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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2013-11-28 10:35 |
大阪 | 大阪大学 吹田キャンパス | InGaN半導体レーザのワット級高出力化とその応用展開 ○萩野裕幸・左文字克哉・吉田真治・瀧川信一・森本 廉・瀧澤俊幸・春日井秀紀・山中一彦・片山琢磨（パナソニック）  ED2013-64 CPM2013-123 LQE2013-99 |
プロジェクタや車載照明などの固体光源への応用を想定し，ワット級の高い光出力が得られる青紫色半導体レーザアレイを開発した．... [more] | ED2013-64 CPM2013-123 LQE2013-99 pp.1-4 |
| LQE | 2010-12-17 16:50 |
東京 | 機械振興会館 | 端面非吸収窓構造を用いた超高出力青紫レーザ ○川口真生・春日井秀紀・左文字克哉・萩野裕幸・折田賢児・山中一彦・油利正昭・瀧川信一（パナソニック） LQE2010-127 |
GaN系材料を用いた高出力半導体レーザは、ディスプレイ、光記録、加工などの幅広いアプリケーションのキーデバイスとして期待... [more] | LQE2010-127 pp.59-62 |
| ED | 2007-11-28 11:35 |
宮城 | 東北大学 電気通信研究所 | GaN光伝導スイッチからのテラヘルツ電磁波発生 ○今藤 修・Brahm Pal Singh・廣瀬 裕・福島康之・瀧川信一（松下電器） ED2007-201 |
我々は、GaAsよりも破壊電界強度が一桁高いGaNを光伝導層に用いた大口径型の光伝導スイッチを作製し、紫外光励起によるテ... [more] | ED2007-201 pp.77-81 |
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