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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
ICD 2010-12-17
10:20
東京 東京大学 先端科学技術研究センター エンタープライズSSD向け低消費電力・高信頼性強誘電体NANDフラッシュメモリ
畑中輝義矢島亮児野田晋司東大)・高橋光恵酒井滋樹産総研)・竹内 健東大ICD2010-118
低書き込み/消去電圧(6V)と高書き換え耐久性(1億回)を持つFe-NANDフラッシュメモリについて、高信頼性化技術を提... [more] ICD2010-118
pp.113-118
ICD 2010-04-22
11:40
神奈川 湘南工大 しきい値電圧自己調整機能による60%スタティック・ノイズ・マージン(SNM)増加, 32%アクティブ電力削減, 42%リーク電流削減の強誘電体FETを使用した6T-SRAM
田中丸周平畑中輝義矢島亮児東大)・高橋光恵酒井滋樹産総研)・竹内 健東大ICD2010-5
強誘電体トランジスタを使用した0.5V動作の6T-SRAMが提案され,実験的に実証された.提案のSRAMはNMOSの基板... [more] ICD2010-5
pp.23-28
ICD 2010-04-23
09:30
神奈川 湘南工大 [依頼講演] データセンター用SSD向けFerroelectric(Fe)-NANDフラッシュメモリと不揮発性ページバッファ
畑中輝義矢島亮児東大)・堀内健史Shouyu WangXizhen Zhang高橋光恵酒井滋樹産総研)・竹内 健東大ICD2010-11
データセンター用SSD向け不揮発性ページバッファを備えたFerroelectric (Fe)-NANDフラッシュメモリを... [more] ICD2010-11
pp.59-64
ICD, SDM
(共催)
2009-07-16
14:25
東京 東工大 大岡山キャンパス 国際交流会館 データセンター用SSD向け、不揮発性ページバッファを搭載したFe-NANDフラッシュメモリ
矢島亮児畑中輝義東大)・高橋光恵酒井滋樹産総研)・竹内 健東大SDM2009-104 ICD2009-20
データセンター用SSDへの応用を目的として不揮発性ページバッファを搭載したFerroelectric(Fe)-NANDフ... [more] SDM2009-104 ICD2009-20
pp.39-44
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