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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| MW, ED (共催) |
2021-01-29 13:00 |
ONLINE | オンライン開催 | HfSiOxゲート AlGaN/GaN HEMTsのDC特性とMOS界面評価 ○越智亮太（北大）・前田瑛里香（芝浦工大/物質・材料研究機構）・生田目俊秀（物質・材料研究機構）・塩﨑宏司（名大）・橋詰 保（北大/名大）  ED2020-31 MW2020-84 |
GaN系HEMTは5G基地局用RF増幅器として期待されている。大振幅動作時のゲート漏れ電流制御や経時劣化性の観点から絶縁... [more] | ED2020-31 MW2020-84 pp.22-25 |
| SDM | 2019-06-21 16:45 |
愛知 | 名古屋大学 VBL３F | HfSiOx/GaN(0001)の化学構造および電子状態分析 ○大田晃生・牧原克典（名大）・生田目俊秀（物質・材料研究機構）・塩﨑宏司・宮﨑誠一（名大） SDM2019-35 |
化学溶液洗浄したGaN(0001)上にプラズマ支援ALDを用いてHf/(Hf+Si)組成の異なるHfSiOxを形成し、8... [more] | SDM2019-35 pp.47-51 |
| SDM | 2018-06-25 12:00 |
愛知 | 名古屋大学 VBL３F | n-GaN自然酸化膜界面層がAl2O3/n-GaN MOSキャパシタの電気特性へ及ぼす効果 ○弓削雅津也（芝浦工大）・生田目俊秀・色川芳宏・大井暁彦・池田直樹・Liwen Sang・小出康夫（物質・材料研究機構）・大石知司（芝浦工大） SDM2018-19 |
本研究では、Al$_2$O$_3$/n-GaN MOSキャパシタの固定電荷及びダイポールの生成に対する自然酸化膜界面層(... [more] | SDM2018-19 pp.15-18 |
| SDM | 2017-10-26 10:50 |
宮城 | 東北大学未来研 | ZrO2シード層がHfxZr1-xO2薄膜の強誘電性へ及ぼす効果 ○女屋 崇（明大/物質・材料研究機構）・生田目俊秀（物質・材料研究機構/JST）・澤本直美（明大）・大井暁彦・池田直樹・知京豊裕（物質・材料研究機構）・小椋厚志（明大） SDM2017-57 |
本研究では、TiN下部電極と強誘電体HfxZr1-xO2 (HZO)薄膜の間に原子層堆積法を用いて成膜したZrO2膜をシ... [more] | SDM2017-57 pp.39-44 |
| SDM | 2016-06-29 11:55 |
東京 | キャンパス・イノベーションセンター東京 | ZrO2/Al2O3/ZrO2多層を用いたDRAMキャパシタにおけるAl2O3層が電気特性に及ぼす効果 ○女屋 崇（明大/物質・材料研究機構）・生田目俊秀・澤田朋実（物質・材料研究機構/JST）・栗島一徳（明大/物質・材料研究機構）・澤本直美（明大）・大井暁彦・知京豊裕（物質・材料研究機構）・小椋厚志（明大） SDM2016-37 |
本研究では、原子層堆積法によって作製したZrO2/Al2O3/ZrO2 (ZAZ)多層絶縁膜を用いたTiN/ZAZ/Ti... [more] | SDM2016-37 pp.27-32 |
| SDM | 2015-06-19 15:15 |
愛知 | 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | PE-ALD法で作製した極薄膜Al2O3ゲート絶縁膜を用いたGIZO TFTの電気特性 ○栗島一徳（明大/物質・材料研究機構）・生田目俊秀・塚越一仁・大井暁彦・知京豊裕（物質・材料研究機構）・小椋厚志（明大） SDM2015-51 |
Ga-In-Zn-O(GIZO)薄膜トランジスタ(TFT)の電気特性にAl2O3層が及ぼす影響について調査した。プラズマ... [more] | SDM2015-51 pp.69-73 |
| SDM | 2014-06-19 11:45 |
愛知 | 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | ALD法で作製したAl2O3/(Ta/Nb)Ox/Al2O3多層構造のチャージトラップフラッシュメモリーの評価 ○生田目俊秀・大井暁彦（物質・材料研究機構）・伊藤和博・高橋 誠（阪大）・知京豊裕（物質・材料研究機構） SDM2014-49 |
Al2O3/(Ta/Nb)Ox/Al2O3層間のコンダクションバンドオフセットが1.8 eVと大きなp-Si/SiO2/... [more] | SDM2014-49 pp.31-35 |
