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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM, EID (共催) ITE-IDY (連催) [詳細] |
2019-12-24 13:25 |
奈良 | 奈良先端大(物質領域 大講義室） | SiO2/GaN MOS構造における電極形成後アニール前後の界面及び膜中電荷の評価 ○古川暢昭・上沼睦典・石河泰明・浦岡行治（奈良先端大）  EID2019-5 SDM2019-80 |
[more] | EID2019-5 SDM2019-80 pp.1-4 |
| SDM, EID (共催) ITE-IDY (連催) [詳細] |
2019-12-24 14:25 |
奈良 | 奈良先端大(物質領域 大講義室） | 量子デバイスに向けた球殻状タンパク質をテンプレートとしたCuInS2ナノ粒子作製 ○唐木裕馬・宮永良子・岡本尚文・石河泰明（奈良先端大）・山下一郎（阪大）・浦岡行治（奈良先端大） EID2019-6 SDM2019-81 |
球殻状タンパク質を用いたナノ粒子作製・ハンドリング技術であるバイオナノプロセスにおいて，これまで報告されていなかった3元... [more] | EID2019-6 SDM2019-81 pp.13-16 |
| SDM, EID (共催) ITE-IDY (連催) [詳細] |
2019-12-24 16:00 |
奈良 | 奈良先端大(物質領域 大講義室） | Stable Growth of (100)-Oriented Low Angle Grain Boundary Silicon Thin Films Extending to the length of 3000 μm by a Continuous-Wave Laser Lateral Crystallization ○Muhammad Arif Razali・Nobuo Sasaki・Yasuaki Ishikawa・Yukiharu Uraoka（NAIST） |
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| SDM, EID (共催) |
2017-12-22 10:30 |
京都 | 京都大学 | 薄型結晶シリコン太陽電池に向けたナノインプリントテクスチャの光閉じ込め効果 ○中井雄也・石河泰明・浦岡行治（奈良先端大） EID2017-11 SDM2017-72 |
薄型結晶シリコン太陽電池の実現には光吸収層内での光り閉じ込め効果が重要であり，光の多重反射を目的としたテクスチャを形成す... [more] | EID2017-11 SDM2017-72 pp.1-4 |
| SDM, EID (共催) |
2017-12-22 13:45 |
京都 | 京都大学 | Three-dimension periodic nano-structure fabricated by proximity nano-patterning process (PnP) ○Xudongfang Wang・Yasuaki Ishikawa・Shinji Araki・Yukiharu Uraoka（NAIST）・Seokwoo Jeon（KAIST） EID2017-18 SDM2017-79 |
In recent years, 3D periodic nanostructure have attracted co... [more] | EID2017-18 SDM2017-79 pp.35-38 |
| SDM, EID (共催) |
2016-12-12 09:30 |
奈良 | 奈良先端科学技術大学院大学 | ペロブスカイト/微結晶Siタンデム型太陽電池におけるリコンビネーション層の開発 ○張 松・石河泰明・來福 至・ティフェン ブルジェト・浦岡行治（奈良先端大）・エリック ジョンソン・マーティン フォロディナ・イヴァン ボンナシュ・ペール ロカ イ カバロカス（エコール・ポリテクニーク） EID2016-9 SDM2016-90 |
近年、太陽電池の更なる高効率化に向けてタンデム型太陽電池の研究が進んでいる。二種類の太陽電池間におけるリコンビネーション... [more] | EID2016-9 SDM2016-90 pp.1-6 |
| SDM, EID (共催) |
