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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| ED | 2015-07-24 15:35 |
石川 | ITビジネスプラザ武蔵研修室1(金沢市武蔵町) | SiC MOSFET特性の基板不純物濃度依存性 ○矢野裕司（奈良先端大/筑波大）・結城広登・冬木 隆（奈良先端大）  ED2015-41 |
基板不純物濃度が異なるSi面4H-SiCに対し、ドライ酸化後にNOアニールまたはPOCl3アニールを行って界面特性を改善... [more] | ED2015-41 pp.25-29 |
| SDM, EID (共催) |
2014-12-12 16:15 |
京都 | 京都大学 | Si面4H-SiC n-MOSFETにおけるSplit C-V特性の周波数依存性 ○結城広登（奈良先端大）・矢野裕司（奈良先端大/筑波大） EID2014-33 SDM2014-128 |
Si面4H-SiCのn-MOSFETを作製し，1Hz～1MHzの範囲でSplit C-V測定を行った．Split C-V... [more] | EID2014-33 SDM2014-128 pp.103-107 |
| SDM, EID (共催) |
2014-12-12 16:30 |
京都 | 京都大学 | シングルパルスId-Vgs測定による4H-SiC MOSFETの界面特性評価 ○磯野弘典（奈良先端大）・矢野裕司（奈良先端大/筑波大） EID2014-34 SDM2014-129 |
シリコンカーバイド(SiC)-MOSFETは，多量の界面準位(Dit)によるしきい値電圧(Vth)の変動や，低いチャネル... [more] | EID2014-34 SDM2014-129 pp.109-113 |
| SDM | 2013-12-13 10:00 |
奈良 | 奈良先端科学技術大学院大学 | インジウムを介したVapor-Liquid-Solid機構に基づくシリコンナノワイヤーの形成と評価 ○福永圭吾・畑山智亮・矢野裕司・岡本尚文・谷 あゆみ・石河泰明・冬木 隆（奈良先端大） SDM2013-119 |
シリコンナノワイヤー(Si-NW)は量子効果によるバンドギャップ制御、表面テクスチャー構造として反射率の低減が可能である... [more] | SDM2013-119 pp.19-23 |
| SDM | 2013-12-13 17:00 |
奈良 | 奈良先端科学技術大学院大学 | 界面にリンおよび窒素を導入した4H-SiC MOSFETのしきい値電圧不安定性の考察 ○金藤夏子・矢野裕司・大澤 愛・畑山智亮・冬木 隆（奈良先端大） SDM2013-132 |
シリコンカーバイド(SiC)製MOSFETは高耐圧でも低損失な新しいパワーデバイスとして期待されているが，しきい値電圧の... [more] | SDM2013-132 pp.97-100 |
| SDM | 2013-12-13 17:40 |
奈良 | 奈良先端科学技術大学院大学 | 三フッ化塩素(ClF3)を用いた炭化珪素(SiC)表面の形状変化 ○堀 良太・畑山智亮・矢野裕司・冬木 隆（奈良先端大） SDM2013-134 |
三フッ化塩素を用いてプラズマレスで4°オフ角の炭化珪素ウエーハを化学的にエッチングした。 (0001)Si面および(00... [more] | SDM2013-134 pp.107-112 |
| SDM | 2013-06-18 15:10 |
東京 | 機械振興会館 | ［依頼講演］POCl3アニールによるSiC-MOSデバイスの高性能化 ○矢野裕司・畑山智亮・冬木 隆（奈良先端大） SDM2013-58 |
POCl3アニールによりSiO2/4H-SiC界面にリンを導入したMOSデバイスの特性を調査した。従来法のNOアニールに... [more] | SDM2013-58 pp.71-76 |
| SDM | 2012-12-07 10:15 |
京都 | 京都大学(桂) | 塩素系ガスによるSiCのプラズマレス・エッチング ○畑山智亮・堀 良太・田村哲也・矢野裕司・冬木 隆（奈良先端大） SDM2012-116 |
900℃以上の塩素ガス雰囲気中でプラズマを使わずにSiCをエッチングした。Si原子で終端された(0001)Si面ではエッ... [more] | SDM2012-116 pp.7-12 |
| SDM | 2012-12-07 10:45 |
