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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| CPM, SDM, ED (共催) |
2011-05-19 15:15 |
愛知 | 名古屋大学 ＶＢＬ | (1-101)GaN/Si上InGaN厚膜のMOVPE成長 ○谷川智之・本田善央・山口雅史・天野 浩（名大）・澤木宣彦（愛知工大）  ED2011-13 CPM2011-20 SDM2011-26 |
MOVPE 法により(1-101)GaN/Si 上にInGaN 厚膜の成長を試みた。InGaN を成長するとGaN にみ... [more] | ED2011-13 CPM2011-20 SDM2011-26 pp.63-66 |
| ED, CPM, SDM (共催) |
2009-05-15 09:25 |
愛知 | 豊橋技科大サテライトオフィス | Si基板上化合物半導体ナノワイヤのMBE-VLS成長 ○山口雅史・白 知鉉・市橋弘英・堀内 功（名大）・澤木宣彦（愛知工大） ED2009-27 CPM2009-17 SDM2009-17 |
我々は，光-電子集積回路（OEIC）やMEMSへの応用を考えて分子線エピタキシー（MBE）法とVapor-Liquid-... [more] | ED2009-27 CPM2009-17 SDM2009-17 pp.49-52 |
| ED, SDM (共催) |
2008-01-30 13:30 |
北海道 | 北海道大学 | MBE-VLS法を用いた(111)Si基板上へのGaAsナノワイヤ成長 ○山口雅史・白 知鉉・西脇達也・吉田 隆・澤木宣彦（名大） ED2007-237 SDM2007-248 |
[more] | ED2007-237 SDM2007-248 pp.1-4 |
| CPM, ED, LQE (共催) |
2007-10-12 15:05 |
福井 | 福井大学 | Si基板上でのGaNマイクロファセット上へのInGaN/GaN 選択MOVPE成長 ○中島由樹・本田善央・山口雅史・澤木宣彦（名大） ED2007-176 CPM2007-102 LQE2007-77 |
選択MOVPE法により(111)Si基板上に作製された(0001)面と(1-101)面からなるGaN台形ストライプ構造上... [more] | ED2007-176 CPM2007-102 LQE2007-77 pp.97-102 |
| ED | 2007-06-15 17:05 |
富山 | 富山大学 | 導波路結合型三重量子ディスク構造における光制御 ○山口雅史・横井美典（名大）・高木英俊（宇部高専）・澤木宣彦（名大） ED2007-40 |
全光デバイスを目指し，量子ディスク系において外部からの電子状態の制御・読み出しを行う方法を検討している．そこで我々は量子... [more] | ED2007-40 pp.51-56 |
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