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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM 2013-11-14
14:15
東京 機械振興会館 窒化シリコン中の窒素空孔に導入された元素が電子トラップ準位に与える影響
園田賢一郎佃 栄次谷沢元昭石川清志山口泰男ルネサス エレクトロニクスSDM2013-103
 [more] SDM2013-103
pp.21-26
SDM, VLD
(共催)
2007-10-30
13:45
東京 機械振興会館 相変化メモリのリセット特性のモデリング
酒井 敦園田賢一郎茂庭昌弘石川清志土屋 修井上靖朗ルネサステクノロジVLD2007-55 SDM2007-199
本研究では,3次元の電気・熱伝導を考慮した相変化メモリのコンパクトモデルを開発し,リセット動作の解析を行った.
このモ... [more]
VLD2007-55 SDM2007-199
pp.23-26
SDM, VLD
(共催)
2007-10-30
15:00
東京 機械振興会館 <110>チャネルnMOS移動度のストレスライナー膜による影響
高篠裕行岡垣 健内田哲也林 岳谷沢元昭佃 栄次永久克己若原祥史石川清志土屋 修井上靖朗ルネサステクノロジVLD2007-57 SDM2007-201
電子の有効ハミルトニアンから剪断歪みと量子閉じ込め現象を取り込んだモデルを提
案。曲げ実験から65nmノードのストレス... [more]
VLD2007-57 SDM2007-201
pp.33-36
SDM, VLD
(共催)
2007-10-30
15:50
東京 機械振興会館 65nmノード歪みpMOSFETのホール伝導における全応力の効果の検証
佃 栄次ルネサステクノロジ)・鎌倉良成阪大)・高篠裕行岡垣 健内田哲也林 岳谷沢元昭永久克己若原祥史石川清志土屋 修井上靖朗ルネサステクノロジ)・谷口研二阪大VLD2007-59 SDM2007-203
本研究では、フル3D プロセスシミュレーターによる応力計算と反転層のサブバンドを考慮したkp 法にもとづくバンド計算から... [more] VLD2007-59 SDM2007-203
pp.43-46
SDM 2007-06-07
14:20
広島 広島大学(学士会館) 窒化膜中のキャリア移動度測定手法とMONOSメモリのデータ保持特性への応用
片山弘造石川清志ルネサステクノロジSDM2007-33
 [more] SDM2007-33
pp.13-16
SDM, VLD
(共催)
2006-09-26
10:50
東京 機械振興会館 ばらつき因子の大域的な同定と統計的ワーストケースモデルの生成方法について
永久克己岡垣 健谷沢元昭石川清志土屋 修ルネサステクノロジ
コンパクトモデルパラメータ抽出を含む新しいワーストモデル生成手法を提案する。本手法によれば、開発早期段階においてコンカレ... [more] VLD2006-41 SDM2006-162
pp.13-18
SDM, VLD
(共催)
2006-09-26
11:15
東京 機械振興会館 ランダム・テレグラフ・シグナルによるMOSFETのしきい値電圧変動量に対する離散不純物効果のモデリング
園田賢一郎石川清志栄森貴尚土屋 修ルネサステクノロジ
離散不純物効果がランダム・テレグラフ・シグナル (RTS) による MOSFET のしきい値電圧変動量に与える影響を議論... [more] VLD2006-42 SDM2006-163
pp.19-24
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