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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| ED, MWPTHz (共催) |
2024-12-20 10:40 |
宮城 | 東北大・通研 (宮城県, オンライン) （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
［招待講演］fmax = 450 GHz超を有するダブルδドープGa0.22In0.78SbチャネルHEMT ○町田龍人（NICT）・吉田陸人・岸本尚之・河野亮介・礒前雄人・海老原怜央・林 拓也・神内智揮・國澤宗真（東京理科大）・渡邊一世・山下良美・原 紳介・笠松章史（NICT）・遠藤 聡・藤代博記（東京理科大）  ED2024-61 MWPTHz2024-73 |
InSb系高電子移動度トランジスタ（HEMT）の更なるRF特性向上のため，薄膜AlInSbスペーサ層およびバリア層による... [more] | ED2024-61 MWPTHz2024-73 pp.26-29 |
| RCS, AP (併催) |
2024-11-13 10:20 |
石川 | 金沢商工会議所 (石川県, オンライン) （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
円形導波管ベンドTM01モード変換器で給電した150GHz帯垂直偏波無指向性反射鏡アンテナ ○広川二郎・柳澤利樹・戸村 崇（東京科学大）・渡邊一世（NICT） AP2024-137 |
100GHz以上のテラヘルツ波帯でも製作が可能な構造の円形導波管ベンドTM01モード変換器と軸対称1枚反射鏡を組み合わせ... [more] | AP2024-137 pp.13-18 |
| ED, MWPTHz (共催) |
2022-12-19 15:25 |
宮城 | 東北大学・電気通信研究所 (宮城県) | 量子輸送パラメータの抽出に向けた三重障壁共鳴トンネルダイオードのアドミタンススペクトロスコピー ○牧野赳士・須原理彦（都立大）・浅川澄人（都立産技高専）・渡邊一世・赤羽浩一（NICT） ED2022-75 MWPTHz2022-46 |
半絶縁性InP基板上に低温MBE成長で作製したInGaAs/InAs/InAlAsヘテロ構造からなる三重障壁共鳴トンネル... [more] | ED2022-75 MWPTHz2022-46 pp.19-22 |
| MWPTHz, EST, MW, EMT, OPE (共催) IEE-EMT (連催) [詳細] |
2022-07-19 16:35 |
北海道 | 旭川市民文化会館 (北海道, オンライン) （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
誘電体シートの接触による120GHz帯RF信号伝送の検討 ○枚田明彦・牛尾政貴（千葉工大）・渡邊一世・関根徳彦・笠松章史（NICT） EMT2022-30 MW2022-54 OPE2022-33 EST2022-31 MWPTHz2022-28 |
現在，テラヘルツ信号が内部を伝送する誘電体シート上に端末を置くだけでLAN接続を可能にするシート状LANは，シートごとに... [more] | EMT2022-30 MW2022-54 OPE2022-33 EST2022-31 MWPTHz2022-28 pp.109-112 |
| AP | 2022-06-16 13:50 |
東京 | 機械振興会館 (東京都, オンライン) （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
RF-IC搭載基板上に設けたマイクロストリップアンテナを一次放射器に用いたミリ波用パラボラアンテナ ○神田泰明・中嶋政幸・須藤邦明（アンテナ技研）・渡邊一世（NICT）・石川雅澄（アンテナ技研） AP2022-31 |
ミリ波集積回路 (IC)を用いた高速無線通信やレーダーシステムの開発・実用化が盛んに 行われて いる。ミリ波は波長が短く... [more] | AP2022-31 pp.13-16 |
| MW | 2022-03-04 10:30 |
