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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM | 2017-06-20 16:10 |
東京 | キャンパス・イノベーションセンター東京 ５０８（AB) | 硫黄雰囲気硫化プロセスによるスパッタMoS2薄膜の低キャリア密度化 ○松浦賢太朗・大橋 匠・宗田伊理也（東工大）・石原聖也（明大）・角嶋邦之・筒井一生（東工大）・小椋厚志（明大）・若林 整（東工大） |
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| SDM | 2016-06-29 16:40 |
東京 | キャンパス・イノベーションセンター東京 | TFT応用に向けたRFマグネトロンスパッタリング法によるMoS2膜の形成 ○大橋 匠・松浦賢太朗（東工大）・石原聖也・日比野祐介・澤本直美（明大）・角嶋邦之・筒井一生（東工大）・小椋厚志（明大）・若林 整（東工大）  SDM2016-46 |
層状構造を有するMoS2は薄膜領域において高移動度を有することから，柔軟性や光透過性などを併せ持つ次世代の極微細Comp... [more] | SDM2016-46 pp.75-78 |
| SDM | 2014-10-17 11:10 |
宮城 | 東北大学未来研 | MOCVD法によるGeおよびGe1-xSnxのエピタキシャル成長 ○須田耕平・石原聖也・木嶋隆浩・澤本直美（明大）・町田英明・石川真人・須藤 弘（気相成長）・大下祥雄（豊田工大）・小椋厚志（明大） SDM2014-91 |
GeおよびGe1-xSnxは、高移動度トランジスタ、IV族光デバイス等への応用が期待されている。 我々は、t-C4H9... [more] |
SDM2014-91 pp.41-45 |
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