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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| ED | 2010-10-25 13:25 |
京都 | 宇治おうばくプラザ(京都大学） | 三フッ化メタンプラズマ処理したシリコン電界放出電子源の表面状態と電子放出特性 ○後藤康仁・遠藤恵介・辻 博司（京大）・石川順三（中部大）・酒井滋樹（日新イオン機器）  ED2010-129 |
三フッ化メタンプラズマ処理を施したシリコン電界放出電子源の電子放出特性の経時変化の原因を調べる目的で、同じ処理を施したシ... [more] | ED2010-129 pp.7-10 |
| ED | 2008-08-05 09:25 |
静岡 | 静岡大学浜松キャンパス | 電界電子放出特性その場解析アナログ回路の改良 ○後藤康仁・河崎道人・辻 博司・石川順三（京大） ED2008-118 |
電界放出電子源の特性変動を調べるために開発している電界電子放出特性 その場解析装置のアナログ回路の改良を行った。 従... [more] |
ED2008-118 pp.45-48 |
| ED | 2008-08-05 09:50 |
静岡 | 静岡大学浜松キャンパス | シリコン微小電子源のイオンビーム空間電荷中和への応用 ○竹内光明（JSTイノベーションプラザ京都）・後藤康仁・辻 博司（京大）・酒井滋樹（日新イオン機器）・木本恒暢・石川順三（京大） ED2008-119 |
半導体イオン注入用極低エネルギーイオンビームの発散抑制を目的として、シリコン微小電子源(Si-FEA)を用いたイオンビー... [more] | ED2008-119 pp.49-52 |
| ED | 2006-08-04 09:50 |
大阪 | 大阪大学 コンベンションセンター | 窒化ハフニウムを陰極とした電界放出電子源の作製 ○後藤康仁・瀬戸島範幸・神澤太郎・小島俊彦・藤井亮一・辻 博司・石川順三（京大） |
[more] | ED2006-129 pp.61-62 |
| ED | 2005-12-22 13:35 |
東京 | 機械振興会館 | S-Kチャートによる電界放出デバイス評価技術 ○後藤康仁・辻 博司・石川順三（京大） |
S-Kチャートに対して描かれた等仕事関数線、等曲率半径線に対する検討を行った。異なる$k$の値(巨視的な電圧電界変換係数... [more] | ED2005-184 pp.11-14 |
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