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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
MWPTHz, EST, MW, EMT, OPE
(共催)
IEE-EMT
(連催) [詳細]
2022-07-19
16:35
北海道 旭川市民文化会館
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
誘電体シートの接触による120GHz帯RF信号伝送の検討
枚田明彦牛尾政貴千葉工大)・渡邊一世関根徳彦笠松章史NICTEMT2022-30 MW2022-54 OPE2022-33 EST2022-31 MWPTHz2022-28
現在,テラヘルツ信号が内部を伝送する誘電体シート上に端末を置くだけでLAN接続を可能にするシート状LANは,シートごとに... [more] EMT2022-30 MW2022-54 OPE2022-33 EST2022-31 MWPTHz2022-28
pp.109-112
AP 2022-06-16
13:50
東京 機械振興会館
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
RF-IC搭載基板上に設けたマイクロストリップアンテナを一次放射器に用いたミリ波用パラボラアンテナ
神田泰明中嶋政幸須藤邦明アンテナ技研)・渡邊一世NICT)・石川雅澄アンテナ技研AP2022-31
ミリ波集積回路 (IC)を用いた高速無線通信やレーダーシステムの開発・実用化が盛んに 行われて いる。ミリ波は波長が短く... [more] AP2022-31
pp.13-16
MW 2022-03-04
10:30
ONLINE オンライン開催 誘電体のテラヘルツ帯測定結果による電波吸収体設計
李 尚曄東工大)・藤田真男豊田将之マクセル(株))・高野恭弥理科大)・原 紳介渡邊一世笠松章史NICT)・伊藤浩之東工大MW2021-132
 [more] MW2021-132
pp.117-121
ED, THz
(共催)
2021-12-21
10:20
宮城 東北大学・電気通信研究所
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
エピスケーリングを施したGaInSb-HEMTの特性評価と遅延時間解析
礒前雄人岸本尚之林 拓也國澤宗真東京理科大)・渡邊一世山下良美町田龍人原 紳介笠松章史NICT)・○遠藤 聡藤代博記東京理科大ED2021-57
我々は3種類のAl0.40In0.60Sb/Ga0.22In0.78Sb-HEMTを作製した.これらのHEMTエピタキシ... [more] ED2021-57
pp.44-47
AP, SANE, SAT
(併催)
2021-07-30
14:05
ONLINE オンライン開催 [依頼講演]Beyond 5Gに向けた300GHz帯フロントホール無線の電波伝搬の研究
枚田明彦千葉工大)・藤井勝巳渡邊一世関根徳彦笠松章史NICTAP2021-44
現在,次世代の移動体通信である Beyond 5G の研究開発が活性化している.ターゲットとする 100 Gbit/s ... [more] AP2021-44
pp.115-119
OPE, MW, MWP, EST, EMT
(共催)
IEE-EMT, THz
(連催)
(連催) [詳細]
2021-07-15
16:00
ONLINE オンライン開催 120GHz帯SRRバンドストップフィルタの 接触による透過性制御のアライメント依存性
枚田明彦千葉工大)・渡邊一世関根徳彦笠松章史NICTEMT2021-16 MW2021-21 OPE2021-10 EST2021-17 MWP2021-18
テラヘルツ波を利用した近接無線では,大容量データの瞬時転送が可能であるが,一つのシステムが広い帯域を使用するため,システ... [more] EMT2021-16 MW2021-21 OPE2021-10 EST2021-17 MWP2021-18
pp.50-53
MWP 2021-05-26
15:10
ONLINE オンライン開催 THz-TDS と VN Aによる 200-500 GHz におけるガラス複素誘電率測定
枚田明彦水津光司千葉工大)・渡邊一世関根徳彦笠松章史NICTMWP2021-3
100 Gbit/s のデータ伝送を可能にする 300 GHz 帯テラヘルツ(THz)無線リンクは,6G 移動体通信での... [more] MWP2021-3
pp.10-13
MWP 2020-05-28
15:55
ONLINE オンライン開催 120GHz帯SRRバンドストップフィルタの透過性制御
枚田明彦板倉弘一朗千葉工大)・戸村 崇広川二郎東工大)・渡邊一世関根徳彦笠松章史NICTMWP2020-5
 [more] MWP2020-5
pp.23-26
ED, MW
(共催)
2020-01-31
16:35
東京 機械振興会館 地下3階6号室 [招待講演]ミリ波・サブミリ波帯無線通信に向けた化合物半導体電子デバイスおよび高周波計測技術
渡邊一世山下良美笠松章史NICTED2019-105 MW2019-139
窒化ガリウム(GaN)系高電子移動度トランジスタ(HEMT)等の化合物半導体電子デバイスは,周波数100 GHz以上で動... [more] ED2019-105 MW2019-139
pp.59-64
ED, THz
(共催) [詳細]
2019-12-23
16:45
宮城 東北大学・電気通信研究所 歪みAl0.40In0.60Sb/Al0.25In0.75Sbステップバッファを用いたGaInSb n-チャネルHEMT