京都 | 京都大学(桂) | 4H-SiC（11-20）面上に形成したMOS界面へのリン導入による界面準位密度の低減効果 ○梅澤奈央・矢野裕司・畑山智亮・冬木 隆（奈良先端大） SDM2012-118 |
これまで、POCl3アニールによりPをSiO2/4H-SiC界面に導入することで、Si面・C面ともに優れた界面準位密度の... [more] | SDM2012-118 pp.19-23 |
| SDM | 2011-12-16 10:40 |
奈良 | 奈良先端科学技術大学院大学 | SiO2/p型4H-SiC界面特性におけるPOCl3アニールの効果 ○高上稔充・矢野裕司・畑山智亮・冬木 隆（奈良先端大） SDM2011-134 |
MOSデバイス特性を左右する界面準位に対し、我々はこれまでにPOCl3アニールによりリンを界面に導入することで、SiO2... [more] | SDM2011-134 pp.11-15 |
| SDM | 2009-12-04 09:40 |
奈良 | 奈良先端大 物質創成科学研究科 | 4H-SiC MOS界面へのリンの導入による界面準位密度の低減 ○岡本 大・矢野裕司・平田憲司・畑山智亮・冬木 隆（奈良先端大） SDM2009-152 |
4H-SiC MOS界面に種々の元素をイオン注入により導入し，界面準位密度の変化を調べた． B, N, F, Al, P... [more] | SDM2009-152 pp.5-10 |
| SDM | 2008-12-05 13:50 |
京都 | 京都大学桂キャンパスA1-001 | バイオナノドットを用いた極薄トンネル酸化膜デバイスの電気特性評価 ○入船裕行・矢野裕司・浦岡行治・冬木 隆・山下一郎（奈良先端大） SDM2008-189 |
我々は，これまでにバイオナノドット（BND）を電荷保持ノードとしたフローティングゲート型メモリの開発を行ってきた．本研究... [more] | SDM2008-189 pp.27-30 |
| SDM | 2008-12-05 14:10 |
京都 | 京都大学桂キャンパスA1-001 | NO直接酸化法により作製したC面上4H-SiC MOSデバイスの特性 ○大城ゆき・岡本 大・矢野裕司・畑山智亮・浦岡行治・冬木 隆（奈良先端大） SDM2008-190 |
[more] | SDM2008-190 pp.31-35 |
| SDM, OME (共催) |
2008-04-11 14:05 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | Ga2o3-In2O3-Zno(GIZO)薄膜を用いた薄膜トランジスタの劣化 ○藤井茉美・矢野裕司・畑山智亮・浦岡行治・冬木 隆（奈良先端大）・Ji Sim Jung・Jang Yeon Kwon（サムスン総合技術院） SDM2008-10 OME2008-10 |
我々は、DCストレス下におけるGa2O3-In2O3-ZnO（GIZO）薄膜トランジスタの劣化について調査した。正のゲー... [more] | SDM2008-10 OME2008-10 pp.47-50 |
| SDM | 2007-12-14 11:40 |
奈良 | 奈良先端科学技術大学院大学 | 極薄トンネル酸化膜を用いたバイオナノドットフローティングゲートMOSデバイスの充放電特性 ○梅田朋季・矢野裕司・三浦篤志・浦岡行治・冬木 隆（奈良先端大）・山下一郎（奈良先端大/松下電器） |
[more] | |
| SDM | 2007-12-14 16:40 |
奈良 | 奈良先端科学技術大学院大学 | 4H-SiC nMOSFETおよびpMOSFETに対するチャージポンピング測定 ○岡本 大・矢野裕司・畑山智亮・浦岡行治・冬木 隆（奈良先端大） SDM2007-234 |
4H-SiC nMOSFETとpMOSFETに対してチャージポンピング（CP）測定を行った．nチャネルMOSFETに対し... [more] | SDM2007-234 pp.51-54 |
| SDM | 2007-06-07 16:45 |
広島 | 広島大学（学士会館） | 高圧水蒸気処理によるSiO2/4H-SiC界面改質とMOSFET特性 ○矢野裕司・武田大輔・畑山智亮・浦岡行治・冬木 隆（奈良先端大） SDM2007-38 |
パワーMOSFET用材料として注目されている4H-SiCであるが，MOSFETの反転層チャネル移動度が小さいという問題が... [more] | SDM2007-38 pp.37-42 |
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