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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
LQE, OPE, CPM, EMD, R
(共催)
2023-08-24
15:50
宮城 東北大学 電気通信研究所本館 オープンセミナールーム(M153)
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
[招待講演]層状六方晶窒化ホウ素上の窒化物半導体成長とその応用
小林康之弘前大)・廣木正伸熊倉一英NTTR2023-24 EMD2023-19 CPM2023-29 OPE2023-68 LQE2023-15
六方晶窒化ホウ素(h-BN)は,層間がファンデルワールス力により結合された六方晶系グラファイト構造の層状物質である.我々... [more] R2023-24 EMD2023-19 CPM2023-29 OPE2023-68 LQE2023-15
pp.42-44
ED, LQE, CPM
(共催)
2012-11-29
10:25
大阪 大阪市立大学 層状窒化ホウ素を剥離層とするGaN系デバイスの機械的転写法の開発
小林康之熊倉一英赤坂哲也山本秀樹牧本俊樹NTTED2012-66 CPM2012-123 LQE2012-94
窒化物半導体は、光エレクトロニクスやパワーエレクトロニクス等におけるデバイス応用に幅広く用いられている。GaNをベースと... [more] ED2012-66 CPM2012-123 LQE2012-94
p.7
LQE, ED, CPM
(共催)
2005-10-13
14:10
滋賀 立命館大学 高温・高出力動作 Pnp AlGaN/GaN HBTs
熊倉一英牧本俊樹NTT
 [more] ED2005-128 CPM2005-115 LQE2005-55
pp.47-50
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