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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM, ED, CPM (共催) |
2022-05-27 16:15 |
ONLINE | オンライン開催 | 電気化学反応を利用した窒化ガリウムのウェットエッチングと機能性材料 ○佐藤威友・渡久地政周（北大）  ED2022-13 CPM2022-7 SDM2022-20 |
電気化学反応を利用したウェットエッチング（電気化学エッチング）により，窒化ガリウム（GaN）多孔質構造を形成した．GaN... [more] | ED2022-13 CPM2022-7 SDM2022-20 pp.25-28 |
| ED, CPM, LQE (共催) |
2021-11-26 16:00 |
ONLINE | オンライン開催 | 低損傷コンタクトレス光電気化学エッチングを利用したリセスゲート AlGaN/GaN HEMTs の作製 ○渡久地政周・三輪和希（北大）・堀切文正・福原 昇・成田好伸・市川 磨・磯野僚多・田中丈士（サイオクス）・佐藤威友（北大） ED2021-34 CPM2021-68 LQE2021-46 |
コンタクトレス光電気化学(CL-PEC)エッチングを用いて、リセスゲート型AlGaN/GaN高電子移動度トランジスタ(H... [more] | ED2021-34 CPM2021-68 LQE2021-46 pp.87-90 |
| ED, CPM, LQE (共催) |
2021-11-26 16:25 |
ONLINE | オンライン開催 | 光電気化学エッチング法を用いたAlGaInN/AlGaN HFETの作製 ○伊藤滉朔・小松祐斗・渡久地政周（北大）・井上暁喜・田中さくら・三好実人（名工大）・佐藤威友（北大） ED2021-35 CPM2021-69 LQE2021-47 |
低損傷加工技術である光電気化学（PEC）エッチング法を，AlGaInN/AlGaN MIS HFETのゲートリセス加工に... [more] | ED2021-35 CPM2021-69 LQE2021-47 pp.91-94 |
| ED, MW (共催) |
2020-01-31 11:45 |
東京 | 機械振興会館 地下3階6号室 | コンタクトレス光電気化学(PEC)エッチングを用いたリセスゲートHEMTの作製 ○堀切文正・福原 昇（サイオクス）・渡久地政周・三輪和希（北大）・成田好伸・市川 磨・磯野僚多・田中丈士（サイオクス）・佐藤威友（北大） ED2019-98 MW2019-132 |
GaNは化学的に安定であるが、光電気化学(PEC)反応を用いる事で、低損傷な加工が可能である。通常、PEC反応を用いたエ... [more] | ED2019-98 MW2019-132 pp.25-28 |
| LQE, CPM, ED (共催) |
2017-11-30 15:50 |
愛知 | 名古屋工業大学 | 光電気化学反応を利用した窒化物半導体の低損傷エッチングと電子デバイスへの応用 ○植村圭佑・松本 悟・渡久地政周・伊藤圭亮・佐藤威友（北大） ED2017-54 CPM2017-97 LQE2017-67 |
窒化物半導体に対して，光電気化学反応を利用した低損傷ウェットエッチングプロセスを開発した．GaNと電解液界面の光電気化学... [more] | ED2017-54 CPM2017-97 LQE2017-67 pp.23-26 |
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