大澤幸希岩木拓也遠藤勇輝平岡瑞穂岸本尚之林 拓也東京理科大)・渡邊一世NICT/東京理科大)・山下良美原 紳介後藤高寛笠松章史NICT)・遠藤 聡藤代博記東京理科大ED2019-83
我々は,世界初となるGaInSb n-チャネルHEMTの作製に成功し,これらのHEMTの特性を評価した.我々が以前に作製... [more] ED2019-83
pp.29-32
MWP 2019-11-27
13:55
東京 機械振興会館 4X4平面スロットアレーアンテナの近傍界測定
枚田明彦千葉工大)・田中雄介久武信太郎岐阜大)・広川二郎東工大)・渡邊一世関根徳彦笠松章史NICTMWP2019-43
 [more] MWP2019-43
pp.5-8
ED, THz
(共催)
2018-12-18
09:00
宮城 東北大・通研 [招待講演]InP系、Sb系及びGaN系HEMTの高速化
遠藤 聡渡邊一世山下良美笠松章史NICT)・藤代博記東京理科大)・三村高志NICTED2018-62
我々は,電子ビーム露光法を用いて微細ゲートを有するInP系,Sb系及びGaN系HEMTを作製し,これらのHEMTの特性を... [more] ED2018-62
pp.35-38
ED, MW
(共催)
2018-01-25
15:45
東京 機械振興会館地下3階研修2号室 Si基板上に作製したInAlN-MIS-HEMTの遅延時間解析
吉田智洋住友電工)・山下良美NICT)・眞壁勇夫住友電工)・渡邊一世笠松章史NICT)・中田 健井上和孝住友電工ED2017-94 MW2017-163
 [more] ED2017-94 MW2017-163
pp.7-10
ED, THz
(共催)
2017-12-18
17:10
宮城 東北大通研ナノ・スピン棟 光誘起キャリヤによるテラヘルツ導波路内変調に関する基礎検討
島貫泰斗慶大)・渡邊一世笠松章史NICT)・田中敏幸門内靖明慶大ED2017-80
テラヘルツ帯で低損失な高抵抗シリコン結晶に励起光を照射し,導電率を変化させることによってテ ラヘルツ波を変調する方法につ... [more] ED2017-80
pp.29-32
ED, THz
(共催)
2017-12-19
09:00
宮城 東北大通研ナノ・スピン棟 [招待講演]アンチモン系トランジスタの開発
藤代博記磯野恭佑高橋択斗原田義彬岡 直希竹内 淳藤澤由衣東京理科大)・藤川紗千恵東京電機大)・町田龍人東京理科大)・渡邊一世山下良美遠藤 聡原 紳介笠松章史NICTED2017-81
量子補正モンテカルロ法を用いた解析により,InSb HEMTは電子有効質量m*が小さいために電子移動度μと電子速度vdが... [more] ED2017-81
pp.33-36
ED, THz
(共催)
2017-12-19
09:40
宮城 東北大通研ナノ・スピン棟 InGaAs/InAs/InGaAsコンポジットチャネルHEMTの低温DC・RF特性
遠藤 聡渡邊一世笠松章史NICT)・三村高志NICT/富士通研ED2017-82
In0.7Ga0.3As/InAs/In0.7Ga0.3AsコンポジットチャネルHEMT及びIn0.7Ga0.3Asチャ... [more] ED2017-82
pp.37-40
ED 2016-12-19
14:40
宮城 東北大通研ナノ・スピン棟 InP HEMTの低温DC・RF特性に関するドレイン側リセス長の影響
遠藤 聡渡邊一世笠松章史NICT)・高橋 剛芝 祥一中舍安宏岩井大介富士通研)・三村高志富士通研/NICTED2016-81
InP系75-nmゲートIn0.52Al0.48As/In0.63Ga0.37As HEMTの温度300及び16 Kにお... [more] ED2016-81
pp.7-12
ED 2016-12-20
13:15
宮城 東北大通研ナノ・スピン棟 [招待講演]Input Power Optimization of a Tripler-Base 300-GHz CMOS Up-Conversion Mixer
Ruibing DongNICT)・Kosuke KatayamaHiroshima Univ.)・Shinsuke HaraNICT)・Kyoya TakanoHiroshima Univ.)・Issei WatanabeNorihiko SekineAkifumi KasamatsuNICT)・Takeshi YoshidaShuhei AmakawaMinoru FujishimaHiroshima Univ.ED2016-93
 [more] ED2016-93
pp.71-74
LQE, OPE, OCS
(共催)
2016-10-28
14:25
宮崎 宮崎市民プラザ(宮崎) 集積型半導体 光-テラヘルツ信号変換素子 ~ 光通信とテラヘルツ無線通信のシームレスな接続に向けて ~
山﨑理司安井章雄雨宮智宏東工大)・古澤健太郎原 紳介渡邊一世菅野敦史関根徳彦NICT)・Zhichen Gu西山伸彦東工大)・笠松章史NICT)・荒井滋久東工大OCS2016-54 OPE2016-95 LQE2016-70
(事前公開アブストラクト) 近年、THz帯を利用した無線通信システムの研究が盛んに行われている。そのため、現在有線通信に... [more] OCS2016-54 OPE2016-95 LQE2016-70
pp.109-114
ED 2015-12-21
13:05
宮城 東北大通研ナノ・スピン棟 [招待講演]小面積D帯CMOS差動増幅器の設計
原 紳介NICT)・片山光亮高野恭弥広島大)・渡邊一世関根徳彦笠松章史NICT)・吉田 毅天川修平藤島 実広島大ED2015-91
最新CMOSプロセス利用によるコスト向上を抑制するため、要素回路の小型化技術が求められる。本発表では、D帯(110 ~ ... [more] ED2015-91
pp.1-6
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