ONLINE | オンライン開催 (オンライン) | 誘電体のテラヘルツ帯測定結果による電波吸収体設計 ○李 尚曄（東工大）・藤田真男・豊田将之（マクセル）・高野恭弥（東京理科大）・原 紳介・渡邊一世・笠松章史（NICT）・伊藤浩之（東工大） MW2021-132 |
[more] | MW2021-132 pp.117-121 |
| ED, THz (共催) |
2021-12-21 10:20 |
宮城 | 東北大学・電気通信研究所 (宮城県, オンライン) （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
エピスケーリングを施したGaInSb-HEMTの特性評価と遅延時間解析 礒前雄人・岸本尚之・林 拓也・國澤宗真（東京理科大）・渡邊一世・山下良美・町田龍人・原 紳介・笠松章史（NICT）・○遠藤 聡・藤代博記（東京理科大） ED2021-57 |
我々は３種類のAl0.40In0.60Sb/Ga0.22In0.78Sb-HEMTを作製した．これらのHEMTエピタキシ... [more] | ED2021-57 pp.44-47 |
| AP, SANE, SAT (併催) |
2021-07-30 14:05 |
ONLINE | オンライン開催 (オンライン) | ［依頼講演］Beyond 5Gに向けた300GHz帯フロントホール無線の電波伝搬の研究 ○枚田明彦（千葉工大）・藤井勝巳・渡邊一世・関根徳彦・笠松章史（NICT） AP2021-44 |
現在，次世代の移動体通信である Beyond 5G の研究開発が活性化している．ターゲットとする 100 Gbit/s ... [more] | AP2021-44 pp.115-119 |
| OPE, MW, MWP, EST, EMT (共催) IEE-EMT, THz (連催) (連催) ※学会内は併催 [詳細] |
2021-07-15 16:00 |
ONLINE | オンライン開催 (オンライン) | 120GHz帯SRRバンドストップフィルタの 接触による透過性制御のアライメント依存性 ○枚田明彦（千葉工大）・渡邊一世・関根徳彦・笠松章史（NICT） EMT2021-16 MW2021-21 OPE2021-10 EST2021-17 MWP2021-18 |
テラヘルツ波を利用した近接無線では，大容量データの瞬時転送が可能であるが，一つのシステムが広い帯域を使用するため，システ... [more] | EMT2021-16 MW2021-21 OPE2021-10 EST2021-17 MWP2021-18 pp.50-53 |
| MWP | 2021-05-26 15:10 |
ONLINE | オンライン開催 (オンライン) | THz-TDS と VN Aによる 200-500 GHz におけるガラス複素誘電率測定 ○枚田明彦・水津光司（千葉工大）・渡邊一世・関根徳彦・笠松章史（NICT） MWP2021-3 |
100 Gbit/s のデータ伝送を可能にする 300 GHz 帯テラヘルツ（THz）無線リンクは，6G 移動体通信での... [more] | MWP2021-3 pp.10-13 |
| MWP | 2020-05-28 15:55 |
ONLINE | オンライン開催 (オンライン) | １２０GHｚ帯SRRバンドストップフィルタの透過性制御 ○枚田明彦・板倉弘一朗（千葉工大）・戸村 崇・広川二郎（東工大）・渡邊一世・関根徳彦・笠松章史（NICT） MWP2020-5 |
[more] | MWP2020-5 pp.23-26 |
| ED, MW (共催) |
2020-01-31 16:35 |
東京 | 機械振興会館 地下3階6号室 (東京都) | ［招待講演］ミリ波・サブミリ波帯無線通信に向けた化合物半導体電子デバイスおよび高周波計測技術 ○渡邊一世・山下良美・笠松章史（NICT） ED2019-105 MW2019-139 |
窒化ガリウム（GaN）系高電子移動度トランジスタ（HEMT）等の化合物半導体電子デバイスは，周波数100 GHz以上で動... [more] | ED2019-105 MW2019-139 pp.59-64 |
| ED, THz (共催) [詳細] |
2019-12-23 16:45 |
