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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
ICD 2023-04-11
09:30
神奈川 川崎市産業振興会館10階第4会議室
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
[依頼講演]電流調整機能を用いたばらつき補正PIMアーキテクチャの開発
北形大樹田中信二藤田直哉入江尚昭ルネサス エレクトロニクスICD2023-8
近年AIアクセラレータの低電力化に向けてProcessing-in-memory (PIM)の開発が盛んである[1].特... [more] ICD2023-8
p.16
SDM, ICD
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2018-08-08
13:15
北海道 北海道大学大学院情報科学研究科 M棟M151 [依頼講演]パスゲートトランジスタの対称性を向上した28nmHKMG 10TデュアルポートSRAMセル
石井雄一郎田中美紀藪内 誠澤田陽平田中信二新居浩二ルネサス エレクトロニクス)・Tien Yu LuChun Hsien HuangShou Sian ChenYu Tse KuoChing Cheng LungOsbert Chengユナイテッド・マイクロエレクトロニクスSDM2018-40 ICD2018-27
従来の8TデュアルポートSRAMセルに対して, パスゲートトランジスタの対称性を向上し, リード・ライトディスターブ状態... [more] SDM2018-40 ICD2018-27
pp.83-88
SDM, ICD
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2018-08-09
13:10
北海道 北海道大学大学院情報科学研究科 M棟M151 12nm FinFETプロセスを用いた3G search/s高速デュアルポートTCAMの開発
藪内 誠森本薫夫新居浩二田中信二ルネサス エレクトロニクスSDM2018-48 ICD2018-35
 [more] SDM2018-48 ICD2018-35
pp.115-120
ICD 2018-04-20
10:20
東京 機械振興会館 [依頼講演]IoT向け65nmSOTBプロセスを用いた2RWデュアルポートSRAMの設計事例
澤田陽平山本芳樹長谷川拓実新川田裕樹藪内 誠ルネサス エレクトロニクス)・篠崎義弘伊東恭二日本システムウエア)・田中信二新居浩二蒲原史郎ルネサス エレクトロニクスICD2018-8
 [more] ICD2018-8
pp.29-32
SDM, ICD
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2017-07-31
10:40
北海道 北海道大学情報教育館 SOTBプロセスによるIoT向け低消費電力混載SRAMの開発
藪内 誠新居浩二田中信二ルネサス エレクトロニクス)・篠崎義弘日本システムウエア)・山本芳樹長谷川拓実新川田裕樹蒲原史朗ルネサス エレクトロニクスSDM2017-33 ICD2017-21
 [more] SDM2017-33 ICD2017-21
pp.13-16
ICD 2017-04-21
10:25
東京 機械振興会館 [依頼講演]16-nm FinFETを用いた6.05-Mb/mm2の高密度及び313psの高速読み出し可能なDouble Pumping型1W1R 2-port SRAM
澤田陽平藪内 誠森本薫夫ルネサス エレクトロニクス)・佐野聡明ルネサス システムデザイン)・石井雄一郎田中信二ルネサス エレクトロニクス)・田中美紀ルネサス システムデザイン)・新居浩二ルネサス エレクトロニクスICD2017-12
 [more] ICD2017-12
pp.63-65
ICD, CPM, ED, EID, EMD, MRIS, OME, SCE, SDM
(共催)
QIT
(併催) [詳細]
2017-01-31
15:25
広島 みやじま杜の宿(広島) ビット密度5.92Mb/mm2を実現したダブルポンピング回路を用いた28nm擬似2RW DP-SRAM
石井雄一郎薮内 誠澤田陽平森本薫夫塚本康正ルネサス エレクトロニクス)・良田雄太柴田 健佐野聡明ルネサス システムデザイン)・田中信二新居浩二ルネサス エレクトロニクスEMD2016-86 MR2016-58 SCE2016-64 EID2016-65 ED2016-129 CPM2016-130 SDM2016-129 ICD2016-117 OME2016-98
6TシングルポートSRAMセルとダブルポンピング回路を用いて、2-read/write (2RW)機能を実現した擬似2R... [more] EMD2016-86 MR2016-58 SCE2016-64 EID2016-65 ED2016-129 CPM2016-130 SDM2016-129 ICD2016-117 OME2016-98
pp.87-92
SDM 2016-01-28
14:30
東京 機械振興会館 [招待講演]最先端テクノロジノードにおける2RWデュアルポートSRAM設計事例
新居浩二薮内 誠ルネサス エレクトロニクス)・横山佳巧ルネサス システムデザイン)・石井雄一郎岡垣 健森本薫夫塚本康正ルネサス エレクトロニクス)・田中浩司田中美紀ルネサス システムデザイン)・田中信二ルネサス エレクトロニクスSDM2015-125
 [more] SDM2015-125
pp.21-25
ICD 2015-04-16
13:25
長野 信州大学 [依頼講演]自動調整型負ビット線方式による部分ライトアシスト回路を用いた28nm 512-kb 1-GHzデュアルポートSRAM
田中信二石井雄一郎薮内 誠ルネサス エレクトロニクス)・佐野聡明ルネサス システムデザイン)・田中浩司塚本康正・○新居浩二佐藤広利ルネサス エレクトロニクスICD2015-2
 [more] ICD2015-2
pp.5-8
SDM 2015-01-27
15:55
東京 機械振興会館 [招待講演]16nmノードMetal/high-k FinFETプロセスを用いたワード線オーバードライブアシスト技術による高速シングルポートSRAM
藪内 誠森本薫夫塚本康正田中信二田中浩司田中美紀新居浩二ルネサス エレクトロニクスSDM2014-144
16nm High-KメタルゲートのフィンFETプロセスにおけるSRAMにワード線オーバードライブ方式のアシスト回路技術... [more] SDM2014-144
pp.37-40
SDM, ICD
(共催)
2013-08-02
10:25
石川 金沢大学 角間キャンパス 0.72ns高速読出しと50%電力削減を実現する2Tペアビットセル・カラムソース線バイアス制御方式の28nmマスクROM
梅本由紀子新居浩二石川次郎薮内 誠塚本康正田中信二田中浩司森 和孝柳沢一正ルネサス エレクトロニクスSDM2013-77 ICD2013-59
高速読出しと消費電力削減を実現する2Tペアビットセル・カラムソース線バイアス(CSB)制御方式を提案する。28nm hi... [more] SDM2013-77 ICD2013-59
pp.59-64
ICD 2012-04-24
11:15
岩手 つなぎ温泉清温荘(岩手県) [招待講演]8T DP-SRAMのWrite-/Read-Disturb問題とその対策回路
石井雄一郎塚本康正新居浩二藤原英弘薮内 誠田中浩司田中信二島崎靖久ルネサス エレクトロニクスICD2012-11
8T デュアルポートSRAMセルのライト/リードディスターブ問題について,ディスターブ不良ビットのスクリーニング回路およ... [more] ICD2012-11
pp.55-60
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