| SDM | 2013-06-18 10:35 |
東京 | 機械振興会館 | HfO2/Ge界面へのルチル型TiO2挿入によるGeOx生成の抑制 ○小橋和義（明大）・長田貴弘・生田目俊秀・山下良之（物質・材料研究機構）・小椋厚志（明大）・知京豊裕（物質・材料研究機構） SDM2013-48 |
Siに代わる新たなチャネル材料として、電子、ホールとともに高い移動度を有したGeが注目されている．しかしながら、high... [more] | SDM2013-48 pp.25-28 |
| SDM | 2012-06-21 12:15 |
愛知 | 名古屋大学（ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー） | (TaC)1-xAlx/HfO2/SiO2ゲートスタックで熱処理温度に対するAl原子の評価 ○木村将之（芝浦工大）・生田目俊秀（物質・材料研究機構）・山田博之（芝浦工大）・大井暁彦・成島利弘・知京豊裕（物質・材料研究機構）・大石知司（芝浦工大） |
フラットバンド電圧(Vfb）を制御するために、HfO2 MOSキャパシタのゲート電極として低仕事関数なAl原子を導入した... [more] | |
| SDM | 2011-07-04 15:00 |
愛知 | 名古屋大学（ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー） | ITO/HfO2 MOSキャパシタで、酸化・還元熱処理がVfbシフトへ及ぼす影響 ○生田目俊秀（物質・材料研究機構）・山田博之（芝浦工大）・大井暁彦（物質・材料研究機構）・大石知司（芝浦工大）・知京豊裕（物質・材料研究機構） SDM2011-64 |
ITO/HfO2/SiO2 MOSキャパシタで、酸化・還元熱処理がフラットバンド電圧(Vfb)へ及ぼす影響を調べた。Cu... [more] | SDM2011-64 pp.81-85 |
| SDM | 2009-06-19 15:10 |
東京 | 東京大学（生産研An棟） | 低しきい値pMISFETに向けたAl2O3を堆積させたHfO2ゲート絶縁膜のアニールプロセスの検討 ○諸岡 哲・松木武雄・三瀬信行・神山 聡・生田目俊秀・栄森貴尚・奈良安雄・由上二郎・池田和人・大路 譲（半導体先端テクノロジーズ） SDM2009-38 |
Al2O3/HfO2/SiON構造ゲート絶縁膜を形成するためのアニールプロセスとVfb, EOT及びVtバラツキとの関係... [more] | SDM2009-38 pp.67-70 |
| SDM | 2008-06-10 10:55 |
東京 | 東京大学(生産研 An棟) | High-k MOSデバイスのしきい値電圧制御におけるhigh-k/SiO2界面の役割 ○岩本邦彦・上牟田雄一（半導体MIRAI-ASET）・布重 裕（芝浦工大/半導体MIRAI-産総研ASRC）・平野晃人・小川有人・渡邉幸宗（半導体MIRAI-ASET）・右田慎二・水林 亘・森田行則（半導体MIRAI-産総研ASRC）・高橋正志（半導体MIRAI-ASET）・太田裕之（半導体MIRAI-産総研ASRC）・生田目俊秀（半導体MIRAI-ASET）・鳥海 明（半導体MIRAI-産総研ASRC/東大） SDM2008-51 |
[more] | SDM2008-51 pp.53-58 |
| SDM | 2006-06-22 14:15 |
広島 | 広島大学, 学士会館 | 還元雰囲気下でのゲート電極形成プロセスによるHfo2膜の初期絶縁破壊 ○水林 亘・小川有人・生田目俊秀・佐竹秀喜・鳥海 明（産総研） |
[more] | SDM2006-61 pp.107-111 |
| ICD, SDM (共催) |
2005-08-19 11:10 |
北海道 | 函館国際ホテル | Hf系高誘電率ゲート絶縁膜のAl濃度変調及びパーシャルシリサイドゲート電極によるCMOS非対称閾値の改善 ○門島 勝・小川有人・高橋正志（MIRAI-ASET）・太田裕之（MIRAI-ASRC）・三瀬信行・岩本邦彦（MIRAI-ASET）・右田真司（MIRAI-ASRC）・藤原英明・佐竹秀喜・生田目俊秀（MIRAI-ASET）・鳥海 明（MIRAI-ASRC/東大） |
Hf系高誘電率ゲート絶縁膜のCMOSFETへ適用が期待されているが、n-及びp-MOSFETの閾値が非対称になることが問... [more] | SDM2005-148 ICD2005-87 pp.31-36 |
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