成した.GaN... [more] ED2022-13 CPM2022-7 SDM2022-20
pp.25-28
ED, CPM, LQE
(共催)
2021-11-26
16:00
ONLINE オンライン開催 低損傷コンタクトレス光電気化学エッチングを利用したリセスゲート AlGaN/GaN HEMTs の作製
渡久地政周三輪和希北大)・堀切文正福原 昇成田好伸市川 磨磯野僚多田中丈士サイオクス)・佐藤威友北大ED2021-34 CPM2021-68 LQE2021-46
コンタクトレス光電気化学(CL-PEC)エッチングを用いて、リセスゲート型AlGaN/GaN高電子移動度トランジスタ(H... [more] ED2021-34 CPM2021-68 LQE2021-46
pp.87-90
ED, CPM, LQE
(共催)
2021-11-26
16:25
ONLINE オンライン開催 光電気化学エッチング法を用いたAlGaInN/AlGaN HFETの作製
伊藤滉朔小松祐斗渡久地政周北大)・井上暁喜田中さくら三好実人名工大)・佐藤威友北大ED2021-35 CPM2021-69 LQE2021-47
低損傷加工技術である光電気化学(PEC)エッチング法を,AlGaInN/AlGaN MIS HFETのゲートリセス加工に... [more] ED2021-35 CPM2021-69 LQE2021-47
pp.91-94
ED, MW
(共催)
2020-01-31
11:45
東京 機械振興会館 地下3階6号室 コンタクトレス光電気化学(PEC)エッチングを用いたリセスゲートHEMTの作製
堀切文正福原 昇サイオクス)・渡久地政周三輪和希北大)・成田好伸市川 磨磯野僚多田中丈士サイオクス)・佐藤威友北大ED2019-98 MW2019-132
GaNは化学的に安定であるが、光電気化学(PEC)反応を用いる事で、低損傷な加工が可能である。通常、PEC反応を用いたエ... [more] ED2019-98 MW2019-132
pp.25-28
LQE, CPM, ED
(共催)
2017-11-30
15:50
愛知 名古屋工業大学 光電気化学反応を利用した窒化物半導体の低損傷エッチングと電子デバイスへの応用
植村圭佑松本 悟渡久地政周伊藤圭亮佐藤威友北大ED2017-54 CPM2017-97 LQE2017-67
窒化物半導体に対して,光電気化学反応を利用した低損傷ウェットエッチングプロセスを開発した.GaNと電解液界面の光電気化学... [more] ED2017-54 CPM2017-97 LQE2017-67
pp.23-26
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