2016-12-12 09:45 |
奈良 | 奈良先端科学技術大学院大学 | ヘテロ接合型FeS2-Pyrite太陽電池に向けたFeS2/NiOx接合のバンドオフセット評価 ○河村祐亮・石河泰明・内山俊祐（奈良先端大）・野瀬嘉太郎（京大）・浦岡行治（奈良先端大） EID2016-10 SDM2016-91 |
FeS2-pyriteを用いたヘテロ接合型太陽電池の実現を目的として，フラックス法によって作製したFeS2バルク結晶にN... [more] | EID2016-10 SDM2016-91 pp.7-10 |
| SDM, EID (共催) |
2016-12-12 10:00 |
奈良 | 奈良先端科学技術大学院大学 | SrTa2O6によるIGZO薄膜トランジスタの高性能化要因解析 ○及川賢人・藤井茉美・Bermundo Juan Paolo（奈良先端大）・内山 潔（鶴岡高専）・石河泰明・浦岡行治（奈良先端大） |
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| SDM, EID (共催) |
2016-12-12 15:45 |
奈良 | 奈良先端科学技術大学院大学 | 非晶質InGaZnO薄膜の熱電特性評価 ○多和勇樹・上沼睦典・藤本裕太・瀬名波大貴・石河泰明・浦岡行治（奈良先端大） EID2016-25 SDM2016-106 |
[more] | EID2016-25 SDM2016-106 pp.71-74 |
| EID, SDM (共催) |
2015-12-14 11:30 |
京都 | 龍谷大学 響都ホール 校友会館 | 超分子タンパク質を利用した超微細FETへのメモリ応用 ○番 貴彦・上沼睦典（奈良先端大）・右田真司（産総研）・石河泰明・山下一郎・浦岡行治（奈良先端大） EID2015-11 SDM2015-94 |
チャネル長3.6 nmの超微細FET であるV溝型のJunction-less FET（JL-FET）に対し、そのV溝底... [more] | EID2015-11 SDM2015-94 pp.9-12 |
| EID, SDM (共催) |
2015-12-14 13:30 |
京都 | 龍谷大学 響都ホール 校友会館 | グリーンレーザーアニールによる非晶質基板上への（１１１）面配向多結晶ゲルマニウム薄膜の形成 ○仁枝嘉昭・高尾 透（奈良先端大）・堀田昌宏（京大）・佐々木伸夫（日本女子大）・石河泰明・浦岡行治（奈良先端大） |
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| CPM, OPE, LQE, R, EMD (共催) |
2015-08-27 10:35 |
青森 | 青森県観光物産館アスパム | イオン液体をゲート絶縁膜として用いた高信頼性IGZO-TFTの開発 ○岡田広美・藤井茉美・石河泰明（奈良先端大）・三輪一元（電中研）・浦岡行治（奈良先端大）・小野新平（電中研） R2015-23 EMD2015-31 CPM2015-47 OPE2015-62 LQE2015-31 |
非晶質InGaZnO(a-IGZO)薄膜トランジスタ(TFT)は，優れた電気特性，低温作製可能，ワイドバンドギャップとい... [more] | R2015-23 EMD2015-31 CPM2015-47 OPE2015-62 LQE2015-31 pp.5-8 |
| CPM, OPE, LQE, R, EMD (共催) |
2015-08-27 11:00 |
青森 | 青森県観光物産館アスパム | ゲート絶縁膜中フッ素による高信頼性a-InGaZnO TFTの実現 ○山﨑はるか・石河泰明・藤井茉美・ジョアン パウロ ベルムンド（奈良先端大）・高橋英治・安東靖典（日新電機）・浦岡行治（奈良先端大） R2015-24 EMD2015-32 CPM2015-48 OPE2015-63 LQE2015-32 |
近年、透明アモルファス酸化物半導体であるa-InGaZnO (a-IGZO)を用いた薄膜トランジスタ(TFT)は、次世代... [more] | R2015-24 EMD2015-32 CPM2015-48 OPE2015-63 LQE2015-32 pp.9-11 |
| SDM | 2015-06-19 15:50 |
