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SDM 2013-06-18
17:25
東京 機械振興会館 [依頼講演]4H-SiC MOS界面の電子スピン共鳴分光評価
梅田享英筑波大)・岡本光央小杉亮治産総研)・荒井 亮佐藤嘉洋筑波大)・原田信介奥村 元産総研)・牧野高紘大島 武原子力機構SDM2013-64
4H-SiC MOS型電界効果トランジスタ(MOSFET)はノーマリーオフ,高パワー密度,超低損失のパワーデバイスとして... [more] SDM2013-64
pp.101-105
SANE 2008-06-26
16:30
茨城 JAXA筑波宇宙センター 宇宙用論理LSIで発生する放射線誘起スパイクノイズの研究(仮)
牧野高紘総研大)・柳川善光東大)・小林大輔総研大/JAXA)・福田盛介JAXA)・廣瀬和之池田博一総研大/JAXA)・斎藤宏文東大/JAXA)・小野田 忍平尾敏雄大島 武原子力機構)・高橋大輔石井 茂草野将樹池淵 博黒田能克三菱重工SANE2008-25
放射線によって論理LSI内に誘起されるスパイクノイズがソフトエラー源として顕在化してきている.
論理LSIはチップ内部... [more]
SANE2008-25
pp.67-72
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