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ED, CPM, LQE
(共催)
2024-11-28
13:05
愛知 名古屋工業大学 (窒化物半導体マルチビジネス創生センター) 励起長可変法を用いたHVPE窒化アルミニウム基板の光学利得評価
石井良太隅田長門京大)・人見達矢山本玲緒永島 徹トクヤマ)・船戸 充川上養一京大ED2024-20 CPM2024-64 LQE2024-51
 [more] ED2024-20 CPM2024-64 LQE2024-51
pp.1-4
LQE, CPM, ED
(共催)
2020-11-26
11:55
ONLINE オンライン開催 エレクトロルミネッセンス・フォトルミネッセンス法によるAlN基板上265nm帯AlGaN LEDの評価
石井良太京大)・吉川 陽永瀬和宏旭化成)・船戸 充川上養一京大ED2020-6 CPM2020-27 LQE2020-57
 [more] ED2020-6 CPM2020-27 LQE2020-57
pp.21-24
ED, LQE, CPM
(共催)
2015-11-26
16:30
大阪 大阪市立大学・学術情報センター会議室 多波長励起発光分離法を用いたInGaN薄膜のラマン散乱分光
石戸亮祐石井良太船戸 充川上養一京大ED2015-79 CPM2015-114 LQE2015-111
共鳴ラマン散乱分光法は,発光素子の活性層の評価法として高いポテンシャルを有している.しかし,ラマン信号に発光スペクトルが... [more] ED2015-79 CPM2015-114 LQE2015-111
pp.59-62
LQE, ED, CPM
(共催)
2011-11-18
09:30
京都 京都大学桂キャンパス 桂ホール 窒化アルミニウムの電子状態に対する歪みの効果
石井良太金田昭男ライアン バナル船戸 充川上養一京大ED2011-88 CPM2011-137 LQE2011-111
sp3 価電子軌道を構成しているウルツ鉱構造の半導体の価電子帯頂上は,結晶場相互作用によって既約
表現がΓ1 とΓ5 ... [more]
ED2011-88 CPM2011-137 LQE2011-111
pp.77-80
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