愛知 | 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | Fully compatible resistive random access memory with amorphous InGaZnO based thin film transistor fabrication process ○Keisuke Kado・Mutsunori Uenuma・Kyouhei Nabesaka・Kriti Sharma・Haruka Yamazaki・Satoshi Urakawa・Mami Fujii・Yasuaki Ishikawa・Yukiharu Uraoka（NAIST） SDM2015-52 |
酸化物薄膜トランジスタ (TFT) は低オフリークで高性能であるため，ディスプレイの駆動チャネル材料として有望であり，同... [more] | SDM2015-52 pp.75-80 |
| SDM, EID (共催) |
2014-12-12 14:15 |
京都 | 京都大学 | レーザーアニールによる非晶質基板上への(111)面配向多結晶ゲルマニウム薄膜の形成 ○高尾 透・堀田昌宏・石河泰明・浦岡行治（奈良先端大） EID2014-26 SDM2014-121 |
フレキシブル・システムオンパネルディスプレイ実現の上で単結晶Geを200℃未満の低温プロセスで非晶質基板上へ作製する技術... [more] | EID2014-26 SDM2014-121 pp.67-71 |
| SDM, EID (共催) |
2014-12-12 17:00 |
京都 | 京都大学 | 水蒸気を用いたプラズマ誘起原子層堆積法によるAl2O3膜の形成 ○梅原智明・堀田昌宏・吉嗣晃治・石河泰明・浦岡行治（奈良先端大） EID2014-36 SDM2014-131 |
窒化ガリウムパワーデバイス応用を目的として, Al2O3絶縁膜を原子層堆積法(ALD)により堆積した. 堆積サイクルの酸... [more] | EID2014-36 SDM2014-131 pp.119-123 |
| SDM | 2013-12-13 09:00 |
奈良 | 奈良先端科学技術大学院大学 | パルス電圧ストレス下における酸化物TFTの発熱劣化解析 ○木瀬香保利（奈良先端大）・苫井重和（出光興産）・上岡義弘・山崎はるか・浦川 哲（奈良先端大）・矢野公規（出光興産）・Dapeng Wang・古田 守（高知工科大）・堀田昌宏・石河泰明・浦岡行治（奈良先端大） SDM2013-116 |
近年，a-InGaZnOに代表される高移動度の透明アモルファス酸化物半導体(TAOS)が報告され，薄膜トランジスタのチャ... [more] | SDM2013-116 pp.1-5 |
| SDM | 2013-12-13 09:20 |
奈良 | 奈良先端科学技術大学院大学 | 高圧水蒸気処理を施したn-GaN上ALD-Al2O3ゲート絶縁膜の電気的特性 ○吉嗣晃治・梅原智明・堀田昌宏・石河泰明・浦岡行治（奈良先端大） SDM2013-117 |
原子層堆積法(Atomic layer deposition: ALD)で形成したn-GaN上Al2O3構造に対して，堆... [more] | SDM2013-117 pp.7-11 |
| SDM | 2013-12-13 10:00 |
奈良 | 奈良先端科学技術大学院大学 | インジウムを介したVapor-Liquid-Solid機構に基づくシリコンナノワイヤーの形成と評価 ○福永圭吾・畑山智亮・矢野裕司・岡本尚文・谷 あゆみ・石河泰明・冬木 隆（奈良先端大） SDM2013-119 |
シリコンナノワイヤー(Si-NW)は量子効果によるバンドギャップ制御、表面テクスチャー構造として反射率の低減が可能である... [more] | SDM2013-119 pp.19-23 |
| SDM | 2012-12-07 11:45 |
京都 | 京都大学(桂) | ポータープロテインによる金ナノ粒子配置プロセスとそのプラズモン特性 ○西城理志・石河泰明・鄭 彬・山下一郎・浦岡行治（奈良先端大） SDM2012-122 |
金ナノ粒子をシリコン基板とガラス基板表面に分散配置し、その基板の光学特性を測定した。金ナノ粒子の配置方法として、チタンに... [more] | SDM2012-122 pp.41-45 |
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