宮城 | 東北大学・電気通信研究所 (宮城県) | 歪みAl0.40In0.60Sb/Al0.25In0.75Sbステップバッファを用いたGaInSb n-チャネルHEMT ○大澤幸希・岩木拓也・遠藤勇輝・平岡瑞穂・岸本尚之・林 拓也（東京理科大）・渡邊一世（NICT/東京理科大）・山下良美・原 紳介・後藤高寛・笠松章史（NICT）・遠藤 聡・藤代博記（東京理科大） ED2019-83 |
我々は，世界初となるGaInSb n-チャネルHEMTの作製に成功し，これらのHEMTの特性を評価した．我々が以前に作製... [more] | ED2019-83 pp.29-32 |
| MWP | 2019-11-27 13:55 |
東京 | 機械振興会館 (東京都) | 4X4平面スロットアレーアンテナの近傍界測定 ○枚田明彦（千葉工大）・田中雄介・久武信太郎（岐阜大）・広川二郎（東工大）・渡邊一世・関根徳彦・笠松章史（NICT） MWP2019-43 |
[more] | MWP2019-43 pp.5-8 |
| ED, THz (共催) |
2018-12-18 09:00 |
宮城 | 東北大・通研 (宮城県) | ［招待講演］InP系、Sb系及びGaN系HEMTの高速化 ○遠藤 聡・渡邊一世・山下良美・笠松章史（NICT）・藤代博記（東京理科大）・三村高志（NICT） ED2018-62 |
我々は，電子ビーム露光法を用いて微細ゲートを有するInP系，Sb系及びGaN系HEMTを作製し，これらのHEMTの特性を... [more] | ED2018-62 pp.35-38 |
| ED, MW (共催) |
2018-01-25 15:45 |
東京 | 機械振興会館地下3階研修2号室 (東京都) | Si基板上に作製したInAlN-MIS-HEMTの遅延時間解析 ○吉田智洋（住友電工）・山下良美（NICT）・眞壁勇夫（住友電工）・渡邊一世・笠松章史（NICT）・中田 健・井上和孝（住友電工） ED2017-94 MW2017-163 |
[more] | ED2017-94 MW2017-163 pp.7-10 |
| ED, THz (共催) |
2017-12-18 17:10 |
宮城 | 東北大通研ナノ・スピン棟 (宮城県) | 光誘起キャリヤによるテラヘルツ導波路内変調に関する基礎検討 ○島貫泰斗（慶大）・渡邊一世・笠松章史（NICT）・田中敏幸・門内靖明（慶大） ED2017-80 |
テラヘルツ帯で低損失な高抵抗シリコン結晶に励起光を照射し，導電率を変化させることによってテ ラヘルツ波を変調する方法につ... [more] | ED2017-80 pp.29-32 |
| ED, THz (共催) |
2017-12-19 09:00 |
宮城 | 東北大通研ナノ・スピン棟 (宮城県) | ［招待講演］アンチモン系トランジスタの開発 ○藤代博記・磯野恭佑・高橋択斗・原田義彬・岡 直希・竹内 淳・藤澤由衣（東京理科大）・藤川紗千恵（東京電機大）・町田龍人（東京理科大）・渡邊一世・山下良美・遠藤 聡・原 紳介・笠松章史（NICT） ED2017-81 |
量子補正モンテカルロ法を用いた解析により，InSb HEMTは電子有効質量m*が小さいために電子移動度μと電子速度vdが... [more] | ED2017-81 pp.33-36 |
| ED, THz (共催) |
2017-12-19 09:40 |
宮城 | 東北大通研ナノ・スピン棟 (宮城県) | InGaAs/InAs/InGaAsコンポジットチャネルHEMTの低温DC・RF特性 ○遠藤 聡・渡邊一世・笠松章史（NICT）・三村高志（NICT/富士通研） ED2017-82 |
In0.7Ga0.3As/InAs/In0.7Ga0.3AsコンポジットチャネルHEMT及びIn0.7Ga0.3Asチャ... [more] | ED2017-82 pp.37-40 |
| ED | 2016-12-19 14:40 |
宮城 | 東北大通研ナノ・スピン棟 (宮城県) | InP HEMTの低温DC・RF特性に関するドレイン側リセス長の影響 ○遠藤 聡・渡邊一世・笠松章史（NICT）・高橋 剛・芝 祥一・中舍安宏・岩井大介（富士通研）・三村高志（富士通研/NICT） ED2016-81 |
InP系75-nmゲートIn0.52Al0.48As/In0.63Ga0.37As HEMTの温度300及び16 Kにお... [more] | ED2016-81 pp.7-12 |
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